Amplificatore di potenza per ricetrasmettitore QRP. Schema, descrizione

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Amplificatore di potenza per ricetrasmettitore QRP. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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L'amplificatore è progettato per funzionare insieme a un ricetrasmettitore a bassa potenza (fino a 1 W). Il suo schema elettrico è mostrato in Fig. 1. È costituito da due stadi di amplificazione e fornisce una potenza di uscita fino a 50 W su una banda di frequenza da 3,5 a 30 MHz.

Il primo stadio è realizzato su un transistor ad effetto di campo con gate isolato 2P909A, funzionante in modalità sottotensione. Il secondo stadio è costruito sul gruppo transistor KT9105AS, costituito da due transistor al silicio di piccole dimensioni, elevata affidabilità operativa e bassa tensione di alimentazione.

Una caratteristica speciale di questo amplificatore è l'uso simultaneo di transistor bipolari e ad effetto di campo. Questa combinazione fornisce caratteristiche di rumore e linearità migliorate rispetto all'utilizzo dei soli transistor bipolari e, rispetto all'utilizzo dei soli transistor ad effetto di campo, migliori caratteristiche di potenza dell'amplificatore.

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Il secondo stadio è realizzato secondo un circuito di aggiunta di potenza, che riduce le oscillazioni indesiderate del secondo e terzo ordine nello spettro del segnale e non è particolarmente sensibile al disadattamento del carico.

L'amplificatore ha cascate ben isolate dall'influenza reciproca. In combinazione con la connessione sequenziale dei transistor all'ingresso e all'uscita nel secondo stadio con la stessa potenza oscillatoria, le resistenze di ingresso e di carico risultanti aumentano di quattro volte. Per aumentare la resistenza di ingresso e di carico dell'amplificatore, all'ingresso e all'uscita sono inclusi trasformatori con ingresso e uscita simmetrici T2, T3. Per la transizione a circuiti esterni asimmetrici vengono utilizzati trasformatori T1, T4 con un rapporto spire di 1:1. L'uso di trasformatori a banda larga fornisce l'adattamento necessario e consente il funzionamento nella gamma di frequenza da 3,5 a 30 MHz senza regolazione meccanica. All'uscita dell'amplificatore sono inclusi blocchi di filtri passa-basso.

Il trasformatore T1 è realizzato su un nucleo magnetico ad anello (K10x5x3) in ferrite M400NN - M600NN. I suoi avvolgimenti contengono 12 spire. L'avvolgimento viene effettuato con due fili bifilari twistati PEV-2 0,3.Il trasformatore T2 è realizzato su un anello di ferrite (M600NN) di dimensioni standard K17x7x6. L'avvolgimento 9-10, avvolto per primo, contiene un giro di filo MGTF 12x0,075, il resto - 4 giri di fili MGTF 12x0,075 ritorti bifilarmente. Il trasformatore TZ è realizzato sullo stesso nucleo magnetico di T2. I suoi avvolgimenti contengono 3 spire di fili bifilari twistati MGTF 19x0,12. Il trasformatore T4 è realizzato su due nuclei magnetici toroidali da 50VCh2 di dimensioni standard K17x7x7. L'avvolgimento è realizzato con quattro fili MGTF 19x0,12 twistati bifilarmente (due per avvolgimento), il numero di spire è 9. Il passo di torsione dei fili in tutti i trasformatori è di 5 mm.

Gli induttori L1 - L5 sono avvolti su un nucleo magnetico toroidale (K 10x6x3) in ferrite M1000NN. L1 contiene 4 giri di filo PEV-2 0,3, L2, L3 (entrambi su un anello) - 3 giri ciascuno, - e L4, L5 (anche su un anello) - 2 giri di filo PEV-2 0,49. Prima dell'avvolgimento, gli anelli delle induttanze e dei trasformatori vengono trattati con una lima e rivestiti con vernice nitro o colla BF. È possibile utilizzare anche induttanze già pronte: L1 - con induttanza 15...20 µH, L2, L3 - 10 µH, L4, L5 - 5 µH.

Il conduttore che collega il gate del transistor VT1 con altre parti viene fatto passare attraverso tre anelli di ferrite (M1000NN), il cui diametro interno è uguale al diametro del filo. Gli stessi anelli sono installati su entrambe le estremità del conduttore (tre su ciascuna) che va dal terminale 9 del trasformatore T2 al condensatore C2. I nuclei magnetici sono fissati con colla BF.

L'amplificatore è montato su una scheda di 110x180 mm realizzata in lamina di fibra di vetro con uno spessore di 1,5...2 mm. Le dimensioni della scheda possono essere ridotte se si utilizzano moderni resistori e condensatori di piccole dimensioni.

Innanzitutto, sulla scheda vengono installati i trasformatori, viene verificata l'affidabilità della saldatura e l'assenza di cortocircuiti con il filo comune sulla scheda. Successivamente sulla scheda viene posizionato il transistor KT9125AC e poi tutte le altre parti. Durante l'assemblaggio finale, verificare l'affidabilità del fissaggio dei transistor, in particolare del KT9125AS, al dissipatore di calore (è installato sul lato della scheda privo di parti, dimensioni non inferiori a 150x100 mm).

La configurazione dell'amplificatore inizia con il controllo delle correnti nei punti di controllo e la selezione dei resistori appropriati. Le correnti in ogni stadio vengono impostate in assenza di un segnale di ingresso. Il condensatore C 16 è selezionato per la massima potenza di uscita. Utilizzando le parti indicate nel diagramma, la risposta in frequenza dell'amplificatore si è rivelata ottimale per il funzionamento nell'intervallo 3,5...30 MHz.

Autore: Gennady Osipov (RV3AK), Mosca; Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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