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Potenti transistor a microonde Philips Semiconductors. Dati di riferimento
Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / materiali di riferimento
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I transistor a microonde sono utilizzati in molte aree dell'attività umana: trasmettitori di trasmissioni televisive e radiofoniche, ripetitori, radar civili e militari, stazioni base di un sistema di comunicazione cellulare, avionica, ecc.
Negli ultimi anni si è assistito ad una notevole tendenza al passaggio dalla tecnologia bipolare per la produzione di transistor a microonde alle tecnologie VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) e LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). La tecnologia LDMOS più avanzata ha le migliori caratteristiche come linearità, guadagno, prestazioni termiche, tolleranza di mismatch, alta efficienza, margine di dissipazione di potenza, affidabilità. I transistor Philips sono estremamente ripetibili da un lotto all'altro e Philips ne è orgogliosa. Quando si sostituiscono i transistor guasti, non è necessario preoccuparsi del processo di riconfigurazione dell'apparecchiatura, poiché tutti i parametri dei transistor sono assolutamente identici. Nessuno dei concorrenti Philips può vantarsene.
Tutti i nuovi sviluppi Philips si basano sulla nuova moderna tecnologia LDMOS.
Transistori per stazioni base cellulari
Oltre ai transistor confezionati in custodie, Philips produce moduli integrati.
Tabella 1. Transistori LDMOS 800MHz-1,0GHz tipo | broncio, W | alloggiamento |
---|
BLF1043 |
10 |
SOT538 |
BLF1046 |
45 |
SOT467 |
BLF1049 |
125 |
SOT502A |
BLF0810-90 |
16 |
SOT502A |
BLF0810-180 |
32 |
SOT502A |
BLF900-110 |
25 |
SOT502A |
Tabella 2. Transistori LDMOS 1,8 - 2,0 GHz
tipo | broncio, W | alloggiamento |
---|
BLF2043 |
10 |
SOT538 |
BLF1822-10 |
10 |
SOT467C |
BLF1822-30 |
30 |
SOT467C |
BLF1820-70 |
65 |
SOT502A |
BLF1820-90 |
90 |
SOT502A |
Tabella 3. Transistor LDMOS 2,0 - 2,2 GHz per WCDMA
tipo | Pavg WCDMA, W | alloggiamento |
---|
BLF1822-10 |
1 |
SOT467C |
BLF1822-30 |
4 |
SOT467C |
BLF202230 |
|
SOT608A |
BLF2022-70 |
7,5 |
SOT502A |
BLF2022-120 |
20 |
SOT539A |
BLF2022-125 |
20 |
SOT634A |
BLF2022-150 |
25 |
SOT634A |
BLF2022-180 |
35 |
SOT539A |
Tabella 4. Moduli integrati principalitipo | broncio, W | Технология | frequenza | ambito di applicazione |
---|
BGY916 |
19 |
BIPOLARE |
900 MHz |
GSM |
BGY916/5 |
19 |
BIPOLARE |
900 MHz |
GSM |
BGY925 |
23 |
BIPOLARE |
900 MHz |
GSM |
BGY925/5 |
23 |
BIPOLARE |
900 MHz |
GSM |
BGY2016 |
19 |
BIPOLARE |
1800-2000 MHz |
GSM |
BGF802-20 |
4 |
LDMOS |
900-900 MHz |
CDMA |
GFA 844 |
20 |
LDMOS |
800-900 MHz |
GSM/EDGE (Stati Uniti) |
BGF944 |
20 |
LDMOS |
900-1000 MHz |
GSM/EDGE (EUROPA) |
BGF1801-10 |
10 |
LDMOS |
1800-1900 MHz |
GSM/EDGE (EUROPA) |
BGF1901-10 |
10 |
LDMOS |
1900-2000 MHz |
GSM/EDGE (Stati Uniti) |
Caratteristiche distintive dei moduli integrati:
- Tecnologia LDMOS (saldatura diretta al dissipatore, linearità, maggiore guadagno), o minore distorsione,
- minor riscaldamento del semiconduttore grazie all'uso di una flangia in rame, o compensazione integrata dell'offset di temperatura,
- Ingressi/uscite da 50 ohm,
- guadagno lineare,
- supporto per molti standard (EDGE, CDMA).
