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Sistema americano JEDEK
Sistema europeo PRO ELECTRON
Sistema JIS giapponese

Sistema americano JEDEK

1a cifra:

1- diodo
2 - transistor
3 - tiristore

Un numero è seguito da una lettera Ne numero di serie.

Esempio: 1N4148, 2N5551

Sistema europeo PRO ELECTRON

Prima lettera - codice materiale:

A - germanio
B - silicio
С - arseniuro di gallio
R - solfuro di cadmio

Seconda lettera - scopo:

A - diodo a bassa potenza
В- varicap
С- transistor a bassa potenza e bassa frequenza
D - potente transistor a bassa frequenza
Е - diodo a tunnel
F - transistor ad alta frequenza a bassa potenza
G - più dispositivi in un caso
Н - magnetodio
L - potente transistor ad alta frequenza
М - Sensore Hall
Р - fotodiodo, fototransistor
Q - Diodo ad emissione luminosa
R - dispositivo di regolazione o commutazione a bassa potenza
S - transistor di commutazione a bassa potenza
T - potente dispositivo di regolazione o commutazione
U - potente transistor di commutazione
Х - diodo moltiplicatore
У - potente diodo raddrizzatore
Z- diodo zener

Esempio: BC547C, BUZ11, BU508

Sistema JIS giapponese

Primo elemento - numero:

0- fotodiodo, fototransistor
1- diodo
2- transistor
3- tiristore

Secondo elemento- lettera S(semiconduttore)

Terzo elemento - tipo di dispositivo:

А - transistor pnp ad alta frequenza
B - transistor pnp a bassa frequenza
С - transistor npn ad alta frequenza
D - transistor npn a bassa frequenza
Е - Diodo Esaki
F - tiristore
G - Diodo Gunn
Н - transistor unigiunzione
I - FET con canale p
К - transistor ad effetto di campo con canale n
М - tiristore simmetrico (semistor)
Q - Diodo ad emissione luminosa
R - diodo raddrizzatore
S- diodo a bassa corrente
Т- diodo a valanga
V - varicap
Z - diodo zener

Quarto elemento sta per numero di registrazione

Il quinto elemento - una o due lettere - indica parametri diversi per un tipo di dispositivo.

Esempio: 2SA273 (A373), 2SD1555Н(D1555)

Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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