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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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Alimentazione miniaturizzata 5-12 volt. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Alimentatori

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Il blocco proposto è destinato all'alimentazione da una rete di dispositivi radioelettronici di piccole dimensioni (radio tascabili, registratori vocali, orologi, ecc.). La tensione di uscita può essere selezionata nell'intervallo da 5 a 12 V. Uno dei vantaggi del blocco sono le sue dimensioni ridotte: tutte le sue parti sono collocate nell'alloggiamento ... della spina di rete.

Le principali caratteristiche tecniche dell'alimentatore descritto sono le seguenti. tensione di rete - da 100 a 250 V con una frequenza di 50 ... 500 Hz, tensione di uscita (a seconda dello stabilizzatore integrato utilizzato) - da 5 a 12 V, corrente di carico nominale (con una tensione di uscita di 5 V) - 20 , massimo (alla stessa tensione) - 100 mA, livello di ondulazione (alla corrente nominale) - non più dell'1%.

Il diagramma schematico del blocco è mostrato in fig. 1. Funziona come segue.

Miniatura alimentazione 5-12 volt. Diagramma schematico.

La tensione di rete raddrizzata dal ponte a diodi VD1 viene alimentata attraverso il divisore R1 R3R4 alla base del transistor VT2 e attraverso il resistore R2 alla base del transistor composito VT4, VT5. Durante ogni semiperiodo, mentre la tensione nel punto di connessione dei collettori VT1, VT3 relativi all'emettitore VT2 non supera i 100 V, esso è chiuso, VT4VT5 sono aperti e il condensatore C1 viene caricato attraverso le resistenze R1, R10 e il sezione emettitore-collettore del transistor VT5. Quando la tensione nel punto specificato è superiore a 100 V, VT2 si apre e devia la giunzione dell'emettitore del transistor composito. Il condensatore C1 viene scaricato, alimentando l'oscillatore sui transistor VT1, VT3, assemblati secondo lo schema Roer (vedi il libro di Ivanov-Tsyganov A.I. e Khandogin V.I. "Fonti di alimentazione secondaria per dispositivi a microonde". - M .: Radio e comunicazione , 1989).

La frequenza di oscillazione dell'oscillatore è di circa 60 kHz. Dall'avvolgimento secondario del trasformatore T1 viene rimossa una tensione di circa 7 V. Viene rettificato dai diodi VD2, VD3, livellato dal condensatore C2 e stabilizzato dallo stabilizzatore integrale DA1. Il condensatore C3 riduce il ripple ad alta frequenza.

 Le tensioni massime del collettore-emettitore dei transistor VT1, VT3 in stato stazionario non superano 200 V, VT4 e VT5 - 210 V. La corrente massima del transistor VT5 con i valori degli elementi indicati sul diagramma e il coefficiente di trasferimento di corrente statico della base h21e dei transistor VT4, VT5, pari a 25, non supera i 300 ma.

 Al momento dell'accensione, la tensione collettore-emettitore dei transistor VT4 e VT5 può superare i 300 V. e la corrente del collettore VT5 è di 0,5 A, il che porterà al loro guasto. Per limitare la corrente del collettore VT5 in questo momento (quando si utilizzano transistor VT4 e VT5 con un coefficiente elevato h21e), vengono utilizzati il ​​​​resistore R10 e un diodo zener VD4. Per limitare la tensione collettore-emettitore di un transistor composito, è desiderabile accendere un varistore per una tensione di circa 5 V tra il collettore e l'emettitore di VT250.

 Quando si utilizza l'unità per alimentare un carico a bassa potenza (con un consumo di corrente non superiore a 5 ... 10 mA), è consigliabile aumentare la resistenza dei resistori R6 e R7 a 470 Ohm e ridurre la capacità del condensatore C da 1 a 2,2 ... 4,7 μF (in questo In questo caso, l'unità si riscalderà meno e l'affidabilità del suo funzionamento aumenterà).

