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Applicazione dei componenti per smartphone modulari Ara per l'elettronica indossabile

27.04.2014

Google ha pubblicato la prima bozza delle specifiche del Project Ara Module Developers Kit (MDK). Le specifiche forniscono i requisiti per i componenti comuni: display, processori, batterie, chipset wireless e così via. Il primo smartphone modulare dovrebbe apparire all'inizio del 2015.

Project Ara in futuro potrebbe riguardare non solo gli smartphone. In particolare, Shardul Kazi, Chief Technology Officer e Senior Vice President di Toshiba, ha parlato alla Developers Conference della sua visione di come implementare il nuovo concetto. Shardul Kazi ritiene che i componenti modulari di Ara possano essere utilizzati anche per creare vari dispositivi elettronici indossabili, come gli smartwatch.

La diapositiva mostrava come uno dei moduli dello smartphone Ara sia inserito in un dispositivo indossabile realizzato a forma di braccialetto. Il modulo di esempio includeva un chip core Cortex-M4F, un accelerometro e un adattatore Bluetooth LE. Come ha chiarito Kazi, questa è solo una possibile implementazione del concetto. Vale la pena notare che Toshiba è uno dei partner di Google nel progetto Ara.

In ogni caso, anche il primo smartphone realizzato nell'ambito del progetto Ara difficilmente sarà un prodotto davvero di massa. Ed è troppo presto per discutere la possibilità di utilizzare alcuni dei suoi moduli in altri dispositivi. Inoltre, l'attuazione di tale idea richiederà il supporto di molte aziende. Pertanto, per ora, stiamo parlando solo di un altro concetto.

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Contenuto alcolico della birra calda 07.05.2024

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Magnetismo del rame per la memoria a livello atomico 20.11.2018

I ricercatori di IBM - Christopher Lutz (Christopher Lutz) e Kai Yang (Kai Yang) hanno parlato dell'esperienza unica di studiare il magnetismo dell'atomo di rame. In senso tradizionale, il rame non è un materiale magnetico, ma in determinate condizioni i suoi atomi possono mostrare magnetizzazione. La principale di queste condizioni è l'isolamento dell'atomo di rame da altri atomi di rame. Un microscopio a scansione tunnel (STM) ha aiutato gli scienziati a condurre un tale esperimento, la cui sonda consente non solo di "vedere" una particella elementare delle dimensioni di un atomo, ma anche di spostarla da un luogo all'altro.

Dopo aver studiato un atomo di rame isolato, si è scoperto che l'orientamento magnetico del nucleo è correlato all'orientamento magnetico di un elettrone situato all'esterno del nucleo. Questa connessione consente di leggere o scrivere dati modificando l'orientamento del campo magnetico del nucleo dell'atomo di rame utilizzando una tensione applicata alla sonda STM. Il rame è stato scelto per la nuova memoria a causa della sua migliore conduttività di corrente rispetto al ferro.

È interessante notare che il metodo proposto di registrazione dei dati sotto forma di modifica dell'orientamento del campo magnetico di un atomo di rame ha un vantaggio in più rispetto, ad esempio, alla memoria magnetoresistiva convenzionale. Quindi, se la cella MRAM memorizza i dati sotto forma di magnetizzazione in due possibili direzioni, l'atomo di rame ha quattro stati quantistici stabili della direzione del campo magnetico. In poche parole, una cella di memoria di un atomo di rame può memorizzare quattro bit di dati.

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