Soluzioni consigliate per standard GSM: a 800 MHz: BGF844 + BLF1049 a 900 MHz: BGF944 + BLF1049 a 1800 MHz: BGF1801-10 + BLF1820-10 a 1900 MHz: BGF1901-10 + BLF1820-10
Soluzioni consigliate per standard CDMA: a 800 MHz: BGF802-20 + BLF0810-180 a 1900 MHz: BGF1901-10 + BLF1820-90
Soluzioni consigliate per lo standard EDGE:
BGF0810-90
- potenza di uscita: 40 W,
- guadagno: 16 dB,
- Efficienza: 37%,
- Attenuazione di potenza del canale adiacente ACPR: -60dB,
- Ampiezza del vettore di errore EVM: 2%.
BLF1820-90
- potenza di uscita: 40 W,
- guadagno: 12 dB,
- Efficienza: 32%,
- Attenuazione di potenza del canale adiacente ACPR: -60dB,
- Ampiezza del vettore di errore EVM: 2%.
Transistori per emittenti
Negli ultimi 25 anni, Philips ha mantenuto la sua leadership in questo campo. L'utilizzo degli ultimi progressi nella tecnologia LDMOS (BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx, serie) ti consente di rafforzare costantemente la tua posizione sul mercato. Un esempio è l'enorme successo del transistor BLF861 per trasmettitori TV. A differenza dei transistor della concorrenza, il BLF861 si è dimostrato un elemento altamente affidabile e altamente stabile, protetto da guasti quando l'antenna è scollegata. Nessuno dei concorrenti poteva avvicinarsi alle caratteristiche del BLF861 in termini di stabilità. Possiamo citare i principali campi di applicazione di tali transistor: trasmettitori per frequenze da HF a 800 MHz, stazioni radio private PMR (TETRA), trasmettitori VHF per scopi civili e militari.
Tabella 5. Transistor radar in banda L e S
| tipo | F, GHz | Vcc, B | Tp, ms | Coeff. Riempimento, % | Potenza, W | Efficienza,% | Guadagno, dB |
---|
Banda L |
RZ1214B35Y |
1,2-1,4 |
50 |
150 |
5 |
> 35 |
> 30 |
>7 |
RZ1214B65Y |
1,2-1,4 |
50 |
150 |
5 |
> 70 |
> 35 |
>7 |
RX1214B130Y |
1,2-1,4 |
50 |
150 |
5 |
> 130 |
> 35 |
>7 |
RX1214B170W |
1,2-1,4 |
42 |
500 |
10 |
> 170 |
> 40 |
>6 |
RX1214B300Y |
1,2-1,4 |
50 |
150 |
5 |
> 250 |
> 35 |
>7 |
RX1214B350Y |
1,2-1,4 |
50 |
130 |
6 |
> 280 |
> 40 |
>7 |
Bill 21435 |
1,2-1,4 |
36 |
100 |
10 |
> 35 |
45 |
> 13 |
BLL1214-250 |
1,2-1,4 |
36 |
100 |
10 |
> 250 |
45 |
> 13 |
Banda S |
BLS2731-10 |
2,7-3,1 |
40 |
100 |
10 |
> 10 |
45 |
9 |
BLS2731-20 |
2,7-3,1 |
40 |
100 |
10 |
> 20 |
40 |
8 |
BLS2731-50 |
2,7-3,1 |
40 |
100 |
10 |
> 50 |
40 |
9 |
BLS2731-110 |
2,7-3,1 |
40 |
100 |
10 |
> 110 |
40 |
7,5 |
Banda S superiore |
BLS3135-10 |
3,1-3,5 |
40 |
100 |
10 |
> 10 |
40 |
9 |
BLS3135-20 |
3,1-3,5 |
40 |
100 |
10 |
> 20 |
40 |
8 |
BLS3135-50 |
3,1-3,5 |
40 |
100 |
10 |
> 50 |
40 |
8 |
BLS3135-65 |
3,1-3,5 |
40 |
100 |
10 |
> 65 |
40 |
>7 |
Tabella 6. Transistori avionici
| tipo | F,GHz | Vcc, B | Tp, ms | Coeff. Riempimento, % | Potenza, W | Efficienza,% | Guadagno, dB |
---|
BIPOLARE |
MZ0912B50Y |
0,96-1,215 |
50 |
10 |
10 |
> 50 |
> 42 |
>7 |
MX0912B100Y |
0,96-1,215 |
50 |
10 |
10 |
> 100 |
> 42 |
>7 |
MX0912B251Y |
0,96-1,215 |
50 |
10 |
10 |
> 235 |
> 42 |
>7 |
MX0912B351Y |
0,96-1,215 |
42 |
10 |
10 |
> 325 |
> 40 |
>7 |
LDMOS |
|
|
vds |
|
|
|
|
|
BLA1011-200 |
1,03-1,09 |
36 |
50 |
1 |
> 200 |
50 |
15 |
BLA1011-10 |
1,03-1,09 |
36 |
50 |
1 |
> 10 |
40 |
16 |
BLA1011-2 |
1,03-1,09 |
36 |
50 |
1 |
>2 |
- |
18 |
Le principali caratteristiche del transistor BLF861A
- Transistor push-pull (amplificatore push-pull),
- potenza di uscita superiore a 150 W,
- guadagno oltre 13 dB,
- Efficienza oltre il 50%,
- copre la banda da 470 a 860 MHz (bande IV e V),
- affidabile, resistente al mismatch,
- resistente alla disconnessione dell'antenna,
- è oggi lo standard industriale nei trasmettitori TV.
