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PAROLE ALATE, UNITÀ FRASEOLOGICHE
Elenco / Parole alate, unità fraseologiche / I primi diecimila

Parole alate, unità fraseologiche. Significato, storia d'origine, esempi d'uso

Parole alate, unità fraseologiche

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primi diecimila

Nathaniel Parker Willis
Nathaniel Parker Willis

Fraseologismo: I primi diecimila.

Significato: aristocrazia finanziaria.

origine: L'espressione appartiene al giornalista americano Nathaniel Parker Willis (1806-1867). Nel n. 31 del New York Evening Mirror, 11 novembre 1844, nell'articolo "Necessità di una passeggiata sul lungomare", scrisse: "Al momento non c'è distinzione tra i primi diecimila della città". Negli anni '40. 1888esimo secolo lo strato superiore della società americana ammontava effettivamente a circa diecimila persone. Questa espressione, che divenne alata, in Inghilterra ricevette la forma laconica "the upper ten". In America, fu sostituita dalla successiva "quattrocento", dopo che Charles H. Crandall pubblicò nel 1895 sul "New York Daily Tribune" il sensazionale intervista con il "legislatore" della società laica di New York, l'avvocato Mac Alistair (morto nel XNUMX), soprannominato "l'autocrate da salotto", affermò che c'erano solo circa quattrocento persone nella società newyorkese Worte).

Fraseologia casuale:

Rame squillante e cembalo sonoro.

Significato:

Di demagoghi, oratori di cui non ci si può fidare delle promesse, così come delle stesse promesse vuote, parole dietro le quali non ci sono né convinzioni sincere né fatti reali. L'analogo letterario delle espressioni colloquiali è "chiacchiere inattive", "chiacchiere inattive".

origine:

Dalla Bibbia. Nel Vangelo, nella prima epistola dell'apostolo Paolo ai Corinzi (13) si dice: «Se parlo le lingue degli uomini e degli angeli, ma non ho amore, allora io sono un bronzo squillante o un cembalo che suona." "Kimval" - un tamburello.

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Secondo gli scienziati, questi materiali possono essere utilizzati per realizzare circuiti elettronici lavorabili sottili come tre atomi, cosa impossibile nel caso del silicio. Lo spessore di tali circuiti è di circa 0,6-0,7 nm, mentre i transistor al silicio con uno spessore inferiore a 5 nm non possono essere resi operativi, poiché quando le dimensioni degli elementi diminuiscono, le proprietà del materiale cambiano in modo indesiderato.

Un importante vantaggio dei diseleniuri di afnio e zirconio, che li rende legati al silicio, è la capacità di ossidarsi, formando un film isolante. Inoltre, in termini di costante dielettrica, questo film supera il biossido di silicio. Altri semiconduttori devono essere ricoperti con uno strato dielettrico, che è associato a ulteriori difficoltà tecniche.

Per funzionare, i dispositivi elettronici realizzati con nuovi materiali richiederanno ancora meno energia rispetto ai circuiti in silicio. Più in particolare, il gap di banda dei diseleniuri di afnio e zirconio, come il silicio, è nell'intervallo ottimale: se fosse più stretto, elevate correnti di dispersione impedirebbero un funzionamento affidabile e, se fosse più ampio, aumenterebbe il consumo di energia.

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