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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
Libreria gratuita / Schemi di dispositivi radioelettronici ed elettrici

Un dispositivo per determinare i terminali, la struttura e il coefficiente di trasferimento di corrente dei transistor. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Tecnologia di misurazione

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Il dispositivo proposto è progettato per determinare la posizione dei terminali di collettore, base ed emettitore sulle custodie di transistor bipolari di bassa, media e alta potenza, determinarne la struttura (npn o pnp) e misurare anche il coefficiente di trasferimento di corrente in un circuito con un emettitore comune (p21E). Per i transistor ad effetto di campo a gate isolato con canale integrato e indotto, vengono determinate le posizioni dei pin (drain, source, gate) e il tipo di conduttanza del canale (n o p). Inoltre, il dispositivo può essere utilizzato come voltmetro CC. Tutte le informazioni vengono visualizzate su due indicatori LCD.

Principali caratteristiche tecniche:

Nella modalità determinante per transistor bipolari, la corrente di base durante la misurazione di P21E
bassa potenza, µA ......... 20
medio e grande
potenza, mA................1
composito, mA......................0 1
Valore misurato massimo p21E
convenzionale .................1999
composito, mille ....... 19,99
Limite di misura inferiore P21E
bassa potenza ...............40
composito .................200
medio e grande
potenza ..................20
Tempo di determinazione, s, no
oltre ..................0,2
Nella modalità voltmetro, i limiti della tensione continua misurata, V. .0,00...19,99
Resistenza di ingresso, MΩ ..... 10
Tensione di alimentazione, V.....5 (quattro
Batteria Ni-MH formato AA, AAA) Massimo consumo di corrente (durante la misurazione
p21e), A....................... 2,2
Consumo di corrente in modalità standby o voltmetro, mA ................................2

Dispositivo per determinare le conclusioni, la struttura e il coefficiente di trasferimento di corrente dei transistor
Fig. 1

Lo schema del dispositivo è mostrato in fig. 1. L'indicazione delle uscite dei transistor bipolari - collettore, base, emettitore - e campo - drain, gate, source - viene eseguita sull'indicatore LCD HG2 con i simboli "C", "b", "E", rispettivamente, e lo stato di incertezza - con i simboli "b", "b", "b". La struttura dei transistor bipolari (npn o pnp) e il tipo di conducibilità del canale (n o p) del transistor ad effetto di campo sono indicati sullo stesso indicatore rispettivamente dai simboli "p" o "P".

Assegnazione di interruttori e pulsanti. Nella "Comp." l'interruttore SA1 sta testando transistor compositi, nella modalità "Normale". - convenzionale, per transistori ad effetto di campo, la posizione dell'interruttore può essere qualsiasi. Quando si preme il pulsante SB1 "Power". vengono testati transistor di media e alta potenza, nonché transistor di campo con canale integrato. Nella posizione "p21e" dell'interruttore SA2 viene misurato questo parametro dei transistor bipolari e nella posizione "U" il dispositivo funziona come un voltmetro con un limite di misurazione della tensione CC di 19,99 V. In quest'ultimo caso, quando si premere il "Pipistrello" SB2. l'indicatore HG1 mostra il valore della tensione di alimentazione (batteria).

Il dispositivo è costituito da due unità principali: un voltmetro e un determinante delle uscite del transistor. Il voltmetro è assemblato sull'ADC DD10 con uscita di informazioni sull'indicatore LCD HG1. Lo stesso indicatore mostra il valore di p21E del transistor bipolare. La tensione di alimentazione di -4,5 V ADC DD10 riceve da un convertitore di tensione montato su un elemento logico DD1.1, un raddrizzatore invertente basato sui diodi VD1, VD4, condensatori C5, C8 e un convertitore di livello DD3 - da un raddrizzatore con raddoppio della tensione sugli elementi VD2, VD3, C6, C7 tensione di alimentazione 9,8 V. Uno degli ingressi dell'elemento logico DD1.1 è collegato all'uscita dell'oscillatore master ADC DD10, operante ad una frequenza di 50 kHz.

