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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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Transistor gratuiti KT529A e KT530A. Dati di riferimento

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / materiali di riferimento

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Una coppia complementare di transistor KT529A (pn-p) e KT530A (npn) con bassa tensione di saturazione è prodotta utilizzando la tecnologia epitassiale-planare. I dispositivi sono alloggiati in un alloggiamento di plastica KT-26 con conduttori stagnati stampati rigidi (Fig. 1).

Transistori complementari KT529A e KT530A

Peso del dispositivo: non più di 0,3 g.

I transistor sono progettati per il funzionamento in unità di commutazione e impulsi di apparecchiature di ampia applicazione.

Caratteristiche principali atTacr.av = 25±10°С

  • Corrente inversa del collettore, µA, non di più, con una tensione base-collettore di 80 V......1
  • Corrente di emettitore inverso, μA, non di più, a una tensione di base-emettitore di 4V......1
  • Tensione di saturazione collettore-emettitore, V, non di più, con una corrente di collettore di 300 mA e una corrente di base di 10 mA......0,2
  • valore tipico ...... 0,13
  • Coefficiente di trasferimento della corrente di base statico, non inferiore, con una tensione collettore-emettitore di 5 V e una corrente di collettore di 300 mA......180
  • valore tipico ...... 250
  • Tensione limite, V, non inferiore, alla corrente di emettitore 10 mA......40
  • valore tipico ...... 45
  • Modulo coefficiente di trasferimento di corrente di base ad alta frequenza, non inferiore, con una tensione collettore-emettitore di 5 V, corrente di emettitore di 300 mA e frequenza di 100 MHz...... 1,5

Valori limite

  • Il collettore-emettitore di tensione CC più alto, V ...... 60
  • La più alta base di emettitore a tensione costante, V ...... 4
  • La corrente diretta di collettore più alta, A, a condizione che non venga superata la dissipazione di potenza consentita...1
  • Dissipazione di potenza costante massima, W, a temperatura ambiente -60...+25°C......0,5
  • +85 °С......0,25
  • Campo di lavoro della temperatura ambiente, °C......-60...+85

Nella fig. La Figura 2 mostra una tipica dipendenza del coefficiente di trasferimento statico della corrente di base h21e dei transistor KT529A e KT530A dalla corrente di collettore Ik, in Fig. 3 - dalla tensione collettore-emettitore Uke, e in Fig. 4 - tensione di saturazione collettore-emettitore Uke us dalla corrente di base IB a diversi valori della corrente di collettore Ik.

Transistori complementari KT529A e KT530A

Un frammento del circuito mostrato in Fig. 5 illustra una delle possibili applicazioni dei dispositivi descritti, in particolare del transistor KT530A.

Nei telecomandi per televisori moderni, i transistor ad effetto di campo KP505G con gate isolato (analogo funzionale straniero - IRML24) vengono utilizzati come amplificatore di corrente di uscita. La modalità operativa del transistor è la commutazione; il carico è un diodo che emette infrarossi. Questo amplificatore deve fornire la resistenza di canale più bassa possibile con un consumo energetico in ingresso minimo. Questi severi requisiti predeterminano il costo molto elevato del transistor.

L'uso del transistor KT6A nell'amplificatore di corrente di uscita del telecomando RC5-505 della TV bielorussa "Horizon" invece del KP530G (vedi Fig. 5) ha permesso, oltre a ridurre il costo del telecomando, di ridurre significativamente ampliare il suo raggio d'azione, sia in distanza dalla TV che nell'angolo di visibilità. La resistenza del resistore limitatore R1 è determinata dal valore minimo del coefficiente di trasferimento statico della corrente di base del transistor VT1 (>200), dalla corrente operativa del diodo emettitore BI1 (600 mA) e dall'ampiezza minima del segnale da l'uscita MDATA (pin 7) del microcircuito DD1 (analogico straniero - INA3010D).

All'aumentare della temperatura ambiente da +25 a +85°C il valore massimo ammissibile di potenza dissipata diminuisce secondo una legge lineare.

Autore: A. Shtyrev

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