Oscillatori ad alta frequenza con un livello di potenza di uscita da uno a decine di watt. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica
Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Nodi di apparecchiature radioamatoriali. Generatori, eterodine
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Il pratico circuito del generatore (Fig. 1) sul transistor KP901A nella gamma di frequenza di 30 ... 80 MHz ha fornito Pout \u2,5d 904 W. Un circuito simile sul transistor KP20A aveva Pout = 4 W a una frequenza di fo = 52 MHz e Up = 36,4 V (consumo energetico 15 W, dissipazione 2 W). Valori L5,6=2 MH, C760=2 pF, R=XNUMX Ohm.
Ris.1
Alle basse frequenze con un'elevata potenza di uscita (da poche a decine di watt), i generatori possono utilizzare transistor composti non saturabili, in cui un potente FET controlla un transistor bipolare più potente. La figura 2 mostra un diagramma di un oscillatore al quarzo basato su un transistor composito.
Ris.2
La figura 3 mostra le dipendenze della corrente consumata e della potenza di uscita dalla temperatura. Le variazioni massime di questi parametri non hanno superato rispettivamente il 2,3 e il 3,5% quando la temperatura è cambiata da 25 a 70°C. Con un angolo di interruzione della corrente di drenaggio Q=70°, il generatore ha fornito una potenza di uscita di 10 W con un'efficienza complessiva del 65%. Frequenza di generazione 7,41 MHz, l'instabilità della frequenza oraria media non ha superato 2 * 10-7.
Fig.3. Dipendenze del consumo di corrente (1) e output
potenza (2) a temperatura ambiente.
Fig.4. Livelli di rumore di fase degli auto-oscillatori su potenti PTS (1)
Transistori bipolari a microonde (2) e diodi Gunn (3)
Pertanto, gli auto-oscillatori su potenti FET coprono quasi tutte le gamme di frequenza utilizzate. Per un certo numero di applicazioni, i livelli di rumore di fase degli auto-oscillatori sono importanti. Come segue dalla Fig. 4, in questo parametro, i generatori di microonde GaAs di FTS ad alta potenza sono inferiori ai generatori basati su transistor bipolari a microonde e diodi Gunn. Si prevede che il livello del rumore di modulazione diminuirà di 20 dB quando si sviluppano PTS ad alta potenza con una lunghezza del canale inferiore al micron.
Letteratura
- Circuitazione di dispositivi su potenti transistor ad effetto di campo. Direttorio. A cura di VP Dyakonov.
Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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