Dall'uscita BP (pin 21) dell'ADC DD10, vengono inviati impulsi rettangolari con una frequenza di ripetizione di 62,5 Hz all'ingresso dell'elemento logico DD7.2 e il suo segnale di uscita è l'orologio per il funzionamento del determinante. Gli impulsi dall'uscita di questo elemento vengono inviati agli elementi D, E ed F delle tre cifre più significative dell'indicatore LCD HG2, che vengono visualizzati costantemente, poiché non devono spegnersi quando i caratteri "C", Vengono visualizzati "b" ed "E". Gli impulsi di tensione dall'uscita dell'elemento DD7.2. 5.3 vengono inviati anche agli ingressi degli elementi DD5.4, DD2.4 e DD14.4, DD15.4, DD12.3, DD2, all'uscita del quale, a seconda dei segnali determinanti, vengono generati segnali di controllo per gli elementi A o C in quelle stesse cifre e gli elementi F, A e B nella cifra meno significativa dell'indicatore LCD HGXNUMX.

Dall'uscita dell'elemento DD5.3, gli impulsi di clock attraverso il circuito integratore R21C12 vengono inviati al contatore DD4 con un fattore di divisione di 128. Ogni 2 s, con la successiva caduta dell'impulso di ingresso, appare una tensione di alto livello a la sua uscita, dalla quale il circuito di differenziazione R1C3 genera un impulso di reset dell'intero dispositivo allo stato originario e ripartenza. Poiché i microcircuiti della serie 74AC (analogo domestico della serie KR1554) hanno brevi durate di commutazione, che sono percepite instabili dagli ingressi di conteggio dei microcircuiti della serie K561 e dei loro analoghi, vengono introdotti i circuiti integrati R21C12 e R23C4, aumentando l'aumento e la caduta di impulsi dalle uscite degli elementi DD5.3 e DD5.4 a 2 ms. Gli impulsi del circuito R21C12 vengono inviati anche all'uscita COM dell'indicatore HG2, e tramite gli elementi OR esclusivi DD8.1-DD8.4 - agli elementi G nei tre più significativi e agli elementi E e G nelle cifre inferiori dell'indicatore LCD HG2.

Il transistor in prova è collegato con le sue uscite ai terminali XS1, XS2, XS3, che sono collegati alle uscite di un potente interruttore a tre canali montato su transistor a commutazione di campo VT1-VT4, VT8, VT9. I segnali di controllo per loro vengono generati alle uscite degli elementi del microcircuito del convertitore di livello DD3, che vengono utilizzati come elementi buffer. Tre circuiti di regolazione della corrente identici dei resistori R3 R5, R12R17R19 e R24R26R27 sono collegati alle uscite di un potente interruttore, commutato da un interruttore a bassa potenza, anche a tre canali, montato sui tasti DD13.1-DD13.4, DD16.3. 16.4, DDXNUMX.

La determinazione delle conclusioni viene effettuata modificando periodicamente lo stato delle uscite di un potente interruttore: la combinazione di transistor aperti e chiusi VT1 - VT4, VT8, VT9 cambia. In ogni momento sarà aperto solo uno dei transistor VT1, VT3, VT8, quindi una delle uscite del transistor in prova sarà collegata alla linea di alimentazione a 5 V. Contemporaneamente, uno dei transistor VT2, VT4 , VT9 e la seconda uscita del transistor in prova sono aperti nell'altro canale collegato al resistore R6, che funge da sensore di corrente di uscita del transistor. Nel terzo canale di un potente interruttore, entrambi i transistor ad effetto di campo sono chiusi, ma in questo momento tutto o parte di uno dei circuiti resistivi di regolazione della corrente sarà collegato alla sua uscita, a seconda dello stato dell'interruttore di bassa potenza . Un tale circuito è progettato per fornire corrente alla base di un transistor bipolare (o tensione al gate di campo), attraverso di esso due volte nello stesso stato di un potente interruttore, la base o gate viene "polling", prima per la struttura npn (canale n), quindi per pnp (canale p).

Dispositivo per determinare le conclusioni, la struttura e il coefficiente di trasferimento di corrente dei transistor
Fig. 2

Un ciclo di prova completo del transistor include sei combinazioni dello stato di un potente interruttore, mentre ogni uscita del transistor sarà collegata due volte come collettore, base ed emettitore (drain, gate, source). Con una delle combinazioni, le uscite saranno collegate in modo tale che nel circuito resistivo collegato ai transistor chiusi dell'interruttore appaia una corrente, che viene presa come base e, come sai, provoca la comparsa di la corrente del collettore (ed emettitore) di uscita. Sulla fig. 2 mostra circuiti semplificati per l'accensione dei transistor durante la determinazione delle conclusioni. La presenza della corrente di uscita farà apparire la tensione sul sensore di corrente R6, che fissa lo stato dell'interruttore, e le informazioni corrispondenti verranno visualizzate sugli indicatori LCD HG1, HG2.

