Transistori ad effetto di campo della serie KP737. Dati di riferimento

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I potenti transistor ad effetto di campo in silicio KP737A-KP737V con gate isolato, canale N arricchito e diodo protettivo con polarizzazione inversa integrato sono prodotti utilizzando la tecnologia epitassiale-planare. I dispositivi sono progettati per funzionare in alimentatori secondari senza trasformatore, stabilizzatori e convertitori di tensione con controllo continuo e ad impulsi, in dispositivi di controllo di motori elettrici e altri componenti di apparecchiature elettroniche di ampia applicazione.

I transistor sono alloggiati in una custodia di plastica KT-28 (TO-220) con terminali rigidi stampati stagnati. Il peso del dispositivo non supera i 2,5 g Il design dell'alloggiamento, dei collegamenti interni e della piedinatura è simile ai transistor della serie KP727 (vedi "Radio", 2002, n. 1, pp. 46 - 48).

Analoghi funzionali esteri: KP737A - IRF630, KP737B - IRF634, KP737V - IRF635.

Caratteristiche principali a Tacr cf =25°C

Soglia tensione gate-source, V, con drain e gate collegati e corrente di drain 0,25 mA......2...4
Corrente di drenaggio, A, non inferiore, con una durata dell'impulso inferiore a 300 μs, un ciclo di lavoro superiore a 50 e una tensione gate-source di 10 V per KP737A (con una tensione drain-source di 4 V).... ...9
KP737B(4V)......8,1
KP737V (4,8 V)......6,5
Resistenza a canale aperto, Ohm, non di più, con una durata dell'impulso inferiore a 300 μs, un ciclo di lavoro superiore a 50 e una tensione gate-source di 10 V per KP737A (con una corrente di drain di 5,4 A).... ...0,4
KP737B(5,1A)......0,45
KP737V(4,1A)......0,68
Corrente di drain residua, µA, non di più, alla massima tensione drain-source e tensione gate-source zero......250
Corrente di dispersione gate, nA, non di più, con tensione gate-source ±20 V e tensione drain-source zero......±100
Pendenza della caratteristica corrente-tensione, niente meno che A/V, con una durata dell'impulso inferiore a 300 μs, un duty cycle superiore a 50 e una tensione drain-source di 25 V per KP737A (con una corrente drain di 5,4 A).......3,8
KP737B(5,1A)......3,6
KP737V(4,1A)......2,9
Tensione diretta costante sul diodo di protezione (con tensione drain-source inversa), V, non più, con una durata dell'impulso inferiore a 300 μs, un ciclo di lavoro superiore a 50, tensione gate-source zero e il valore assoluto massimo di la corrente attraverso il perno di scarico...... 2
Resistenza termica custodia di transizione, °С/W, max......1,7
Resistenza termica ambiente di transizione, °С/W, non più......62
Tempo di recupero inverso del diodo di protezione, non (valore tipico), con una durata dell'impulso inferiore a 300 μs, un ciclo di lavoro superiore a 50, una corrente diretta di 5,9 A e un tasso di diminuzione della corrente di 100 A/μs per KP737A ......340
KP737B ...... 380
KP737V......390
Tempo di accensione*, non (valore tipico), con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs, ciclo di lavoro di almeno 50, tensione drain-source 100 V, corrente drain 5,9 A, resistenza drain-source 16 Ohm e uscita resistenza della sorgente del segnale 12 Ohm per KP737A......41
KP737B, KP737V......48
Tempo di spegnimento*, non (valore tipico), con una durata dell'impulso non superiore a 300 ms, ciclo di lavoro di almeno 50, tensione drain-source 100 V, corrente drain 5,9 A, resistenza drain-source 16 Ohm e uscita resistenza della sorgente del segnale 12 Ohm per KP737A......59
KP737B, KP737V......62
Capacità di ingresso*, pF, non di più, con tensione gate-source zero, tensione drain-source 25 V e frequenza 1 MHz......1300
Capacità di uscita*, pF, non di più, con tensione gate-source zero, tensione drain-source 25 V e frequenza 1 MHz......360
Capacità passante*, pF, non di più, con tensione gate-source zero, tensione drain-source 25 V e frequenza 1 MHz......120

