Metodo per la produzione di induttanze per TX. Schema, descrizione

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Metodo per la realizzazione di strozzatori per TX. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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L'induttore per lo stadio di uscita di un trasmettitore ad alimentazione in parallelo è una parte molto importante che può causare una serie di fenomeni spiacevoli, dall'autoeccitazione alla combustione spontanea.

L'induttanza multibanda prodotta tradizionalmente è la linea a quarto d'onda ottimale per la gamma di frequenza più bassa. Le frequenze di risonanza a semionda per altre bande di lunghezza d'onda più corte si trovano spesso vicino alle frequenze operative del trasmettitore, il che causa problemi.

Utilizzando un nucleo di ferrite con una sufficiente permeabilità magnetica iniziale, sembra possibile realizzare una strozzatura, in cui la prima semionda di risonanza sarà localizzata al di fuori delle bande radioamatoriali.

Quindi, l'induttore è avvolto su un'asta di ferrite con una permeabilità di 600 ... 800, un diametro di 8 mm, una lunghezza di 72 ... 75 mm. Filo 0,45 PEV-2. L'avvolgimento è lungo 40 mm, continuo, 25 mm - progressivamente con incrementi da 0,5 a 4 mm (circa 15 giri). Solo 95 giri. L'induttanza ha la prima risonanza a semionda ad una frequenza di 32 MHz. L'induttanza a 1 MHz è 300 mH. Pertanto, vengono forniti parametri abbastanza accettabili nell'intervallo da 1,5 a 30 MHz senza risonanze.

Autore: O. Puzanov (UB5LW); Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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Attualmente, la memoria dinamica (DRAM) è utilizzata principalmente come memoria ad accesso casuale nei dispositivi digitali, ma il suo potenziale in termini di riduzione del consumo energetico e aumento della densità è prossimo all'esaurimento.

Il lavoro della DRAM si basa sulla proprietà dell'elettrone - carica elettrica. Tuttavia, l'elettrone ha un'altra proprietà: lo spin. Gli scienziati hanno suggerito che gli spin possono essere utilizzati per controllare le cellule MRAM. Aggiungendo uno strato di platino spesso solo pochi nanometri alla cellula, i ricercatori sono stati in grado di implementare un nuovo meccanismo per la commutazione dei momenti magnetici che non era mai stato utilizzato prima. Si basa sull'uso della corrente di spin. A causa delle interazioni spin-orbita, la corrente elettrica controlla prima il movimento collettivo degli spin degli elettroni. La corrente di spin cambia quindi in modo efficace e preciso il momento magnetico della cella.

I vantaggi della MRAM includono l'alta velocità e le dimensioni ridotte delle celle, nonché la possibilità di accedere in modo casuale e salvare lo stato in assenza di alimentazione.

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