Amplificatori di potenza a banda larga su transistor ad effetto di campo. Schema, descrizione

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Amplificatori di potenza a banda larga su transistor ad effetto di campo. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Amplificatori di potenza RF

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Amplificatore di potenza con neutralizzazione della capacità di passaggio del transistor

Un amplificatore single-ended di questo tipo può funzionare solo in classe A. Le sue prestazioni energetiche sono simili a quelle degli amplificatori a trasformatore single-ended a bassa frequenza. Il valore di efficienza tipico di solito non supera il 35...40% (allo stesso tempo, le distorsioni non lineari, causate principalmente dalla seconda armonica, sono piuttosto evidenti). L'amplificatore basato sul transistor VMP1 a Uc=24 V fornisce Pout=4 W a Ku=15 dB e la banda di frequenza amplificata da 2 a 150 MHz.

Fig.1 (clicca per ingrandire)

T1 è avvolto con una torsione di due fili con un diametro di 0.3 mm e contiene 4 giri. Tipo di nucleo F625-BQ2. È possibile utilizzare un anello RF domestico con bassa permeabilità magnetica.

Amplificatore di potenza con circuito di feedback negativo in parallelo

Questa versione dell'amplificatore senza trasformatore di ingresso e senza neutralizzazione della capacità SZS ha metà della larghezza di banda.

Amplificatori di potenza a banda larga basati su transistor ad effetto di campo
Ris.2

Varie varianti di tali amplificatori (a seconda del design dei trasformatori e dei transistor utilizzati) forniscono un guadagno Ku=12...30 dB nella banda di frequenza fino a 300 MHz con una figura di rumore di 3...5 dB.

Amplificatore di potenza a banda larga push-pull

Un miglioramento significativo dei parametri energetici della PA a banda larga è possibile solo quando si utilizzano cascate push-pull operanti in modalità di classe AB. Questa versione del circuito è mostrata in Fig.3. A K=15 dB nella banda 2...100 MHz, fornisce Рout=8 W. L'impedenza di ingresso e di uscita dell'amplificatore è di 50 ohm.

Amplificatori di potenza a banda larga basati su transistor ad effetto di campo
Ris.3

I condensatori Cn sono usati per la neutralizzazione. Gli sviluppatori di questo amplificatore raccomandano di ridurre l'induttanza parassita del resistore R2 collegando in parallelo quattro o cinque resistori più grandi. Al contrario, per ridurre la capacità parassita dei resistori R1 e R4, è consigliabile realizzarli sotto forma di più resistori collegati in serie di potenza inferiore.

I trasformatori sono realizzati in modo simile al circuito di Fig. 1 (torsione di 3 fili - 4 spire). Il tipo di transistor ad effetto di campo non è indicato nell'articolo (penso che tu possa usare transistor del tipo KP901).

Letteraturaа

1. Rivista EDN, 20 giugno 1974, p.71-75.
2. Circuito di dispositivi basati su potenti transistor ad effetto di campo. Directory. ed. VP Dyakonova.

Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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