Transistori ad effetto di campo della serie KP504. Dati di riferimento

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Transistori ad effetto di campo della serie KP504. Dati di riferimento

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I transistor in silicio a canale n ad effetto di campo KP504A-KP504E di media potenza con gate isolato e arricchimento di canale sono prodotti utilizzando la tecnologia epitassiale-planare. Il dispositivo è dotato di un diodo protettivo integrato con polarizzazione inversa collegato tra la sorgente e lo scarico.

I transistor sono progettati per funzionare in alimentatori secondari con ingresso senza trasformatore, in regolatori, stabilizzatori e convertitori di tensione con controllo continuo e a impulsi, in unità di azionamento di motori elettrici a bassa potenza e altre apparecchiature per uso domestico e industriale.

I dispositivi sono alloggiati in un alloggiamento di plastica KT-26 (TO-92) con terminali rigidi stampati stagnati (Fig. 1). Un analogo straniero del transistor KP504A è BSS88.

Transistori ad effetto di campo della serie KP504

Caratteristiche principali a Tacr.av = 25±10°C

Tensione di soglia, V, con una corrente di drain di 1 mA e un gate-source collegato. . .0,6...2
Resistenza a canale aperto, Ohm, non di più, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs e un ciclo di lavoro di almeno 50, con una corrente di drain di 0,25 A e una tensione gate-source di 4,5 V per KP504A-KP504V, KP504D , KP504E... ...8
KP504G......10
Resistenza a canale aperto, Ohm, non di più, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs e un ciclo di lavoro di almeno 50, con una corrente di drain di 14 mA e una tensione gate-source di 1,8 V per KP504A- KP504V, KP504D , KP504E..... .15
KP504G......18
Corrente di drain residua, μA, non di più, alla massima tensione drain-source consentita e tensione gate-source zero......1
Corrente di dispersione gate, µA, non di più, con tensione drain-source pari a zero e tensione gate-source ±20 V......±0,1
Pendenza della caratteristica corrente-tensione, almeno A/V, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs e un ciclo di lavoro di almeno 50, con una tensione drain-source di 5 V e una corrente di drain di 0,25 A ......0,14, XNUMX
Tensione diretta costante del diodo di protezione, V, non più, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs e un ciclo di lavoro di almeno 50, con tensione gate-source zero e corrente attraverso il diodo 0,5 A per
KP504A, KP504V-KP504D......1,3
KP504B, KP504E......1,8

Resistenza termica cristallo-ambiente, °С/W, max, per

KP504A, KP504B......125
KP504V-KP504E......177
Capacità* del transistor, pF, non di più, con tensione gate-source zero, tensione drain-source 25 V e frequenza di ingresso 1 MHz......140
fine settimana ...... 30
posto di blocco......9

* Parametri di riferimento.

Valori limite

La più alta tensione drain-source, V, per KP504A, KP504B, KP504D, KP504E ...... 240
KP504V......200
KP504G......250
Massima tensione gate-source, V......±10
Corrente continua massima assorbita*, mA, per
KP504A, KP504B......250
KP504V, KP504D, KP504E......200
KP504G......180
La corrente pulsata più alta * drain, A ...... 1
Dissipazione di potenza costante massima**, W, a una temperatura ambiente non superiore a 25 °C, per KP504A, KP504B......1
KP504V-KP504E......0,7
La temperatura più alta del cristallo, ° С ...... 150
Intervallo di temperatura di esercizio dell'ambiente, °С......-55...+125

* A condizione che non vengano superate la potenza massima di dissipazione e la temperatura dei cristalli

** A temperature ambiente Tam.av da +25 a +125 °C la potenza massima dissipata Pmax deve essere ridotta secondo la formula Pmax = (Tcr max - Tam.av.)/RT.cr-avg, dove Tcr max è la temperatura del cristallo più alta; RT.cr-sr - resistenza termica cristallina media.

Il valore consentito del potenziale statico è 30 V secondo OST 11 073.062. La modalità operativa e le condizioni per l'installazione dei transistor nell'apparecchiatura sono conformi a OST 11 336.907.0.

Di seguito sono presentate le dipendenze grafiche tipiche più importanti dei parametri dei transistor della serie KP504. Nella fig. 2, aeb mostrano le caratteristiche di uscita a due valori di temperatura ambiente, e in Fig. 3 - dipendenza della corrente di drain dalla tensione gate-source. Nella fig. La figura 4 mostra la dipendenza normalizzata della resistenza del canale aperto del dispositivo dalla temperatura (RK è il rapporto tra la resistenza del canale corrente e la resistenza ad una temperatura del cristallo di +25 °C).
Riso. 5 illustra la variazione di temperatura nella tensione di soglia e la Fig. 6 - dissipazione di potenza costante massima consentita. Un'idea di come cambiano i valori della capacità di ingresso, uscita e passaggio dei transistor al variare della tensione drain-source è data dal grafico in Fig. 7. La dipendenza della pendenza della caratteristica corrente-tensione e la resistenza del canale aperto dalla corrente di drenaggio è mostrata in Fig. 8 e 9 rispettivamente. Le capacità di potenza del diodo protettivo integrato sono mostrate in Fig. 10.

(clicca per ingrandire)

Autore: V.Kiselev, Minsk, Bielorussia

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