Transistor ad effetto di campo a bassa potenza KP214A9. Dati di riferimento

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Il transistor ad effetto di campo a canale n in silicio KP214A9 con gate isolato e arricchimento di canale, con un diodo inverso protettivo incorporato, è prodotto utilizzando la tecnologia epitassiale-planare. I transistor sono progettati per funzionare in alimentatori secondari con ingresso senza trasformatore, in regolatori, stabilizzatori e convertitori di tensione con controllo continuo e a impulsi, in unità di controllo per motori elettrici a bassa potenza e in altre apparecchiature elettroniche per l'economia nazionale e la vita quotidiana.

I transistor sono alloggiati in una custodia di plastica KT-46A (SOT-23) con terminali piatti stagnati (Fig. 1), destinata al montaggio superficiale.

Analogo straniero del transistor KP214A9 - 2N7002LT1.

La piedinatura e lo schema dei collegamenti interni sono riportati in fig. uno.

Principali caratteristiche tecniche a Tacrav = 25+10 °С

• Tensione di soglia, V, con una corrente di drain di 0,25 mA e gate e drain collegati......1 ...2,5
• Resistenza a canale aperto, Ohm, non di più, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs e un ciclo di lavoro di almeno 50, corrente di drain 0,5 A e tensione gate-source 10 V...... 7,5
• Resistenza a canale aperto, Ohm, non di più, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs e un ciclo di lavoro di almeno 50, corrente di drain 0,05 A e tensione gate-source 5 V......7,5
• Corrente di drain residua, µA, non di più, a una tensione drain-source di 60 V e tensione zero al gate......1
• Corrente di dispersione gate, µA, non di più, con tensione drain-source pari a zero e tensione gate-source ±20 V......±0,1
• Pendenza della caratteristica corrente-tensione, mA/V, non inferiore, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs e un ciclo di lavoro di almeno 50, con una tensione drain-source di 7,5 V e una corrente di drain di 0,2 A ......80
• La tensione diretta costante del diodo protettivo aperto, V, non di più, con tensione gate-source pari a zero del transistor e la corrente attraverso i terminali drain e source è 115 mA......1,5
• Resistenza termica cristallo-ambiente, °С/W, non più......625
• Tempo di accensione/spegnimento*, no, non di più, con una tensione drain-source di 25 V, una corrente drain di 0,5 A e una resistenza di uscita della sorgente del segnale di 25 Ohm......30/40
• Capacità del transistor*, pF, non di più, con tensione gate-source zero, tensione drain-source 25 V e frequenza 1 MHz
• ingresso ...... 50
• fine settimana ...... 25
• posto di blocco......5

* Parametri di riferimento.

Valori limite

• La più alta tensione drain-source, V ...... 60
• Massima tensione gate-source, V......±20
• La tensione di impulso gate-source più alta, V, con una durata dell'impulso non superiore a 1 s e un ciclo di lavoro di almeno 300 .....±40
• Corrente di drain costante massima*, mA, a una tensione gate-source di 10 V e una temperatura ambiente non superiore a 25 °C......115
• Corrente di drenaggio pulsata massima**, mA, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs......800
• Dissipazione di potenza costante massima***, W, a una temperatura ambiente non superiore a 25 °C......0,2
• La più alta corrente diretta del diodo di protezione, mA......115
• Corrente impulsiva massima del diodo di protezione**, mA, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs .....800
• La temperatura più alta del cristallo, ° С ...... 150
• Campo di funzionamento della temperatura ambiente, °С -55...+125

* Quando la temperatura ambiente sale fino a 125

La corrente di drain deve essere ridotta (a patto di non superare la massima potenza dissipata) fino a zero secondo il grafico di Fig. 2.

** A condizione che non venga superato il valore massimo di potenza dissipabile. *** Nel campo di temperatura ambiente da 25 a 125°C la massima potenza dissipata Pmax si calcola con la formula

dove RTkp-cp è la resistenza termica dell'ambiente cristallino.

Il valore consentito del potenziale statico è 30 V secondo OST 11073.062. La modalità e le condizioni per l'installazione dei transistor nelle apparecchiature sono conformi a OST 11336.907.0. Quando si saldano i cavi con un saldatore, è necessario rimuovere il calore utilizzando pinzette speciali con massicce ganasce di rame. Le pinzette sono installate sul terminale vicino all'alloggiamento. Il saldatore deve essere collegato a terra.

Le principali dipendenze grafiche tipiche dei parametri del transistor KP214A9 sono presentate in Fig. 3-7. Nella fig. Le figure 3a e b mostrano la dipendenza della corrente di drain lc dalla tensione drain-source Usi alla temperatura del cristallo Tcr = 25±10°C e 150°C. Le dipendenze della corrente di drain dalla tensione gate-source Uzi sono mostrate in Fig. 4, e la dipendenza dalla temperatura normalizzata della norma RK sulla resistenza a canale aperto è in Fig. 5.

Riso. 6 illustra la natura del cambiamento nella capacità del transistor quando cambia la tensione drain-source, e la Fig. 7 - caratteristica corrente-tensione di un diodo protettivo aperto. La dipendenza della corrente di drenaggio costante massima consentita lc max dalla temperatura del cristallo è mostrata in Fig. 2.

Autore: V.Kiselev, Minsk, Bielorussia

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