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Dispositivi a semiconduttore di potenza. Diodi di potenza. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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diodi - Questi non sono solo componenti singoli, possono essere utilizzati in moduli. Spesso i diodi sono parte integrante dei moduli a transistor. Tipi di moduli a diodi tipici sono mostrati in Fig. 7.7.

Diodi di potenza
Riso. 7.7. Tipici moduli a diodi: a - modulo doppio; b- ponte a diodi; c - ponte trifase; d - modulo transistor a doppio diodo

Diodi per uso generale hanno le seguenti caratteristiche:

  • avere un tempo di recupero relativamente lungo (25 ns);
  • utilizzato in dispositivi a bassa frequenza (1 kHz);
  • avere un livello di corrente elevato (1-10000 A);
  • avere un livello di alta tensione (50-5000 V);
  • di solito prodotto utilizzando un processo di diffusione.

Diodi veloci hanno le seguenti caratteristiche:

  • avere un tempo di recupero piccolo (basso) (inferiore a 5 ns);
  • trovano impiego sia negli alimentatori switching che nei circuiti inverter;
  • avere un livello di corrente sufficientemente alto (1-3000 A);
  • avere un livello di tensione sufficientemente alto (50-2000 V);
  • Per livelli di tensione intorno a 400 V, questi diodi utilizzano un substrato epitassiale per una commutazione più rapida, con un tempo di recupero di 50 ns.

Diodi Schottky hanno le seguenti caratteristiche:

  • il potenziale barriera creato nella giunzione silicio-metallo dell'anodo elimina il problema dell'accumulo di carica; lo strato metallico è depositato su un sottile strato epitassiale N;
  • non ci sono portatori minoritari, quindi il tempo di ricombinazione è zero, e il processo di commutazione dipende solo dai portatori maggioritari;
  • il tempo di recupero è influenzato dalla capacità della giunzione silicio-metallo;
  • hanno una caduta di tensione diretta relativamente bassa dovuta al livello di concentrazione di impurità, che implica un potenziale barriera (0,2-0,9 V);
  • maggiore corrente di dispersione (fino a 100 mA);
  • basso livello di corrente (1-300 A);
  • livello di bassa tensione (<100 V).

Diodi Zener Power (Diodi Zener a semiconduttore) hanno le seguenti caratteristiche:

  • pesantemente drogato e progettato per lavorare nel campo della rottura da valanga;
  • la potenza continua ha un valore medio (250 mW - 75 W);
  • può essere utilizzato per sopprimere le interferenze come limitatore, assorbendo fino a 50 kW per impulso.

Autore: Koryakin-Chernyak S.L.

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