Tuttavia, la comparsa di tensione sul sensore è solo una condizione necessaria, ma non sufficiente per la corretta determinazione delle conclusioni. Innanzitutto, in due combinazioni, una delle giunzioni p-n polarizzate in avanti (collettore o emettitore) del transistor bipolare sarà collegata all'alimentazione in serie con il resistore R6 e questo resistore avrà una tensione di circa 4,3 V. Rivelando una definizione così falsa è abbastanza semplice: quando si cambia il punto di connessione del resistore R (Fig. 2) da +5 V a un filo comune, o viceversa, la corrente di uscita praticamente non cambierà. In secondo luogo, a causa dei transitori nei momenti di cambiamento di stato di un potente interruttore, sul resistore R6 compaiono impulsi di tensione. Il processo di rilevamento durante il verificarsi di questi impulsi è bloccato. In terzo luogo, quando il transistor viene acceso in modo inverso, scorre anche una corrente attraverso di esso, ma il suo valore è piccolo e una tale falsa determinazione può essere eliminata utilizzando un dispositivo di soglia. Infine, il transistor potrebbe semplicemente essere rotto o i terminali X1-XXNUMX potrebbero essere chiusi accidentalmente. Tutti questi fattori vengono presi in considerazione nel circuito del dispositivo.

Prima di procedere alla descrizione del processo di determinazione delle conclusioni, considerare il funzionamento del dispositivo di soglia assemblato sull'amplificatore operazionale DA1.2 e sul transistor VT11. L'ingresso invertente di questo amplificatore operazionale è collegato al resistore R6 e l'ingresso non invertente è collegato a una sorgente di tensione di riferimento di 0,5 V, raccolta sui resistori R22, R25 e uno stabilizzatore di corrente su un transistor VT10 e un resistore R29. Questa tensione imposta la soglia inferiore per determinare le uscite del transistor in base al valore minimo specificato h21e Nella stragrande maggioranza dei casi, il modo inverso del transistor in prova non verrà rilevato con questi parametri. Quando si commuta il dispositivo di soglia, una caduta di tensione positiva dal resistore R32 viene fornita all'ingresso C del trigger DD6.1 per fissare lo stato del potente interruttore, "interrogare" la base e iniziare a misurare il prossimo impulso di ripristino. All'uscita 2 del counter-decoder DD3 è impostata una tensione di alto livello. Questa tensione viene fornita all'ingresso S del trigger DD2, e alla sua uscita inversa per circa 3 ms viene generata una tensione di basso livello, che viene fornita ad uno degli ingressi dell'elemento OR-NOT DD2 e è necessario per proteggere il rilevamento ritardato durante i transitori nell'interruttore. Dopo questo intervallo di tempo, all'uscita dell'elemento DD0 appare un impulso di clock, che fa commutare il trigger DD9 e quindi il counter-decodificatore DD6.1. Il suo output 8 andrà alto e inizierà il ciclo di definizione del pin.

Le uscite del contatore-decodificatore DD9 sono collegate agli ingressi degli elementi DD11.1 -DD11.4, DD12.1, DD12.2 in modo che i segnali di controllo dell'interruttore a tre canali si formino alle uscite di questi elementi . Gli stessi segnali, insieme ai segnali di uscita del trigger DD6.2, controllano il funzionamento di tre convertitori di codici identici per visualizzare i caratteri alfabetici "C", "b" ed "E" nelle tre cifre più significative dell'LCD HG2 indicatore. I convertitori sono realizzati sugli elementi DD1.2-DD1.4, DD2.1 - DD2.4, DD7.1, DD7.3, DD7.4, DD8.1, DD8.2, DD8.4, DD14.1 -DD14.4 e DD15.1-DD15.4. Lo stato dei transistor di un potente interruttore (aperto/chiuso) è controllato, come già accennato in precedenza, tramite convertitori di livello DD3.1-DD3.6, che convertono segnali di ingresso di 5 V in tensioni di uscita di circa 10 V, necessarie per apertura affidabile dei transistor VT1-VT4 , VT8, VT9.

Gli ingressi degli elementi DD5.1, DD5.2 ricevono due segnali a impulsi (meandro): con un periodo di ripetizione di 32 ms - dall'uscita inversa del trigger DD6.2 e clock 16 ms - dall'uscita dell'elemento DD5.4 .5.1. Da queste tensioni, alle uscite degli elementi DD5.2, DD8, si formano impulsi della durata di 32 ms ciascuno con un periodo di ripetizione di 6.1 ms. In primo luogo, l'impulso è all'uscita del primo elemento e, dopo che è terminato, all'uscita del secondo. Lo scopo del primo impulso è la protezione contro i falsi rilevamenti, entra nell'ingresso D del trigger DD5.4 e una tensione di basso livello continua a essere mantenuta sulla sua uscita invertita, consentendo il passaggio degli impulsi di clock al DDXNUMX produzione. Lo scopo del secondo impulso è di "polling" la base (gate) del transistor in prova.

