Microcircuiti per il controllo di reattori elettronici. Schema, descrizione

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I reattori elettronici (cinesi-polacchi) più economici funzionano modalità autogeneratore e sono assemblati da elementi discreti. Da qui la presenza di numerosi elementi di avvolgimento complessi: trasformatori, grandi dimensioni di circuiti stampati, bassa affidabilità e complessità delle impostazioni.

Le principali società di sviluppo producono una gamma abbastanza ampia di chip di controllo della zavorra. Esistono sia microcircuiti che richiedono transistor di potenza esterni, sia modifiche in cui gli interruttori di alimentazione sono integrati in un pacchetto con un circuito di controllo. Tali reattori sono piuttosto in miniatura.

Apparso più di recente una nuova generazione di chip di controllo del ballast elettronico, che ha molte funzioni di servizio e protezione. Sfortunatamente, lo sviluppo domestico di microcircuiti per il controllo di reattori elettronici è agli inizi; quindi, dobbiamo solo parlare di come i produttori stranieri di elettronica di potenza hanno avuto successo in questo mercato.

International Rectifier (ww.irf.com) produce chip IR2156, IR2157, IR2159, IR2166, IR2167, IR2520 che richiedono transistor di alimentazione esterni e chip IR5xHxx con interruttori di alimentazione integrati.

STMicroelectronics (st.com) produce chip L6569, L6571, L6574.

Motorola - MC2151, MPIC2151, MC33157DW.

Firm Unitrode (Texas Instilments) - UC3871, UC3872.

PHILIPS - UBA2014, UBA2021, UBA2024.

I microcircuiti contengono:

circuito di controllo gate del transistor di commutazione superiore con un additivo di tensione;
circuito di protezione contro correnti passanti (pausa protettiva 1,2 μs);
nodi per stabilizzare l'alimentazione interna;
circuito di protezione da minima tensione.

Inoltre, chip di nuova generazione MC33157DW, L6574, UBA2021, UBA2024, IR2157, IR2159, IR2166, IR2167, IR2520 implementa:

la possibilità di impostare il tempo di riscaldamento degli elettrodi luminosi;
la possibilità di impostare la velocità di accensione della lampada grazie all'introduzione di una frequenza di pilotaggio flottante;
la possibilità di impostare un ritardo per l'accensione degli interruttori di alimentazione;
protezione aggiuntiva contro la mancata accensione della lampada e l'inclusione di una modalità protettiva al momento del suo guasto;
protezione in caso di esaurimento degli elettrodi ad incandescenza e controllo della presenza di una lampada inserita;
protezione contro l'accensione a frequenza inferiore a quella di risonanza;
protezione contro la caduta di tensione di rete;
riavvio automatico in caso di breve interruzione della tensione di rete;
protezione contro il surriscaldamento del cristallo.

Aggiungiamo che il chip IR2159 lo è più debole - può regolare la luminosità della lampada (metodo di regolazione della fase).

I chip IR2166, IR2167 hanno un built-in correttore di fattore di potenza.

Autore: Koryakin-Chernyak S.L.

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Modificando la resistenza elettrica in risposta a un campo magnetico applicato, i materiali mostrano il fenomeno della magnetoresistenza. Nasce come risultato della curvatura delle traiettorie dei portatori di corrente nel materiale sotto l'influenza di un campo magnetico. Una manifestazione di questo fenomeno è la gigantesca magnetoresistenza. È stato trovato in materiali magnetici multistrato, in cui gli strati ferromagnetici erano separati da strati non magnetici larghi pochi nanometri, il che ha portato a una significativa diminuzione della resistenza elettrica. L'effetto si è rivelato molto più grande delle manifestazioni di magnetoresistenza conosciute a quel tempo, motivo per cui è stato chiamato "magnetoresistenza gigante" e ha trovato molte applicazioni nell'elettronica.

Ora, un team di fisici delle università del Regno Unito e di Singapore ha annunciato di aver scoperto il fenomeno della magnetoresistenza gigante nel grafene privo di difetti a strato singolo.
Il grafene è chiamato una delle modifiche del carbonio, un materiale spesso un atomo, caratterizzato da un'elevata mobilità dei portatori di carica - più di centomila centimetri quadrati per volt al secondo. Nel grafene privo di difetti, dove elettroni e lacune sono distribuiti uniformemente, si comportano come un plasma, dove elettroni e lacune senza massa si scontrano ad alta velocità. Presenta proprietà insolite, come la diffusione quantistica critica o persino caratteristiche idrodinamiche. Tuttavia, si sa poco sul comportamento dei plasmi di particelle nei campi magnetici.

Per il loro esperimento, i fisici hanno applicato un campo elettrico al grafene a strato singolo per confrontare il numero di elettroni e lacune. I fisici del grafene privi di difetti risultanti sono stati collocati in campi magnetici compresi tra 0,1 e 10 Tesla.

Con campi magnetici più piccoli applicati perpendicolarmente al campione di grafene, la resistenza è aumentata del 110 percento, quadraticamente con l'aumento del campo magnetico a una temperatura di 300 kelvin. In forti campi magnetici, la resistenza ha acquisito un carattere lineare e ha iniziato ad aumentare linearmente con la crescita del campo magnetico, e del 2 e dell'500%. Questo è di diversi ordini di grandezza superiore alla magnetoresistenza trovata in qualsiasi altro materiale a queste temperature.

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