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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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Interruttore automatico di protezione contro le sovratensioni. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Protezione delle apparecchiature dal funzionamento di emergenza della rete, gruppi di continuità

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La macchina proposta scollega il carico e si spegne quando la tensione nella rete è superiore al massimo consentito e quando scompare periodicamente (la luce “lampeggia”).

Interruttore di protezione contro le sovratensioni

Quando si preme il pulsante SB1 "On", il relè K1 riceve la tensione di rete attraverso i contatti K2.1 dal connettore X1. Il relè è attivato e autobloccante dai contatti K1.1. Attraverso i contatti K1.2, la tensione di rete viene fornita tramite il diodo VD5 al divisore R3-R4, al connettore X2 “Load” e al trasformatore T1, che serve ad alimentare la macchina stessa. Dal cursore del resistore R4, che imposta la tensione di risposta del dispositivo, la tensione di controllo viene fornita attraverso il diodo VD6 alla base del transistor VT1. Il diodo Zener VD7 viene utilizzato per proteggere i transistor dalle alte tensioni.

Quando la tensione di rete è superiore al normale, la tensione alla base del transistor composito VT1-VT2 aumenta, si apre e attiva il relè K2. I contatti K2.1 si aprono, il relè K1 è diseccitato e spegne il carico e la macchina stessa con i contatti K1.2. Se si verifica una breve perdita di tensione nella rete, anche il relè K1 viene sbloccato e spegne il carico. Per accenderlo è necessario premere nuovamente il pulsante SB1. I LED VD3 e VD4 servono per indicare lo stato del dispositivo.

Relè K1 - qualsiasi con una tensione di esercizio dell'avvolgimento di 220 V, K2 - anche qualsiasi delle serie RES-9, RES-22 con una tensione di esercizio di 2...3 V inferiore alla tensione di alimentazione.

T1 - rete, di piccole dimensioni, con una tensione sull'avvolgimento secondario di 12 ... 15 V.

L'impostazione si riduce all'impostazione della tensione della macchina per funzionare con il resistore R4.

Autore: A. Lysunets, v. Vozzhaevka, regione dell'Amur

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Wafer diamantati ultra puliti con un massimo di 25 EB di dati 07.05.2022

Uno dei tipi di difetti della punta di diamante consente di utilizzarlo come bit quantico per organizzare calcoli o memorizzare dati.

Ciò può essere ostacolato dall'imperfezione della tecnologia per la coltivazione di dischi diamantati ultra puri, che è diventata una sfida per gli scienziati. I giapponesi hanno accettato la sfida e sono stati in grado di trovare una soluzione interessante al problema.

Se in qualsiasi sito del reticolo cristallino del diamante uno degli atomi di carbonio viene sostituito (legato) da un atomo di azoto, tale violazione della struttura cristallina del diamante sarà chiamata posto vacante sostituito con azoto nel diamante o centro NV. Un tale difetto puntuale ha proprietà quantistiche che possono essere facilmente controllate da luce, campi magnetici o altre influenze anche a temperatura ambiente. In particolare, il centro NV può essere utilizzato per registrare e memorizzare dati.

Una caratteristica delle strutture a diamante con centri NV è che non dovrebbe esserci troppo azoto. Pertanto, per l'uso pratico dei supporti dati dei diamanti, è necessario o produrre dischi molto grandi con impurità di azoto ammissibili (per così dire, "spalmare" l'azoto su una vasta area), oppure coltivare i diamanti più puri con una quantità rigorosamente controllata di impurità, che è tecnicamente molto più difficile.

Finora, i diamanti ultrapuri hanno appena superato i 4 mm2 di area, che è estremamente piccola. Tuttavia, i ricercatori giapponesi della Saga University e della giapponese Adamant Namiki Precision Jewellery sono riusciti a sviluppare una tecnologia per coltivare wafer di diamanti ultra puri con un diametro di 2 pollici (5 cm). In teoria, ciascuno di questi dischi può memorizzare fino a 25 EB di dati, il che equivale a registrare un miliardo di dischi Blu-Ray da 25 GB su un supporto diamante.

Il segreto del successo sta nella speciale struttura del substrato su cui è stato fatto crescere il disco diamantato. Di solito si tratta di una superficie piana e piatta. Durante il processo di crescita e nelle sue fasi iniziali, il diamante ultrapuro su una tale superficie spesso si rompeva sotto il suo stesso peso. Per prevenire la rottura, gli scienziati hanno proposto una superficie del substrato a gradini che distribuirebbe il peso del diamante in crescita in modo più uniforme. Il nuovo substrato ha permesso di coltivare un diamante purissimo con un diametro di 5 cm e una purezza di 3^10-9. Ma gli scienziati non si sono fermati su questo e ora hanno in programma di far crescere un diamante di diametro doppio.

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