*Parametri di riferimento

Valori limite

La tensione drain-source più alta, per KP737A......200
KP737B, KP737V......250
Massima tensione gate-source, V......20
La corrente di drenaggio costante più alta, A, a una temperatura del case di 25 °C per KP737A......9
KP737B ...... 8,1
KP737V......6,5
La corrente di drenaggio pulsata più alta, A, ad una temperatura del case di 25 °C per KP737A......36
KP737B ...... 32
KP737V......26
Dissipazione di potenza costante massima, W, alla temperatura del case di 25 °C......74
La temperatura di transizione più alta, ° С ...... 150
Campo di funzionamento della temperatura ambiente, °С -55...+125
Il valore massimo consentito del potenziale statico è 200 V (III grado di rigidità secondo OST 11073.062).

Le condizioni per l'installazione dei transistor nell'apparecchiatura devono essere conformi a OST 11336.907.0. L'uso dei transistor non è consentito ai valori limite di due o più parametri combinati. Per aumentare l'affidabilità, si consiglia di utilizzare i dispositivi con valori dei parametri non superiori al 70% dei valori limite.

Durante l'installazione, è consentita una piegatura una tantum dei conduttori a non meno di 5 mm dal bordo dell'alloggiamento, il raggio di curvatura non è inferiore a 1,5 mm. La linea di piegatura deve trovarsi nel piano delle derivazioni. Non puoi torcere i cavi. Quando ci si piega, è necessario adottare misure per impedire il trasferimento della forza al corpo. -

La distanza dall'alloggiamento al luogo di stagnatura e saldatura dei cavi non deve essere inferiore a 5 mm. Temperatura di saldatura - non più di 265°C, tempo di stagnatura - non più di 2 s, tempo di saldatura - non più di 4 s.

Al fine di ridurre la resistenza termica del dissipatore di calore corporeo, si consiglia di coprire il punto di contatto con lubrificanti o paste termoconduttrici, ad esempio KPT-8 secondo GOST 19783. Se è presente una guarnizione isolante sotto il transistor, è necessario tener conto della sua resistenza termica.

Le tipiche dipendenze grafiche dei parametri dei transistor KP737A - KP737B sono presentate in Fig. 1-7.

Nella fig. La Figura 1a mostra le dipendenze della corrente di drain dalla tensione drain-source a vari valori di tensione tra gate e source e temperatura normale del case, e in Fig. 1,b - le stesse dipendenze ad una temperatura dell'alloggiamento di 1505 °C.

Transistori ad effetto di campo della serie KP737

Una tipica caratteristica di trasferimento dei dispositivi a due valori di temperatura dell'alloggiamento è mostrata in Fig. 2.

La dipendenza dalla temperatura normalizzata della resistenza a canale aperto è mostrata in Fig. 3, e le tipiche dipendenze della capacità di ingresso, uscita e passante dalla tensione drain-source sono mostrate in Fig. 4. Man mano che il corpo del transistor si riscalda, la corrente di drain massima deve essere ridotta secondo il grafico di Fig. 5.

Transistori ad effetto di campo della serie KP737

Una tipica dipendenza della carica della capacità di gate dalla tensione gate-source è mostrata in Fig. 6.

Transistori ad effetto di campo della serie KP737

Le capacità del diodo protettivo integrato sono illustrate in Fig. 7, in cui Iñ è la corrente attraverso il terminale di drain del transistor se il diodo è aperto, e Upr è la caduta di tensione diretta attraverso il diodo.

Transistori ad effetto di campo della serie KP737

Autore: V.Kiselev

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