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Il bastone ruota sullo schienale della sedia. Messa a fuoco segreta

Trucchi spettacolari e loro indizi

Elenco / Trucchi spettacolari e loro indizi

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Descrizione del focus:

Porta una sedia al centro del palco e posiziona un bastoncino rotondo sullo schienale. Quindi attorciglialo con le dita. Il bastone ruoterà attorno al proprio asse senza ribaltarsi. Quando avrà fatto abbastanza giri, il che sembrerà molto sorprendente al pubblico, toglila dalla sedia.

Focus Stick ruota sullo schienale di una sedia

Segreto di messa a fuoco:

Il bastone non si è ribaltato perché ha toccato la sedia con il suo baricentro. La punta di un ago affilato ne sporgeva.

Focus Stick ruota sullo schienale di una sedia

Quando inserisci il bastoncino, premi leggermente su di esso dall'alto in modo che l'ago entri nello schienale di legno della sedia. Resta solo da torcerlo e iniziare a ruotarlo. Non torcere lo stick troppo velocemente, altrimenti cadrà e la messa a fuoco non funzionerà. Il centro dello schienale della sedia deve necessariamente sporgere sopra i suoi bordi.

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I nuovi MOSFET CoolSiC da 1200 V di Infineon nel pacchetto TO247-3/-4 sono basati su tecnologie di semiconduttori all'avanguardia e ottimizzati per prestazioni e affidabilità elevate.

Il vantaggio dell'utilizzo di transistor SiC rispetto alle soluzioni Si è una maggiore efficienza, che è particolarmente importante per i sistemi di conversione di potenza. Rispetto agli IGBT e ai MOSFET a base di Si, i MOSFET SiC presentano numerosi vantaggi: la carica di gate e i livelli di capacità più bassi tra gli interruttori da 1200 V, nessuna perdita di recupero del diodo interno, perdita di commutazione indipendente dalla temperatura e caratteristica senza soglia.

I MOSFET CoolSiC sono ideali per topologie a commutazione rigida e risonante come circuiti di correzione del fattore di potenza (PFC), topologie bidirezionali, convertitori CC/CC o inverter CC/CA.

Caratteristiche:

Basse perdite di commutazione;
Caratteristica non soglia;
Ampio intervallo di tensione gate-source;
Tensione soglia di gate VGS(th) = 4,5V;
slew rate di tensione controllata (dV/dT);
Robusto diodo a conduzione di corrente per la commutazione forzata;
Le perdite di commutazione sono indipendenti dalla temperatura;
Mantenimento dell'operabilità in caso di cortocircuito per 3 μs con una tensione di gate di 15 V.
Disponibile per l'ordine in confezioni TO247-4. Questo pacchetto ha un pin del segnale sorgente aggiuntivo per ottimizzare il processo di commutazione.

Applicazione:

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