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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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Potenti transistor a microonde Philips Semiconductors. Dati di riferimento

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I transistor a microonde sono utilizzati in molte aree dell'attività umana: trasmettitori di trasmissioni televisive e radiofoniche, ripetitori, radar civili e militari, stazioni base di un sistema di comunicazione cellulare, avionica, ecc.

Negli ultimi anni si è assistito ad una notevole tendenza al passaggio dalla tecnologia bipolare per la produzione di transistor a microonde alle tecnologie VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) e LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). La tecnologia LDMOS più avanzata ha le migliori caratteristiche come linearità, guadagno, prestazioni termiche, tolleranza di mismatch, alta efficienza, margine di dissipazione di potenza, affidabilità. I transistor Philips sono estremamente ripetibili da un lotto all'altro e Philips ne è orgogliosa. Quando si sostituiscono i transistor guasti, non è necessario preoccuparsi del processo di riconfigurazione dell'apparecchiatura, poiché tutti i parametri dei transistor sono assolutamente identici. Nessuno dei concorrenti Philips può vantarsene.

Tutti i nuovi sviluppi Philips si basano sulla nuova moderna tecnologia LDMOS.

Transistori per stazioni base cellulari

Oltre ai transistor confezionati in custodie, Philips produce moduli integrati.

Tabella 1. Transistori LDMOS 800MHz-1,0GHz
tipobroncio, Walloggiamento
BLF1043 10 SOT538
BLF1046 45 SOT467
BLF1049 125 SOT502A
BLF0810-90 16 SOT502A
BLF0810-180 32 SOT502A
BLF900-110 25 SOT502A


Tabella 2. Transistori LDMOS 1,8 - 2,0 GHz
tipobroncio, Walloggiamento
BLF2043 10 SOT538
BLF1822-10 10 SOT467C
BLF1822-30 30 SOT467C
BLF1820-70 65 SOT502A
BLF1820-90 90 SOT502A


Tabella 3. Transistor LDMOS 2,0 - 2,2 GHz per WCDMA
tipoPavg WCDMA, Walloggiamento
BLF1822-10 1 SOT467C
BLF1822-30 4 SOT467C
BLF202230   SOT608A
BLF2022-70 7,5 SOT502A
BLF2022-120 20 SOT539A
BLF2022-125 20 SOT634A
BLF2022-150 25 SOT634A
BLF2022-180 35 SOT539A
Tabella 4. Moduli integrati principali
tipobroncio, WТехнологияfrequenzaambito di applicazione
BGY916 19 BIPOLARE 900 MHz GSM
BGY916/5 19 BIPOLARE 900 MHz GSM
BGY925 23 BIPOLARE 900 MHz GSM
BGY925/5 23 BIPOLARE 900 MHz GSM
BGY2016 19 BIPOLARE 1800-2000 MHz GSM
BGF802-20 4 LDMOS 900-900 MHz CDMA
GFA 844 20 LDMOS 800-900 MHz GSM/EDGE (Stati Uniti)
BGF944 20 LDMOS 900-1000 MHz GSM/EDGE (EUROPA)
BGF1801-10 10 LDMOS 1800-1900 MHz GSM/EDGE (EUROPA)
BGF1901-10 10 LDMOS 1900-2000 MHz GSM/EDGE (Stati Uniti)

Caratteristiche distintive dei moduli integrati:

  • Tecnologia LDMOS (saldatura diretta al dissipatore, linearità, maggiore guadagno), o minore distorsione,
  • minor riscaldamento del semiconduttore grazie all'uso di una flangia in rame, o compensazione integrata dell'offset di temperatura,
  • Ingressi/uscite da 50 ohm,
  • guadagno lineare,
  • supporto per molti standard (EDGE, CDMA).

Soluzioni consigliate per standard GSM: a 800 MHz: BGF844 + BLF1049 a 900 MHz: BGF944 + BLF1049 a 1800 MHz: BGF1801-10 + BLF1820-10 a 1900 MHz: BGF1901-10 + BLF1820-10

Soluzioni consigliate per standard CDMA: a 800 MHz: BGF802-20 + BLF0810-180 a 1900 MHz: BGF1901-10 + BLF1820-90

Soluzioni consigliate per lo standard EDGE:

BGF0810-90

  • potenza di uscita: 40 W,
  • guadagno: 16 dB,
  • Efficienza: 37%,
  • Attenuazione di potenza del canale adiacente ACPR: -60dB,
  • Ampiezza del vettore di errore EVM: 2%.

BLF1820-90

  • potenza di uscita: 40 W,
  • guadagno: 12 dB,
  • Efficienza: 32%,
  • Attenuazione di potenza del canale adiacente ACPR: -60dB,
  • Ampiezza del vettore di errore EVM: 2%.

Transistori per emittenti

Negli ultimi 25 anni, Philips ha mantenuto la sua leadership in questo campo. L'utilizzo degli ultimi progressi nella tecnologia LDMOS (BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx, serie) ti consente di rafforzare costantemente la tua posizione sul mercato. Un esempio è l'enorme successo del transistor BLF861 per trasmettitori TV. A differenza dei transistor della concorrenza, il BLF861 si è dimostrato un elemento altamente affidabile e altamente stabile, protetto da guasti quando l'antenna è scollegata. Nessuno dei concorrenti poteva avvicinarsi alle caratteristiche del BLF861 in termini di stabilità. Possiamo citare i principali campi di applicazione di tali transistor: trasmettitori per frequenze da HF a 800 MHz, stazioni radio private PMR (TETRA), trasmettitori VHF per scopi civili e militari.