I tre circuiti resistori R5.2-R3, R5R12R17 e R19R24R26 sopra menzionati sono collegati all'uscita dell'elemento DD27. La scelta di una, due o tre resistenze, e quindi la corrente di base, è determinata dalla posizione dei contatti dell'interruttore SA1 e del pulsante SB1, mentre gli interruttori analogici DD13.1-DD13.4, DD16.3, DD16.4 .8 scollegare e collegare le resistenze corrispondenti in questi circuiti. Il "polling" inizia con la struttura npn: per 5 ms, i resistori di questi circuiti saranno collegati alla linea di alimentazione a 6 V. Se, allo stesso tempo, non si verifica un impulso con una tensione maggiore della soglia sulla corrente sensore R16, quindi dopo questo intervallo di tempo per 6 ms, i resistori di questi circuiti verranno collegati a una linea di alimentazione comune: viene eseguito un "sondaggio" della base per la struttura rr. Se in questo caso l'impulso specificato non si verifica sul sensore R9, dopo il tempo assegnato, il contro-decodificatore DDXNUMX passa nel seguente stato: la combinazione di transistor aperti e chiusi del potente interruttore cambia, la procedura di protezione contro il falso rilevamento e "interrogatorio" della base viene ripetuto di nuovo. Va ricordato che il polling avviene solo nel canale con transistor chiusi di un potente interruttore, poiché le azioni dei restanti circuiti resistivi sono bloccate da transistor aperti.

Quando sul resistore R6 appare una tensione maggiore della soglia, il comparatore sull'amplificatore operazionale DA1.2 passerà e un impulso andrà all'ingresso C del trigger DD6.1, che lo commuterà in uno stato con un alta tensione di livello logico all'uscita inversa. Il transistor VT7 si aprirà e l'ingresso dell'ADC DD10 attraverso l'interruttore analogico DD16.2 sarà collegato al secondo sensore di corrente - il resistore R14 per misurare il p21e del transistor a bassa potenza in prova. Quando viene premuto il pulsante SB1, il transistor VT6 si aprirà e, tramite il tasto analogico aperto DD16.1, la tensione di apertura andrà al gate del transistor VT5. Il resistore R6 sarà collegato in parallelo con il resistore R9 e il resistore R14 sarà collegato in parallelo con R13, in questo caso vengono testati transistor di media e alta potenza.

Dispositivo per determinare le conclusioni, la struttura e il coefficiente di trasferimento di corrente dei transistor

L'indicatore LCD HG1 visualizzerà il valore del coefficiente di trasferimento di corrente del transistor in prova e sull'indicatore HG2 (da sinistra a destra) - i caratteri alfabetici dei nomi dei pin, nella cifra di destra - il carattere alfabetico di la struttura del tipo bipolare oa canale del transistor ad effetto di campo (Fig. 3). In assenza o malfunzionamento del transistor in prova, un piccolo valore di p21e, la commutazione del contatore DD9 non si interrompe fino a quando non viene generata una tensione di alto livello alla sua uscita 7, che viene alimentata all'ingresso R del trigger DD6.1. 2 e sull'indicatore LCD HG4 vengono visualizzati tre caratteri b", "b", "b" (Fig. XNUMX).

Dispositivo per determinare le conclusioni, la struttura e il coefficiente di trasferimento di corrente dei transistor

La commutazione del contatore DD9, sia all'ingresso CN con corretta determinazione delle conclusioni, sia all'ingresso R con incertezza, fa cessare gli impulsi di clock provenienti dall'uscita dell'elemento DD5.4, il che significa che lo stato delle uscite del potente interruttore e convertitori di codice è fisso fino a quando non arriva il successivo impulso di ripristino di 2 s.

