Parametri tecnici di BMT utilizzati nei reattori elettronici. Schema, descrizione

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La tecnologia per la produzione di transistor di potenza bipolari efficienti (BMT) è stata sviluppata diversi anni fa da MOTOROLA ed è stata chiamata H2BIP (Transistor bipolari ad alto guadagno e alta frequenza).

Nota. L'essenza di questa nuova tecnologia è che sulla stessa struttura a semiconduttore, oltre al BMT principale ad alta tensione, viene creato un circuito di sottosaturazione attivo di questo transistor e un diodo antiparallelo integrato tra il suo collettore ed emettitore.

I BMT creati utilizzando questa tecnologia sono caratterizzati dalle migliori combinazioni di indicatori statici, dinamici ed energetici tra i transistor bipolari, mentre hanno una diffusione insignificante (non più di ±0,15 μs) nel tempo di dispersione t_s. Dispositivi di questa serie come BUL45D2, BUL38D, BUL39D, MJE18004D2 e i popolari MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009 sono utilizzati con successo nei reattori elettronici (che attualmente sono prodotti promettenti per il mercato di massa).

I tipi BMT MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009 sono prodotti da molti produttori, quindi al posto di MJE potrebbero esserci designazioni ST, RNE, KSE, HA, MJF, ecc.

A tavola. 3.11 mostra i parametri tecnici del BMT più comunemente utilizzato nei reattori elettronici.

Caratteristiche del circuito

Un'analisi comparativa delle modalità dei tasti di uscita di un tipico reattore elettronico, assemblato secondo un circuito a mezzo ponte e che controlla il funzionamento di due lampade fluorescenti con una potenza di 36-40 W ciascuna ad una frequenza di commutazione di 30-50 kHz , mostra che anche il livello delle perdite di potenza totali sui tasti quando si utilizza BMT tipo BUL45D2, come MJE13005 di MOTOROLA, è un valore molto piccolo (circa 0,5 W per transistor).

Si ottengono approssimativamente gli stessi indicatori quando si utilizzano in queste unità i tipi BMT domestici KT8136A e KT8181A prodotti da OAO ELEKTRONPRIBOR (ZAO FZMT, Fryazino). Nel caso di utilizzo in tali reattori equivalenti in corrente e tensione

Tabella 3.11. Parametri tecnici del BMT utilizzato nei reattori elettronici

Parametri tecnici di BMT utilizzati nei reattori elettronici. Fondamenti di circuiti

Tipo MOSFET IRF830 o tipo IGBT "ultraveloce" IRGB410U da IR, il livello di perdita di potenza su questi MT è 1,5-2 volte superiore (0,8-1,0 W per transistor).

BMT è anche notevolmente più economico dei suoi prototipi concorrenti, il che è di fondamentale importanza per ottenere un piccolo prezzo finale degli alimentatori elettronici, in quanto mirano a sostituire gli inefficienti ma economici alimentatori elettromeccanici (induttanze con starter) attualmente utilizzati nell'illuminotecnica nelle lampade con LL .

Autore: Koryakin-Chernyak S.L.

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