Nuovo modello a transistor BLF647
- progettato sulla base di BLF861A,
- grande guadagno di 16 dB a 600 MHz,
- potenza di uscita fino a 150 W,
- copre la banda da 1,5 a 800 MHz,
- affidabile, resistente al mismatch,
- resistente alla disconnessione dell'antenna,
- ha una resistenza incorporata che permette di lavorare a frequenze HF e VHF,
- Transistor push-pull (amplificatore push-pull).
Transistor BLF872
- è stato sviluppato come sostituto più potente del BLF861A,
- inizio produzione 1° trimestre 2004,
- potenza di uscita fino a 250 W,
- il transistor più affidabile in termini di resistenza al mismatch,
- mantiene la linearità,
- mantiene l'affidabilità,
- spostamento attuale Idq inferiore al 10% per 20 anni,
- guadagnare più di 14 dB,
- copre la banda da 470 a 860 MHz.
Transistori per radar e avionica
Anche i nuovi transistor Philips per radar e avionica sono realizzati utilizzando la tecnologia LDMOS all'avanguardia. I cristalli realizzati con la tecnologia LDMOS si riscaldano meno, sono più affidabili, hanno un'amplificazione maggiore e non richiedono un isolante tra il substrato e il dissipatore di calore. Di conseguenza, sono necessari meno transistor per ottenere le stesse prestazioni, migliorando ulteriormente l'affidabilità e riducendo i costi del prodotto.
Nuovi sviluppi:
BLA0912-250
- banda da 960 a 1250 MHz (tutte le principali frequenze dell'avionica),
- alto guadagno fino a 13 dB,
- affidabilità, resistenza allo sfasamento 5:1,
- linearità,
- i campioni saranno disponibili da giugno 2003.
BLS2934-100
- banda da 2,9 a 3,4 GHz (tutte le principali frequenze dell'avionica),
- utilizzo di una custodia standard non pressurizzata,
- i campioni saranno disponibili entro la fine del 2003.
Per riassumere, Philips è al passo con i tempi e offre transistor che abilitano nuovi dispositivi con caratteristiche migliori: dimensioni più ridotte, maggiore potenza in uscita, meno componenti delle tubazioni e costi del prodotto finale inferiori.
Autore: Vladimir Zakharov, zww@gamma.spb.ru; Pubblicazione: cxem.net
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ON Semiconductor presenta i controller a frequenza fissa NCP1237, NCP1238 e NCP1288 con controllo di corrente per convertitori CA/CC compatti ad alta efficienza. Progettati per l'uso in laptop, LCD, stampanti e altri dispositivi elettronici di consumo, gli strumenti offrono una scelta di frequenze operative e la possibilità di impostare una o due soglie di sovracorrente.
Il trasduttore standard ha un oscillatore integrato da 65 kHz (versioni da 100 e 133 kHz disponibili su richiesta). La modalità Soft-Skip brevettata utilizzata in questi microcircuiti consente di ridurre dolcemente la corrente massima, riducendo il rischio di rumore a bassa frequenza. Ciò consente di risparmiare su componenti aggiuntivi, semplificando la progettazione del dispositivo e del trasformatore.
Combinando questo con la limitazione della corrente, i nuovi controller forniscono un alto livello di efficienza con una bassa resistenza di carico riducendo la potenza in ingresso al minimo.
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