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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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Amplificatore di potenza a 144 MHz. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Amplificatori di potenza RF

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Il corpo è realizzato in fibra di vetro di 2 mm di spessore, alla quale è fissato un radiatore lungo tutto il perimetro. Sul fondo della custodia viene praticato un foro esattamente della dimensione della custodia del transistor, che si trova sul radiatore, e il fondo è così spesso che i terminali dell'emettitore del transistor si trovano sulla lamina della custodia e vengono premuti contro con piastre in ottone e viti M3. Per evitare che la base e il collettore tocchino la "terra", la lamina sottostante vicino al corpo del transistor viene rimossa di 3 mm e i terminali sono leggermente piegati verso l'alto. C2 e C3 sono montati verticalmente su supporti a L in ottone, che mettono a terra i rotori, C1 e C4 - su supporti a forma di U in textolite.

Amplificatore di potenza a 144 MHz

Design dell'amplificatore

Dettagli:

C1, C2, C3, C4 - 1KPM 1 (3 ... 27pf).
L1 - 3 spire con filo da 0,8 mm, diametro avvolgimento 6 mm.
L2 - 8 spire con filo 0,8 mm, diametro avvolgimento 5 mm, l=18mm.
L3 - 4 giri con uno pneumatico 2x0,7 mm, diametro dell'avvolgimento 8 mm, l = 16 mm.
L4 - 4 spire con filo da 0,8 mm, diametro avvolgimento 15 mm (resistenza R2 interna alla bobina).
Transistor KT930A (30V, 2,4A), KT931A (30V, 3A).

Quando si utilizza il transistor KT931A, 2 giri vengono cortocircuitati su L2, vengono aggiunti tre condensatori al circuito, mostrati con linee tratteggiate. Selezionando queste capacità e L2, viene negoziata la RA.

Autore: Yu.Grebnev (RA9AA); Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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