Quando si determinano i risultati dei transistor ad effetto di campo con una bassa resistenza a canale aperto, nonché dei transistor bipolari compositi con n21E superiore a ventimila, possono fluire correnti elevate. Pertanto, nel dispositivo è stata introdotta un'unità di limitazione della corrente assemblata sull'amplificatore operazionale DA1.1 e sul transistor VT7. Una tensione esemplare di 1.1 mV viene fornita all'ingresso non invertente dell'amplificatore operazionale DA220. Quando la corrente attraverso il transistor in prova aumenta a 2,2 A (per transistor ad alta potenza) o 44 mA (per quelli a bassa potenza), la tensione alla sorgente del transistor VT7 supererà quella esemplare, la tensione alle porte dei transistor VT5 e VT7 diminuirà e la corrente attraverso il transistor testato sarà limitata. L'indicatore LCD HG1 visualizzerà un segno di sovracorrente, uno nella cifra più significativa.

Il segnale di uscita dell'elemento DD12.4 è progettato per indicare il punto decimale nella terza cifra dell'indicatore LCD HG1 per visualizzare il valore di p21E in migliaia durante il test di transistor compositi e tensione in modalità voltmetro. Per misurare le tensioni CC, l'interruttore SA2 viene portato in posizione "U" e le sonde di misura sono collegate alle prese XS4, XS5 "Voltmetro". In questa modalità, è possibile controllare la tensione di alimentazione del dispositivo premendo il pulsante "Batteria" SB2, nonché determinare la posizione dei pin e la struttura dei transistor testati senza misurare h2i3.

Il resistore R13 è costituito da un pezzo di filo di manganina o costantana, il resto sono resistori fissi C2-23, MLT o RN1-12 a montaggio superficiale e R30 è costituito da diversi resistori sintonizzati collegati in serie - SPZ-38B. Condensatori - ceramici K10-17 o per montaggio a parete. L'uso dei diodi Schottky 1N5818 (VD2, VD3) è giustificato ottenendo la massima tensione di alimentazione del microcircuito DD3, questi diodi sono sostituibili con Ha1N5817, 1 N5819 o D310.

Il criterio principale per la sostituzione dei transistor ad effetto di campo indicati nel diagramma è la resistenza minima del canale del transistor aperto. Per i transistor di un potente interruttore e VT7, non più di 0,1 Om, VT5 -0,01 Ohm e / T6 - 2 Ohm a una tensione gate-source di 4,5 V. Possiamo sostituire il transistor 2SK241 con qualsiasi tensione di taglio a bassa potenza di 0,5 ... 1,5 V. L'amplificatore operazionale LM358N può essere sostituito con amplificatori operazionali LM158, LM258, LM2904. Interruttori - VZOZZ, pulsante - TS-0108, prese X1-XZ - placcati in oro da una presa smontata di un connettore 2RMT domestico.

Dispositivo per determinare le conclusioni, la struttura e il coefficiente di trasferimento di corrente dei transistor

Tutte le parti sono montate su due breadboard universali da 60x90 mm ciascuna, fissate una sopra l'altra. La scheda superiore contiene la maggior parte dei microcircuiti, indicatori, prese per il collegamento dei transistor in prova, interruttori e un pulsante. Per risparmiare spazio, parte dei microcircuiti si trova sotto gli indicatori e, per facilitare il montaggio degli indicatori, sono installati in prese realizzate con pannelli per microcircuiti (Fig. 5). Il portabatteria, i potenti transistor ad effetto di campo e l'amplificatore operazionale sono installati sulla scheda inferiore (Fig. 6). L'installazione viene eseguita con un filo di rame stagnato unipolare con un diametro di 0,25 ... 0,3 mm con un tubo isolante in PTFE.

Dispositivo per determinare le conclusioni, la struttura e il coefficiente di trasferimento di corrente dei transistor

Per una corretta lettura delle informazioni sulla posizione dei terminali del transistor in prova, le prese per il suo collegamento devono essere posizionate sulla scheda (da sinistra a destra) nella seguente sequenza: XS3, XS2, XS1. Durante l'installazione, i condensatori C1 e C2 vengono installati direttamente sui microcircuiti DD1, DD5, rispettivamente. L'installazione di circuiti ad alta corrente (transistor VT1-VT9, resistori R13, R14) deve essere eseguita con fili corti. Il pin 30 dell'ADC DD10 (IN LO) è collegato a un filo comune all'uscita della sorgente del transistor VT5 per ridurre le interferenze.

La regolazione si riduce alla calibrazione del dispositivo con un resistore R10 in modalità voltmetro, per il quale viene applicata tensione all'ingresso da una sorgente di tensione esemplare. Una selezione del resistore R29 imposta la tensione di gate del transistor VT10 su 0,5 V.

Autore: S. Glibin, Mosca; Pubblicazione: radioradar.net

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