 Oltre a KT3130A (VT2), nel dispositivo è possibile utilizzare qualsiasi transistor di questa serie, nonché la serie KT3102 o di fabbricazione estera con caratteristiche simili (ad esempio BCW60D). I transistor KT940A sono intercambiabili con KT969A, BF469 / PLP (VT1, VT3) o KT969A, BF459 (VT4, VT5).

Miniatura alimentazione 5-12 volt. Scheda a circuito stampato.

 Condensatori C1, C2 - importati, è possibile utilizzare K50-35, C3 - K10-17. Diodi VD2, VD3 - qualsiasi silicio di piccole dimensioni con una corrente diretta consentita di almeno 100 mA, una tensione inversa di almeno 20 V e una frequenza operativa di almeno 150 kHz. Resistori R1 -R3 - C 1 -4, BC o altri con una tensione operativa di almeno 350 V, il resto - C2-33, C2-23, MLT, OMLT o simili.

 Il trasformatore T1 è avvolto su due anelli di ferrite (2000NM) piegati insieme, dimensioni K10x8x3. Gli avvolgimenti 1-2 e 4-5 contengono 8 giri di filo PEV-1 0,1, 2-3 e 3-4 - 200 giri dello stesso filo ciascuno, avvolgimenti 6-7 e 7-8 - 14/22/28 giri ciascuno PEV-1 0,17 (rispettivamente per tensioni di uscita 5/9/12 V). Per l'interavvolgimento e l'isolamento esterno, si consiglia di utilizzare film fluoroplastico o film PET.

 Nella versione dell'autore, l'alimentatore è montato in una spina di alimentazione standard con un diametro di 40 e un'altezza di 27 mm. Il circuito stampato (Fig. 2) è realizzato in fibra di vetro a doppia faccia con uno spessore di 0,5 mm. La distanza tra i centri dei fori sulla scheda per i pin della spina di rete è di 19 mm. Tutti i resistori, tranne R2 e R3, sono installati perpendicolarmente alla scheda. Il diodo zener VD4 è saldato ai conduttori stampati dal lato di montaggio del transistor VT2. Ai pad contrassegnati dalle lettere "a" e "b", saldare i fili provenienti dai pin della spina di rete, e ai pad con i numeri 1-7 - le conclusioni degli avvolgimenti del trasformatore T1. Posizionalo sopra il condensatore C3 nello spazio libero tra i transistor VT1, VT3 e il condensatore C2. Assemblato da parti riparabili e senza errori di installazione, l'unità non richiede regolazione.

Autore: A. Khabarov, Kovrov, Regione di Vladimir; Pubblicazione: cxem.net

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La massa base dei sensori di campo magnetico è realizzata sulla base di materiali ferromagnetici, che fungono da amplificatori per i segnali captati. Tuttavia, il rovescio della medaglia è che i materiali ferromagnetici distorcono la forma e la forza del campo magnetico. In precedenza sono stati fatti tentativi per realizzare un sensore magnetico "invisibile" rivestendo l'elemento ferromagnetico attivo di questo sensore con una sorta di "mantello dell'invisibilità" magnetico. Tuttavia, questo approccio ha completamente isolato il sensore dal campo magnetico, privandolo della capacità di effettuare misurazioni.

La base del nuovo sensore stealth è un guscio magnetico sferico, la cui forma compensa e isola le distorsioni del campo magnetico introdotte dall'elemento sensibile di questo sensore situato all'interno. In questo guscio si crea una massa di sottili lacune attraverso le quali il campo magnetico esterno raggiunge l'elemento sensibile, consentendogli di effettuare misurazioni. Il massimo grado di "invisibilità" di questo sensore si verifica se il campo magnetico misurato è uniforme e l'elemento sensibile interno del sensore ha anch'esso una forma sferica.

Il guscio sferico che circonda il sensore deve avere proprietà magnetiche che nessun materiale presente in natura possiede. Queste proprietà sono state impartite al guscio ricavandolo da un materiale con una struttura artificiale complessa, il cosiddetto metamateriale, che si basa su un materiale superconduttore ad alta temperatura.

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