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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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Sonda universale per il controllo dell'idoneità dei transistor. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Tecnologia di misurazione

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La sonda può determinare l'idoneità di qualsiasi transistor bipolare e ad effetto di campo di bassa e media potenza, ad esempio KP902, KP356, KTZ15, GG402, ecc.

La sonda è un generatore di frequenze audio. Lo schema mostra il collegamento di un transistor ad effetto di campo con due gate isolati. Se c'è solo un gate isolato o un transistor bipolare, i terminali XS1, XS3 "si bloccano" nell'aria.

Sonda universale per la verifica dell'idoneità dei transistor

La connessione del transistor bipolare è la seguente: XS5 - emettitore, XS4 - collettore, XS2 - base. Il gate del transistor ad effetto di campo con giunzione p-n è collegato a XS3. Cuffie - con una resistenza di 1,6 kOhm. Puoi anche usare quelli da 50 ohm, ma in questo caso la resistenza di metà dell'avvolgimento secondario T1 deve essere di almeno 80 ohm.

Collegando il transistor, ruotando la manopola del resistore R5, si ottiene una generazione stabile. Se non c'è generazione, le conclusioni dell'avvolgimento primario T1 vengono scambiate.

Transformer T1 - corrispondente, dal radio designer "Malchish". Resistenza dell'avvolgimento primario - 430 Ohm, secondario - 2x90 Ohm. È possibile utilizzare un altro trasformatore di adattamento, ma in questo caso dovrai selezionare gli elementi del circuito.

Quando si collegano gli IGFET, è necessario adottare precauzioni note.

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