Sollievo nervoso. Disegno, descrizione

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Sollievo nervoso. Suggerimenti per un modellista

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I modellisti sanno quanto sia difficile alleggerire una centina sottile senza comprometterne la resistenza. Nel circolo di modellismo aeronautico della nostra House of Pioneers, il metodo della segatura è stato sostituito con successo dalla fustellatura.

Allo stesso tempo, la forza della parte non viene violata e il lavoro viene svolto molto più velocemente. I fori vengono praticati con tubi di diverso diametro, affilati all'estremità su un tornio (come un punzone o un punzone).

Rilievo delle costole

Questo metodo è accettabile non solo per alleggerire le centine, ma anche nella fabbricazione di fusoliere, chiglie in molte altre parti.

Autore: A. Buyanov

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Moduli di memoria mobile LPDDR8 da 4 GB di Samsung 21.10.2016

Samsung Electronics ha annunciato il rilascio di moduli DRAM mobili da 4 GB a bassa potenza e doppia velocità di trasmissione dati 4 (LPDDR8). Come riportato dall'azienda a CNews, la nuova soluzione è focalizzata sul lavoro su dispositivi mobili con display Ultra HD di grandi dimensioni. Il modulo DRAM da 8 GB ospita quattro chip di memoria LPDDR16 da 4 GB prodotti utilizzando un processo a 10 nm.

"Il lancio del nuovo potente modulo DRAM mobile da 8 GB porterà a dispositivi mobili di punta di nuova generazione con prestazioni più elevate in tutto il mondo", ha affermato Yoo Sung Choi, vicepresidente esecutivo di Samsung Electronics Memory Marketing and Sales. storage che soddisfa le crescenti esigenze di i dispositivi più recenti con funzionalità come doppia fotocamera, video 4K UHD e tecnologie di realtà virtuale".

La velocità di trasferimento dati del nuovo modulo LPDDR4 da 8 GB raggiunge i 4266 Mbps, il doppio della DRAM DDR4 per PC, che in genere è di circa 2133 Mbps. A condizione che la larghezza del bus di memoria sia di 64 bit (x64), ciò garantisce il trasferimento dei dati a una velocità fino a 34 GB al secondo.

Le dimensioni di 8 GB LPDDR4 sono inferiori a 15x15x1 mm, che soddisfa i requisiti di dimensione della maggior parte dei moderni dispositivi mobili ultrasottili. A seconda delle preferenze del produttore, uno stack DRAM di spessore inferiore a 1 mm può essere utilizzato in combinazione con un'unità flash per uso generico o un processore mobile per risparmiare spazio sul PCB.

Nell'agosto 2015, Samsung ha introdotto sul mercato la prima soluzione DRAM LPDDR4 da 12 GB a 20 nm. Il periodo di sviluppo per la nuova soluzione DRAM LPDDR16 da 4 GB con tecnologia di processo a 10 nm, nonché DRAM LPDDR8 da 4 GB, è stato di 14 mesi.

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