ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA Amplificatore. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Amplificatori di potenza RF L'amplificatore di potenza è stato progettato specificatamente per il funzionamento del QRP sulle bande basse. Potenza in uscita con un carico di 50 ohm - 10 watt. Grazie al feedback negativo (NFB) introdotto, la sua risposta in ampiezza-frequenza (AFC) è uniforme fino a 21 MHz e ad una frequenza di 30 MHz si registra un calo di -3 dB. Una caratteristica del circuito è l'assenza di trasformatori di adattamento tra gli stadi. Resistenza di carico ottimale (RH) - 50 ... 150 Ohm. Valori inferiori di RH portano a una violazione del regime termico dei transistor di uscita. Con una potenza di uscita di 10 W, il coefficiente di distorsione di intermodulazione è -43 dB, a 5 W -52 dB. La sensibilità dell'amplificatore è di 50 mV e può essere consigliato per l'uso con progetti noti come "percorso a scheda singola", "Radio-76", ecc. Lo schema elettrico dell'amplificatore è mostrato in Fig. 1 e la Fig. 2 mostra il circuito di alimentazione. La tensione di ingresso è amplificata dal transistor VT1. R6, C2 collegati in serie nel circuito di retroazione equalizzano la risposta in frequenza dello stadio di ingresso. I transistor VT2 e VT3 - inseguitori dell'emettitore - abbinano l'amplificatore di ingresso con una bassa impedenza di ingresso dello stadio finale. Sul transistor VT4 è montato un amplificatore intermedio operante in classe "A". I diodi VD1 ... VD4 impostano la corrente iniziale dello stadio di uscita sui transistor VT5 e VT6. Lo stadio finale ha una bassa impedenza di uscita, quindi è installato un trasformatore RF con un rapporto di trasformazione di 1: 2 in tensione per adattarsi al carico. I diodi VD5 e VD6 sono progettati per proteggere i transistor di uscita dalla sovratensione. L'amplificatore finale è coperto da un circuito OOS composto da C15, R12 e R11. La profondità dell'OOS è di circa 10 dB. Per il normale funzionamento dell'amplificatore di potenza, è molto importante che la tensione di alimentazione VT4 sia esattamente la metà della tensione di alimentazione (Upit) dei transistor dello stadio di uscita VT5, VT6. La commutazione della modalità "ricezione-trasmissione" viene eseguita commutando la tensione di alimentazione dello stadio di ingresso VT1, VT2 e la polarizzazione sul transistor VT4. In questo schema, la manipolazione del telegrafo è facilmente implementabile. È realizzato sul transistor VT7. In modalità SSB, il transistor VT7 è aperto e + 12V viene fornito allo stadio di ingresso. In modalità CW, VT7 si apre solo quando viene premuto il tasto del telegrafo. Il bordo anteriore del messaggio telegrafico è impostato (determinato) dalla catena R26, C22 e dal bordo posteriore - C22, R25. L'assemblaggio dell'amplificatore può essere effettuato mediante montaggio incernierato "in un righello" o su un circuito stampato realizzato in lamina di fibra di vetro a doppia faccia, uno dei cui lati funge da schermo (dal lato dove sono gli elementi installato). È necessario garantire che la capacità di montaggio dei circuiti di base dei transistor VT3, VT5 e VT6 sia minima. Transistori VT3, VT4. VT5 e VT6 sono installati su un radiatore comune. La configurazione dell'amplificatore si riduce, prima di tutto, al controllo e all'impostazione delle modalità per la corrente continua. Innanzitutto, è collegata una sorgente di + 12V e + 12V TX. La selezione di R2 imposta la tensione + 6V sul collettore del transistor VT1. Con i transistor riparabili VT2 e VT3, la tensione sull'emettitore VT3 sarà + 4,6 V. Quindi viene collegata la sorgente + 25V e selezionando il resistore R17 la corrente di riposo del transistor VT4 viene impostata entro 70 ... 80 mA. Solo dopo aver effettuato le impostazioni, viene applicata una tensione di + 50V e selezionando il tipo e il numero di diodi VD1 ... VD4, la corrente di riposo dei transistor di uscita VT5 e VT6 viene impostata su 40 - 60 mA. Quando viene applicato un segnale di ingresso, la corrente dei transistor di uscita aumenta a 300 - 400 mA. La tensione RF ad un carico di 75 ohm ad una frequenza di 1,9 MHz è di almeno 28 Veff. Il diagramma (Fig. 1) mostra i livelli di tensione RF sui singoli elementi del circuito. L'alimentatore dell'amplificatore di potenza (Fig. 2) è assemblato su circuiti integrati KREN12. La tensione di uscita è regolata dai resistori R3, R4.
Gli elementi mancanti possono essere sostituiti da VT 1 - KT325, KT399, KT316, ecc. Il condensatore C18 è composto da diversi condensatori ceramici di diverse capacità. Il trasformatore T1 è avvolto con filo doppio twistato PEV-2 - 0,51 su nucleo toroidale in ferrite 600NN KZ 2x16x6 mm. Il passo di torsione è di un giro ogni 2 cm. Contiene 10 ... 15 giri. Si nota che l'avvolgimento del trasformatore su una tazza di ferrite migliora la risposta in frequenza dell'amplificatore. L'amplificatore ha una buona ripetibilità e un'elevata affidabilità operativa. Autore: M. Roslanov, UA4UDF, Saransk; Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru Vedi altri articoli sezione Amplificatori di potenza RF. Leggere e scrivere utile commenti su questo articolo. Ultime notizie di scienza e tecnologia, nuova elettronica: Macchina per diradare i fiori nei giardini
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