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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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Potente convertitore 12/350 volt su circuito integrato. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Convertitori di tensione, raddrizzatori, inverter

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L'oscillatore principale del convertitore (Fig. 4.67) è assemblato su un controller PWM standard (analogo importato dalla serie 494). Il controller genera segnali di controllo per i transistor dell'amplificatore di potenza, escludendo le correnti attraverso di essi. "Dead time" (Dead time) è almeno il 3% della durata del periodo di oscillazione ed è impostato dalla tensione al pin 4 del chip DA1: a 0 V - 3%, a 3,5 V - 100%.

Potente convertitore 12/350 volt su IC

Il controller dispone di due amplificatori, uno dei quali viene utilizzato per impedire lo scaricamento della batteria (non consentirà il funzionamento del convertitore quando la tensione della batteria scende al di sotto di 8 V).

Si consiglia di installare un circuito per impedire la scarica della batteria non solo quando è un peccato rovinare la batteria, ma anche quando si utilizzano transistor di potenza senza controllo logico, ad es. senza la lettera L (hanno una soglia di apertura di 4 ... 6 V), e se la batteria è fortemente scaricata, possono passare alla modalità attiva, che danneggerà il circuito a causa del surriscaldamento.

La frequenza di conversione è impostata dagli elementi C3, R8 e ai valori nominali indicati è di 40 kHz.

Per modificare la frequenza, questi elementi possono essere modificati entro 500 pF ... 0,1 μF e 1 ... 100 kOhm. La corrente a vuoto del convertitore è di 70 mA, il consumo sotto carico è di 5 ... 7 A al massimo carico (circa 100 W). L'efficienza è del 98%. La batteria utilizzata è da 12 V (10 Ah). Il nucleo del trasformatore T1 è costituito da due anelli di ferrite M2000NM di dimensioni K32x16x9 (diametro 32 mm, sezione trasversale 1,4 cm2, 3 V per giro).

L'avvolgimento primario contiene 4 + 4 spire, un filo con un diametro di 0,91 mm (avvolto in 4 fili posati con nastro adesivo). Avvolgimento secondario - 130 giri con un diametro di 0,45 mm.

Come chip DA1, è adatto qualsiasi controller della serie 494 (TL494, UC494, tsRS494, CD494, KA7500). I transistor VT1 e VT2 possono essere KT645, KT3102, ecc.

Transistor ad effetto di campo (non IGBT e non KP954) con tensione massima di almeno 50 V, resistenza di canale <0,015 Ohm e capacità di gate <3000 pF. I transistor IRL3705L hanno una resistenza allo stato attivo R-cs di 0,01 ohm e possono essere sostituiti da due IRFZ44N collegati in parallelo (R3C = 0,022 ohm).

Ci sono transistor Minsk dall'impianto "Integral" KP732G, sono migliori dell'analogo dichiarato IRFLZ44, la loro resistenza del passaporto è di 28 mOhm e secondo le misurazioni - 18 mOhm, e sono più economici. Dei nostri nuovi, KP812 andrà bene. Si consiglia di utilizzare diodi ad alta velocità VD3 ... VD6 (quelli non veloci si surriscaldano molto a carichi elevati), con una tensione inversa di almeno 400 V e per una corrente di almeno 1 A.

Autore: Semian A.P.

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