ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA Amplificatore a tre vie. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Amplificatori di potenza a transistor La suddivisione del segnale in strisce nel percorso di preamplificazione è un modo efficace per migliorare la qualità della riproduzione del suono. Ciò consente di ridurre la distorsione di intermodulazione, ottenere una caratteristica lineare ampiezza-frequenza in termini di pressione sonora con mezzi relativamente semplici, semplificare la progettazione degli amplificatori di potenza, poiché ciascuno di essi opera in una banda di frequenza ristretta.
I parametri principali:
Ogni canale del dispositivo (amplificatore - stereo) è costituito da un blocco di filtri crossover con coefficienti di trasmissione regolabili separatamente nelle bande di segnale a bassa frequenza (LF), media frequenza (MF) e alta frequenza GHF) e da un canale a tre bande amplificatore di potenza. Il blocco filtro contiene un interruttore di livello del segnale (S1), un controllo del volume (R2), due stadi di amplificazione (VI, V2) con filtri alto (C2R3C3R4C4R5) e basso (R7C6R8C7R9C8) attivati all'ingresso e due follower di emettitore (V3 , V4) anche con filtri di alta (C16R18C17R19C18R20) e bassa (R17C11R14C12R15C13) frequenza in ingresso. Le frequenze di taglio dei primi due filtri sono 400 Hz, i secondi sono 4000 Hz. Pertanto, dal motore del resistore variabile R12, i componenti con una frequenza inferiore a 400 Hz entrano nell'ingresso del corrispondente amplificatore passa-banda, dal motore del resistore R24 - con una frequenza da 400 a 4000 Hz e dal motore del resistore R23 - con una frequenza superiore a 4000 Hz. Ciascuno degli amplificatori di potenza passa-banda (Fig. 1) è realizzato su un amplificatore operazionale e due coppie complementari di transistor.
I circuiti degli amplificatori delle bande MF e LF del segnale sono pressoché identici e si differenziano solo per il fatto che quest'ultimo è coperto da un circuito di retroazione positiva (PIC) per la corrente. Il segnale di questa connessione viene prelevato dal resistore trimmer R10 e inviato attraverso il resistore R9 all'ingresso non invertente dell'amplificatore operazionale A3. Gli stadi di uscita degli amplificatori delle bande di gamma media e bassa funzionano in modalità B, l'amplificatore della banda ad alta frequenza - in modalità AB.
Un diagramma schematico di un alimentatore per amplificatore bipolare è mostrato nella figura seguente. Con l'interruttore S2 è possibile impostare la soglia di protezione elettronica pari a 1 o 3 A. Le tensioni + 18 e -18 V servono per alimentare gli amplificatori delle bande medie e basse, nonché lo stadio di uscita dell'amplificatore di banda alta, +12 e -12 V vengono utilizzati per alimentare l'amplificatore operazionale AJ di questo amplificatore. Il blocco del filtro è alimentato da un regolatore di tensione a bassa potenza sul transistor V8. Oltre a quelli indicati nello schema, negli amplificatori della gamma media e dei bassi, è possibile utilizzare l'OU K140UD6A, KN0UD6B, K140UD8A, K140UD8B, K553UD1 Le coppie complementari di transistor KT502B, KT503B possono essere sostituite dalle coppie KT502G, KT503G; KT502V, KT503V e anche (nell'amplificatore RF) una coppia di transistor KT361E, KT315E. I coefficienti di trasferimento di corrente statica dei transistor sostitutivi devono essere almeno 40. Per ottenere piccole distorsioni non lineari, si consiglia di selezionare una coppia di transistor degli stadi di uscita in base al coefficiente h21e con una deviazione non superiore a ± 10 % (V7, V8 e V13, V14) e ± 20% (tutti gli altri) . I transistor V13-V18 (Fig. 2) devono essere installati su dissipatori di calore a coste con un'area effettiva di 300...400 cm2, transistor V15 e V22 (Fig. 3) - su dissipatori di calore con circa il doppio dell'area. Il