Tabella 5. Transistor radar in banda L e S

 tipoF, GHzVcc, BTp, msCoeff. Riempimento, %Potenza, WEfficienza,%Guadagno, dB
Banda L RZ1214B35Y 1,2-1,4 50 150 5 > 35 > 30 >7
RZ1214B65Y 1,2-1,4 50 150 5 > 70 > 35 >7
RX1214B130Y 1,2-1,4 50 150 5 > 130 > 35 >7
RX1214B170W 1,2-1,4 42 500 10 > 170 > 40 >6
RX1214B300Y 1,2-1,4 50 150 5 > 250 > 35 >7
RX1214B350Y 1,2-1,4 50 130 6 > 280 > 40 >7
Bill 21435 1,2-1,4 36 100 10 > 35 45 > 13
BLL1214-250 1,2-1,4 36 100 10 > 250 45 > 13
Banda S BLS2731-10 2,7-3,1 40 100 10 > 10 45 9
BLS2731-20 2,7-3,1 40 100 10 > 20 40 8
BLS2731-50 2,7-3,1 40 100 10 > 50 40 9
BLS2731-110 2,7-3,1 40 100 10 > 110 40 7,5
Banda S superiore BLS3135-10 3,1-3,5 40 100 10 > 10 40 9
BLS3135-20 3,1-3,5 40 100 10 > 20 40 8
BLS3135-50 3,1-3,5 40 100 10 > 50 40 8
BLS3135-65 3,1-3,5 40 100 10 > 65 40 >7

 

Tabella 6. Transistori avionici

 tipoF,GHzVcc, BTp, msCoeff. Riempimento, %Potenza, WEfficienza,%Guadagno, dB
BIPOLARE MZ0912B50Y 0,96-1,215 50 10 10 > 50 > 42 >7
MX0912B100Y 0,96-1,215 50 10 10 > 100 > 42 >7
MX0912B251Y 0,96-1,215 50 10 10 > 235 > 42 >7
MX0912B351Y 0,96-1,215 42 10 10 > 325 > 40 >7
LDMOS

vds




BLA1011-200 1,03-1,09 36 50 1 > 200 50 15
BLA1011-10 1,03-1,09 36 50 1 > 10 40 16
BLA1011-2 1,03-1,09 36 50 1 >2 - 18

Le principali caratteristiche del transistor BLF861A

  • Transistor push-pull (amplificatore push-pull),
  • potenza di uscita superiore a 150 W,
  • guadagno oltre 13 dB,
  • Efficienza oltre il 50%,
  • copre la banda da 470 a 860 MHz (bande IV e V),
  • affidabile, resistente al mismatch,
  • resistente alla disconnessione dell'antenna,
  • è oggi lo standard industriale nei trasmettitori TV.

Nuovo modello a transistor BLF647

  • progettato sulla base di BLF861A,
  • grande guadagno di 16 dB a 600 MHz,
  • potenza di uscita fino a 150 W,
  • copre la banda da 1,5 a 800 MHz,
  • affidabile, resistente al mismatch,
  • resistente alla disconnessione dell'antenna,
  • ha una resistenza incorporata che permette di lavorare a frequenze HF e VHF,
  • Transistor push-pull (amplificatore push-pull).

Transistor BLF872

  • è stato sviluppato come sostituto più potente del BLF861A,
  • inizio produzione 1° trimestre 2004,
  • potenza di uscita fino a 250 W,
  • il transistor più affidabile in termini di resistenza al mismatch,
  • mantiene la linearità,
  • mantiene l'affidabilità,
  • spostamento attuale Idq inferiore al 10% per 20 anni,
  • guadagnare più di 14 dB,
  • copre la banda da 470 a 860 MHz.

Transistori per radar e avionica

Anche i nuovi transistor Philips per radar e avionica sono realizzati utilizzando la tecnologia LDMOS all'avanguardia. I cristalli realizzati con la tecnologia LDMOS si riscaldano meno, sono più affidabili, hanno un'amplificazione maggiore e non richiedono un isolante tra il substrato e il dissipatore di calore. Di conseguenza, sono necessari meno transistor per ottenere le stesse prestazioni, migliorando ulteriormente l'affidabilità e riducendo i costi del prodotto.

Nuovi sviluppi:

BLA0912-250

  • banda da 960 a 1250 MHz (tutte le principali frequenze dell'avionica),
  • alto guadagno fino a 13 dB,
  • affidabilità, resistenza allo sfasamento 5:1,
  • linearità,
  • i campioni saranno disponibili da giugno 2003.

BLS2934-100

  • banda da 2,9 a 3,4 GHz (tutte le principali frequenze dell'avionica),
  • utilizzo di una custodia standard non pressurizzata,
  • i campioni saranno disponibili entro la fine del 2003.

Per riassumere, Philips è al passo con i tempi e offre transistor che abilitano nuovi dispositivi con caratteristiche migliori: dimensioni più ridotte, maggiore potenza in uscita, meno componenti delle tubazioni e costi del prodotto finale inferiori.

Autore: Vladimir Zakharov, zww@gamma.spb.ru; Pubblicazione: cxem.net

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