Potente transistor ad effetto di campo KP784A. Dati di riferimento

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I transistor a canale P in silicio KP784A con gate isolato e arricchimento di canale, con un diodo protettivo incorporato, sono prodotti utilizzando la tecnologia epitassiale-planare. I dispositivi sono progettati per funzionare in alimentatori secondari con ingresso senza trasformatore, in regolatori, stabilizzatori e convertitori di tensione con controllo continuo e ad impulsi, in unità di alimentazione per computer, in dispositivi di azionamento di motori elettrici e altre apparecchiature di ampia applicazione.

I transistor sono alloggiati in una custodia di plastica KT-28-2 (TO-220AV) con terminali rigidi stampati stagnati (Fig. 1).

Potente transistor ad effetto di campo KP784A

Peso del dispositivo: non più di 2,5 g.

Analogo straniero del transistor KP784A - IRF9Z34.

Principali caratteristiche tecniche

Tensione di soglia, V, a una corrente di drain di 0,25 mA e gate e source collegati.....2...4
Resistenza a canale aperto, Ohm, non di più, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs e un ciclo di lavoro di almeno 50, con una corrente di drain di 11 A e una tensione gate-source di 10 V.....0,14
Corrente di drain residua, µA, non di più, a una tensione drain-source di 60 V e tensione gate-drain pari a zero...100
Corrente di dispersione gate, µA, non di più, con tensione gate-source ±20 V e tensione drain-source zero.....±0,1
Pendenza della caratteristica corrente-tensione, almeno A/V, con una durata dell'impulso non superiore a 300 ms e un ciclo di lavoro di almeno 50, con una tensione drain-source di 25 V e una corrente di drain di 11 A .....5,9
Tensione diretta costante del diodo protettivo, V, non di più, con una durata dell'impulso inferiore a 300 ms e un ciclo di lavoro superiore a 50, con tensione gate-source zero e corrente di drain 18 A.....6,3
Massima frequenza operativa, MHz.....1
Resistenza termica custodia di transizione, °С/W, max.....1,7
Tempo di ritardo all'accensione, no, non di più, con una tensione drain-source di 30 V, una corrente drain di 18 A e una resistenza di uscita della sorgente del segnale di 12 Ohm.....40
valore tipico.....20
Capacità del transistor, pF, non superiore, a una tensione drain-source di 25 V, tensione gate-source zero e una frequenza di 1 MHz, ingresso.....1540
giorno libero.....660
posto di blocco.....140
Il tempo di salita della corrente di drain, senza problemi, con una tensione drain-source di 30 V, una corrente di drain di 18 A e una resistenza di uscita della sorgente del segnale di 12 Ohm...240
valore tipico.....120
Tempo di decadimento della corrente di drenaggio, no, non di più, con una tensione drain-source di 30 V, una corrente di drain di 18 A e una resistenza di uscita della sorgente del segnale di 12 Ohm.....116
valore tipico.....58

* Alla temperatura della cassa 25 °С.

Valori limite

La più alta tensione drain-source, V ..... 60
Massima tensione gate-source, V.....+20
Il massimo consumo di corrente continua *, A ..... 18
La corrente pulsata più alta * drain, A ..... 72
La massima dissipazione di potenza continua, W, a una temperatura del case di 25 ° C** ..... 88
La temperatura di transizione più alta, ° С..... 175
Campo di lavoro della temperatura ambiente, °С.....-55...+150

* A condizione che non vengano superati i valori massimi di dissipazione di potenza e temperatura di giunzione.

** Nell'intervallo di temperatura della custodia Tcorp +25...+150 °C la potenza massima deve essere ridotta secondo la formula

Рmax =(Tnepmax -Tcorp)/Rt.n-k dove Tnepmax è la temperatura di transizione massima consentita; Rt.n-k - resistenza termica della custodia di giunzione.

Il valore consentito del potenziale statico è 200 V (III grado di rigidità secondo OST 11073.062). La modalità operativa e le condizioni per l'installazione dei transistor nell'apparecchiatura devono essere conformi a OST 11336.907.0 (vedi articolo di V. Kiselev "Transistori ad effetto di campo della serie KP737"in "Radio", 2002, n. 5, pp. 47, 48). Durante le operazioni di installazione e assemblaggio non sono consentite più di tre risaldature dei terminali dei transistor.

Le principali dipendenze grafiche tipiche dei parametri del transistor KP784A sono presentate in Fig. 2-5.

Potente transistor ad effetto di campo KP784A

Nella fig. 2,a e b mostrano le dipendenze della corrente di drain Ic dalla tensione drain-source Usi a due valori della temperatura dell'alloggiamento Tcorp - 25±10 e 150 °C, e in Fig. 3 - dalla tensione gate-source Uzi.

Potente transistor ad effetto di campo KP784A

La variazione della resistenza del canale RK di un transistor aperto nell'intervallo operativo della temperatura di giunzione è illustrata in Fig. 4 (RK - valore attuale della resistenza del canale; Rê25 - resistenza del canale a Tper = 25 °C).

Potente transistor ad effetto di campo KP784A

La dipendenza della capacità di ingresso, uscita e passante dalla tensione drain-source è mostrata in Fig. 5.

Potente transistor ad effetto di campo KP784A

Autore: V. Kisilei, Minsk, Bielorussia

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