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Sezione 3. Protezione e automazione

Protezione del relè. Area di applicazione

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Norme per l'installazione degli impianti elettrici (PUE)

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3.2.1. Questo capitolo delle Regole si applica ai dispositivi di protezione relè per elementi della parte elettrica di sistemi di alimentazione, impianti elettrici industriali e di altro tipo superiori a 1 kV; generatori, trasformatori (autotrasformatori), blocchi generatore-trasformatore, linee elettriche, pneumatici e compensatori sincroni.

La protezione di tutti gli impianti elettrici superiori a 500 kV, linee di cavi superiori a 35 kV, nonché impianti elettrici di centrali nucleari e trasmissioni di corrente continua, non è considerata in questo capitolo delle Regole.

Requisiti per la protezione delle reti elettriche fino a 1 kV, motori elettrici, unità condensatrici, impianti elettrotermici, vedere, rispettivamente, nel cap. 3.1, 5.3, 5.6 e 7.5.

I dispositivi di protezione relè per installazioni elettriche che non sono considerati in questo e in altri capitoli devono essere realizzati in conformità con i requisiti generali di questo capitolo.

Vedi altri articoli sezione Norme per l'installazione degli impianti elettrici (PUE).

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Dal suo inizio 40 anni fa ad oggi, la memoria flash è stata una struttura cellulare bidimensionale planare. Finora, la riduzione del processo tecnologico di produzione ha consentito di aumentare la densità di archiviazione delle informazioni. Tuttavia, quando il processo si avvicinava allo standard di 10 nm, iniziarono a verificarsi interferenze tra le celle di memoria, di conseguenza l'affidabilità della memorizzazione dei dati scese al di sotto del limite consentito.

La tecnologia 3D V-NAND è progettata per risolvere questo problema: aprire un nuovo modo per aumentare la densità di archiviazione in futuro, pur mantenendo una norma tecnologica che fornirà il livello di affidabilità richiesto.

Nei nuovi chip di memoria realizzati utilizzando la tecnologia 3D V-NAND, le celle sono disposte l'una rispetto all'altra in tre dimensioni. Il collegamento verticale delle celle è assicurato da appositi conduttori. In un microcircuito possono esserci fino a 24 strati con celle, mentre attraverso appositi fori il conduttore può passare attraverso altri strati in isolamento e, ad esempio, collegare le celle del primo e del ventiquattresimo strato.

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Tuttavia, la nuova tecnologia consente non solo di aumentare la densità, ma anche di ottenere un'affidabilità molto maggiore (di 2-10 volte) rispetto alla memoria NAND basata sulla tecnologia di processo a 10 nm. Inoltre, 3D V-NAND offre velocità di scrittura più elevate, due volte più veloci, secondo Samsung.

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