trasformatore T1 dell'alimentatore è avvolto su un circuito magnetico toroidale attorcigliato con un diametro esterno di 115, un diametro interno di 60 e un'altezza di 40 mm. L'avvolgimento I contiene 880 giri di filo PEL - 0,6 con un tocco dal 510esimo giro, avvolgimento II - 2 X 70 giri di filo PEL - 1,5. L'induttore L1 è avvolto su un nucleo magnetico costituito da piastre Sh10 (lo spessore del set è di 10 mm). Il suo avvolgimento contiene circa 1000 giri di filo PEL - 0,17. Gli altoparlanti sono realizzati sotto forma di invertitori di fase Le custodie (dimensioni esterne 320 X 240 X 500 mm) sono realizzate in truciolare di 20 mm di spessore. Il woofer è montato sul pannello frontale dall'interno, tutto il resto è all'esterno. Il foro per la testata dei bassi si trova sull'asse verticale di simmetria del pannello ad una distanza di 130 mm dalla parete di fondo, i fori per le testate dei medi e degli acuti sono simmetrici rispetto a questo asse (ogni coppia è sullo stesso livello) ad una distanza rispettivamente di 310 e 420 mm dalla stessa parete e di 130 e 165 mm l'una dall'altra. Le testine midrange sono isolate dal resto del volume del corpo da un cappuccio a forma di mezzo cilindro con un diametro di 130 mm realizzato in duralluminio spesso 0,5 mm. Le semibasi della cappa sono realizzate in lamiera di plastica espansa di 15 mm di spessore. Il foro per il tunnel dell'invertitore di fase (tubo di cartone a parete sottile - 1,5 mm con un diametro interno di 45 mm e una lunghezza di 150 mm) si trova nella parte superiore del pannello frontale tra le teste HF. La frequenza di sintonia dell'invertitore di fase è di 30 Hz. Tutti i collegamenti nell'alloggiamento sono sigillati con plastilina. Le pareti, ad eccezione della facciata, sono rivestite con uno strato di cotone idrofilo compattato (spessore 30 mm) pressato contro di esse con una rete di plastica. La gomma microporosa è posta tra la parete frontale e il corpo. Il blocco filtro viene impostato per primo. Impostando i cursori dei resistori R2, R12, R24 e R23 (Fig. 1) nella posizione superiore (secondo lo schema), viene applicata all'ingresso una tensione alternata di 200 mV con una frequenza di 200, 2 e 000 Hz e vengono misurate le tensioni alle uscite dell'unità. Se tali tensioni sono inferiori a 10 mV, i transistor VI e V000 vengono sostituiti da altri con pendenza maggiore. L'istituzione degli amplificatori di potenza viene eseguita con una corrente di protezione di 1 A. La corrente di riposo dei transistor V13, V14 (circa 100 mA) viene impostata selezionando il resistore R14, la tensione costante minima all'uscita (valore consentito ± 0,1 . .. 0,2 V) - selezionando la resistenza R3*. L'assenza di una tensione costante alle uscite degli amplificatori delle bande midrange e HF si ottiene costruendo resistori R11 e R12. Successivamente, all'ingresso dell'unità filtro viene applicata una tensione di 100 mV con una frequenza di 200 Hz e, selezionando il resistore R7 *, viene impostata una tensione di 10,5 V sull'equivalente di carico dell'amplificatore a bassa frequenza. , a frequenze di 2 e 10 kHz, selezionando i resistori R2 * e R4 *, vengono impostati sul carico equivalente della tensione dell'amplificatore midrange è 10,5 V e sul carico equivalente dell'amplificatore RF - 9V. Infine, viene selezionata la profondità del POS. Collegando gli altoparlanti e impostando i motori dei resistori R12 e R23, R24 (Fig. 1) nella posizione inferiore (secondo lo schema), viene inviato all'ingresso un segnale musicale con una predominanza di suoni bassi. Spostando gradualmente verso l'alto il cursore del resistore R12, si ottiene il suono più piacevole delle frequenze sonore più basse. Vedi altri articoli sezione Amplificatori di potenza a transistor. Leggere e scrivere utile commenti su questo articolo. 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