Carico elettronico per il test della memoria. Schema, descrizione

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Carico elettronico per testare la memoria. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Per testare e regolare i caricabatterie, in particolare quelli potenti, è auspicabile disporre di un carico in grado di "accettare" una corrente fino a dieci o più ampere e la "tensione" potrebbe essere modificata nell'intervallo da diverse a diverse decine di volt . Poiché la caratteristica corrente-tensione della batteria durante la carica è simile alla caratteristica corrente-tensione di un diodo zener, un analogo di un diodo zener su un potente transistor di commutazione ad effetto di campo può essere utilizzato come tale equivalente (Nechaev I "Potenti transistor di commutazione ad effetto di campo come stabilizzatori e limitatori di tensione." - Radio, 2007, n. 2, pp. 39, 40).

Lo schema dell'analogico della batteria è mostrato in figura.

Carico elettronico per il test della memoria

Il montaggio è questione di diverse decine di minuti, poiché contiene solo pochi elementi. La tensione equivalente è impostata dal resistore R1. Se è necessario regolare la tensione equivalente da 2 V, è necessario utilizzare potenti transistor ad effetto di campo di commutazione con una bassa tensione di soglia, alcuni dei quali contengono la lettera L nella designazione, ad esempio IRL3705N, IRL1404Z, IRL2910. Utilizzando transistor "ordinari", ad esempio IRF3205, IRF3708, otteniamo il limite di regolazione inferiore di circa 4 V.

Il limite superiore viene impostato selezionando il resistore R2. La resistenza interna dell'equivalente è una frazione di ohm, maggiore è la pendenza del transistor, minore è. Il condensatore C1 aumenta la stabilità del dispositivo.

I resistori variabili e fissi possono essere qualsiasi. Il condensatore è ceramico K10-17 o simile, viene montato direttamente sui terminali del transistor, dopo aver accorciato i terminali del condensatore alla lunghezza minima possibile. Il connettore è una morsettiera progettata per la corrente richiesta. Sebbene i transistor di commutazione più potenti siano progettati per un'elevata dissipazione di potenza (da decine a cento watt o più), con una corrente superiore a 8 ... 10 A e una tensione superiore a 10 V, la rimozione del calore sarà problematica. Ma anche a corrente e tensione inferiori, è necessario un efficace dissipatore di calore, che è auspicabile che venga soffiato dalla ventola M1. È possibile utilizzare un ventilatore da apparecchiature informatiche con una tensione di alimentazione nominale di 12 V. Molti di essi "si avviano" con una tensione di alimentazione di 3 ... 4 V e con una tensione di 8.10 V soffiano già efficacemente sul dissipatore di calore.

Autore: I. Nechaev

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I ricercatori dell'Università di Glasgow nel Regno Unito e dell'Università di Rovira e Virgilli in Spagna sono stati in grado di trasformare singole molecole in transistor per memorizzare informazioni.

Oggi, la memoria flash viene utilizzata in quasi tutti i dispositivi mobili. I produttori si stanno impegnando per soddisfare le crescenti richieste degli utenti per il suo volume. Ma presto dovranno affrontare una limitazione nella dimensione dei transistor, che non può essere inferiore a 10 nm.

L'essenza del nuovo metodo è creare una cellula da molecole di ossido di tungsteno con una lunghezza laterale di circa 1 nm. All'interno di questa struttura sono poste due molecole di triossido di selenio, che nello stato normale trasportano elettroni aggiuntivi e quindi hanno una carica negativa. Applicando una tensione con polarità diversa, i ricercatori sono stati in grado di modificare la carica della struttura, in altre parole, il suo stato binario.

Lo stato dato della struttura in condizioni di laboratorio è stato mantenuto per almeno 336 ore (cioè 14 giorni), il che ha permesso ai ricercatori di parlare della nuova memoria come non volatile.

"L'uso di singole molecole ci consentirà di continuare a ridurre il processo e, in teoria, persino di superare la legge di Moore imparando a memorizzare più bit di dati in una singola molecola", il leader del progetto Lee Cronin, professore all'Università di Glasgow, detto a Wired.

La legge di Moore è stata plasmata dal co-fondatore di Intel Gordon Moore. Afferma che il numero di transistor su un chip raddoppia circa ogni due anni. Di recente, tuttavia, gli scienziati hanno iniziato a dire che, una volta raggiunta la dimensione limite dei transistor, questa legge cesserà di funzionare. Vari gruppi di ricerca in tutto il mondo stanno cercando modi per far funzionare ulteriormente la legge.

Nel frattempo, alcuni compiti prima dei creatori della memoria molecolare rimangono ancora irrisolti. Questo, in particolare, riguarda la velocità di questo tipo di memoria. Ad esempio, sono necessari circa 0,1 s per formare lo stato della struttura e 0,01 s per leggere lo stato della struttura. Entrambi gli indicatori sono troppo alti per parlare di un'applicazione commerciale efficace.

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