Reattori elettronici in miniatura basati sul chip IR53HD420. Schema, descrizione

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Attenzione! Il design è collegato galvanicamente alla rete elettrica. Potenzialmente in pericolo di vita a causa di possibili scosse elettriche. Pertanto, durante la produzione, il collaudo, la regolazione e il funzionamento, è necessario ricordare la stretta osservanza delle misure di sicurezza elettrica.

Il progetto deve essere realizzato in modo da escludere contatti accidentali con terminali scoperti di conduttori o parti. Durante il controllo del funzionamento della struttura, non toccare con le mani nessuna delle sue parti o circuiti e saldare le parti da sostituire solo quando la spina di alimentazione è staccata dalla presa.

Prendere in considerazione reattore elettronico in miniaturarealizzato su un microcircuito ibrido IR53HD420 (IR51HD420), che ha transistor di potenza incorporati e un diodo boost di tensione. I reattori elettronici subminiaturizzati basati sul chip ibrido IR51HD420 sono progettati per funzionare con lampade singole con una corrente fino a 0,3 A e sono ampiamente utilizzati con lampade fluorescenti compatte. Lo schema strutturale di IR53HD420/IR51HD420 è mostrato in fig. 3.20.

La famiglia IR53Hxxx / IR51Hxxx con transistor di potenza integrati comprende diversi microcircuiti con parametri diversi, le cui caratteristiche principali sono riportate in Tabella. 3.4.

Reattori elettronici in miniatura basati sul chip IR53HD420
Riso. 3.20. Schema strutturale di IR53HD420/IR51HD420

Tabella 3.4. Caratteristiche del chip

Reattori elettronici in miniatura basati sul chip IR53HD420

Nota alla tavola. 3.4. HD - con diodo booster integrato; H - senza diodo.

I parametri principali di IR51HD420 sono simili a IR2151, IR2153. I due transistor HEXFET a canale n (IRFC51) integrati nell'IR420HD420 hanno seguenti parametri:

corrente massima di assorbimento continua I_D -1,2 A;
corrente di drenaggio continua consigliata I_D - 0,7 A;
tensione massima drain-source V_DS - 500 V;
massima potenza dissipata P_D - 2-3 V;
resistenza del canale degli interruttori di potenza nello stato aperto R_DS- 3,0 Ohm.

Lo schema schematico di un reattore elettronico in miniatura è mostrato in fig. 3.21.

Riso. 3.21. Diagramma schematico di un reattore elettronico in miniatura costruito su IR53HD420 (clicca per ingrandire)

Come funziona simile al reattore elettronico sull'IR2153, di cui abbiamo già discusso sopra.

L'induttore del filtro di rete L1 è avvolto su un anello di ferrite K20x12x6 M2000NM con un filo di rete a due fili (o MGTF piegato a metà) fino a riempire completamente la finestra. Buoni risultati di soppressione del rumore in combinazione con dimensioni miniaturizzate sono forniti da filtri EPCOS specializzati: B84110-B-A14, B84110-A-A5, B84110-A-A10, B84110-A-A20.

L'induttore del reattore elettronico L2 è realizzato su un nucleo magnetico a forma di W in ferrite M2000NM. Dimensioni del nucleo Sh5x5 con uno spazio vuoto δ = 0,4 mm sotto tutte e tre le superfici di lavoro del nucleo a forma di W. La dimensione dello spazio nel nostro caso è lo spessore della guarnizione tra le superfici a contatto delle metà del circuito magnetico.

Per realizzare un intercapedine è necessario interporre tra le superfici combacianti delle metà del circuito magnetico delle guarnizioni in materiale amagnetico (fibra di vetro non sventata o getinax) dello spessore di 0,4 mm e fissarle con colla epossidica.

Il valore dell'induttanza dell'induttore (a numero di spire costante) dipende dal valore del traferro amagnetico. Con una diminuzione del divario, l'induttanza aumenta, con un aumento diminuisce.

Avvolgimento L2 - 180 giri di filo PEV-2 con un diametro di 0,25 mm. Isolamento intercalare - tessuto verniciato. Avvolgimento: gira per girare.

Ponte a diodi VD1 - RS207 importato, corrente continua ammissibile 2 A, tensione inversa 1000 V. Può essere sostituito da quattro diodi con i parametri appropriati.

Il chip ibrido IR51HD420 può essere sostituito con IR53HD420, IR51H420, IR53H420.

Consiglio. Quando si utilizza IR51H420, IR53H420, è necessario tenere conto del fatto che questi microcircuiti non dispongono di un diodo boost di tensione integrato (tra i pin 1 e 6) e dovrebbe essere installato. Il diodo utilizzato in questo caso deve essere di classe ultraveloce (superfast) con i seguenti parametri: tensione inversa 400 V; corrente continua diretta consentita - 1 A; tempo di ripristino inverso - 35 ns.

Adatto a 11DF4, BYV26B/C/D, HER156, HER157, HER105-HER108, HER205-HER208, SF18, SF28, SF106-SF109. Il diodo dovrebbe essere posizionato il più vicino possibile al chip.

R3, C5, Sat - Elementi SMD per montaggio superficiale (C6 per 60 V). Condensatori C1, C2, C7 - K73-17. C1, C2 - per 630 V, C7 - per 400 o 630 V; C3 - elettrolitico (due 10 microfarad in parallelo) importato per una tensione nominale di almeno 350 V; C4 - elettrolitico per 25 V; C8 - polipropilene K78-2 per 1000 V.

Varistore RU1 di EPCOS - S14K275, S20K275, sostituire con TVR (FNR) 14431, TVR (FNR) 20431 o domestico CH2-1a-430 V.

R1 - filo 2,2-4,7 Ohm con una potenza di 1-2 W, può essere sostituito con un termistore (termistore) con un coefficiente di temperatura negativo (NTC - Negative Temperature Coefficient) - SCK 105 (10 Ohm, 5 A) o EPCOS - B57234-S10-M, B57364-S100-M.

RK2 è un posistor, lo stesso del ballast elettronico su IR2153.

Il reattore è assemblato su un circuito stampato in lamina di fibra di vetro e inserito in un involucro di schermatura in alluminio. Il circuito stampato e la disposizione degli elementi è mostrato in fig. 3.22. Le raccomandazioni per la messa a punto sono simili a quelle discusse nella sezione sul reattore elettronico sull'IR2153.

Reattori elettronici in miniatura basati sul chip IR53HD420
Riso. 3.22. Circuito stampato e disposizione degli elementi

Autore: Koryakin-Chernyak S.L.

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