Alimentazione 0-30 volt 3-5 ampere sul chip LM723. Schema, descrizione

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Alimentazione 0-30 volt 3-5 ampere sul chip LM723. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Per molti anni ho avuto il chip LM723 sullo scaffale. In precedenza, le riviste straniere presentavano progetti su questo chip negli anni '80 e '90. Queste sono le famose riviste "RADIOTECHNIKA" (Ungheria), "FUNKAMATEUR" (Germania) e altre. Attualmente, questo chip è diventato disponibile in Russia. I limiti per la regolazione della tensione di uscita (secondo il passaporto) vanno da 2 a 37 V. Dopo una piccola riflessione, ho costruito un alimentatore su questo chip con i parametri:

Uout...................... 0...30V
Iout...................... 3...5A

Alimentazione 0-30 volt 3-5 ampere sul chip LM723. Alimentazione sul chip LM723
Riso. 1. Alimentazione sul chip LM723

Il resistore R8 imposta il limite superiore di regolazione, ad es. 30,4 V. La protezione di corrente e tensione può essere impostata su quella che preferisci. Nella versione dell'autore, l'indicazione è digitale. L'alimentatore è stato assemblato in via sperimentale, è stato testato e ha mostrato buoni risultati. Su mia richiesta, è stato ripetuto da diversi radioamatori. Non ci sono state lamentele. Nella versione dell'autore, il trasformatore è stato preso ShL25 / 40-25. La corrente è stata utilizzata a 3 A (non c'era bisogno di più corrente). L'unità display è realizzata sul chip KR572PV2A. Il circuito stampato è stato sviluppato, a seconda delle parti utilizzate.

Buona fortuna a ripetere. Tutte le domande via e-mail.

Autore: Anatoly Patrin, Kirsanov, Russia, regione di Tambov, patrin@tamb.ru; Pubblicazione: cxem.net

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"Siamo stati in grado di fabbricare un analogo al germanio del grafene, cioè monostrati che si legano con l'idrogeno allo stesso modo del grafene, ma che sono molto più facili da produrre", ha affermato il professore della Ohio University Joshua Goldberger. "Nel processo, trasformeremo da un materiale con bandgap indiretto a un materiale con bandgap diretto, che ne consente l'utilizzo anche per scopi ottici.

Goldberger afferma di aver sintetizzato per la prima volta reticoli cristallini puri di dimensioni millimetriche di germanio legato all'idrogeno (GeH) mediante deinterizzazione topochimica di GaGe2. Goldberger descrive questo materiale come una sostanza di van der Waals stratificata simile al grafene legato (CH). Goldberger ha chiamato il suo materiale "germanan" per indicare la somiglianza con una versione monostrato di grafene chiamata grafane.

A parte il fatto che il nuovo materiale è basato sul germanio anziché sul carbonio come il grafene, la differenza più significativa è che il germanano sarà più facile da coltivare utilizzando apparecchiature a semiconduttore standard rispetto al grafene. Goldberger prevede che i nuovi materiali saranno utilizzati nei dispositivi optoelettronici di prossima generazione e nei sensori avanzati, poiché i calcoli mostrano che la mobilità degli elettroni sarà 5 volte migliore del germanio sfuso (10 volte superiore al silicio) con un gap di banda di 1,53 eV, che è leggermente più di quello dell'arseniuro di gallio.

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