antenna attiva. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica
Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Antenne VHF
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Sulla fig. 1 mostra uno schema di un'antenna attiva. Negli amplificatori a banda larga utilizzati in tali antenne, la larghezza di banda è solitamente limitata sul lato a bassa frequenza dalla presenza di condensatori di accoppiamento tra gli stadi e sul lato superiore dalle capacità di ingresso degli elementi attivi.
Nella maggior parte dei transistor bipolari ad alta frequenza e bassa potenza, la capacità della giunzione dell'emettitore è raramente inferiore a 20 pF e solo in quelli a microonde di solito si trova nell'intervallo 6 ... 10 pF. I transistor ad effetto di campo hanno una capacità di ingresso inferiore, ma il suo effetto sulle caratteristiche di frequenza è ancora evidente.
Il range operativo dell'amplificatore utilizzato in questa antenna va da 10 kHz a 30 MHz con un guadagno sull'intera banda di circa 4,5 dB (Fig. 2, c). Ciò è stato ottenuto eliminando i condensatori di isolamento tra gli stadi dell'amplificatore e compensando l'influenza della capacità di ingresso del transistor VT1 mediante feedback combinato - negativo a frequenze fino a 10 MHz (attraverso il resistore R7) e positivo a frequenze superiori a 10 MHz (attraverso il condensatore C6). La capacità ottimale di questo condensatore viene selezionata durante la regolazione per ottenere la risposta in frequenza richiesta. Al valore massimo della capacità del condensatore C6, sono possibili anche fenomeni quasi risonanti nella gamma di frequenze superiori a 100 MHz (Fig. 2, b). Se si suppone che l'antenna venga utilizzata fino a 10 MHz, il guadagno dell'amplificatore può essere aumentato a 30 dB (Fig. 2, a). Ciò si ottiene collegando il condensatore C7 in parallelo con il resistore sorgente R6.
All'ingresso dell'amplificatore è presente una lampada al neon limitatrice HL1. In parallelo ad esso è collegato un resistore, il cui valore dipende dalla gamma di frequenza operativa dell'antenna attiva. Se è superiore a 3 MHz, dovrebbe essere di circa 10 kΩ, fino a 3 MHz - 100 kΩ, fino a 0,5 MHz - 3,3 MΩ.
L'impedenza di uscita dell'amplificatore è di 50 ohm.
Nell'amplificatore è possibile la seguente sostituzione dei transistor: VT1 - KP303G o KP307G; VT2-KT3109V; VT3-KT391A-2. Qualsiasi lampada al neon con una tensione di accensione di circa 70 V, ad esempio MN-3, TN-0,95. Condensatori, ad eccezione dell'ossido, tipi ceramici KM-3, KM-4, KM-6. Condensatori all'ossido di tantalio K53-1.
Autore: Z.Najman
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Il reparto storage di Toshiba Europe ha presentato gli SSD interni da 100 x 69,85 x 7 mm basati sulla nuova memoria flash da 15 nm ad alte prestazioni. Il passaggio dalla tecnologia di processo da 19 nm a 15 nm ha consentito non solo di aumentare le prestazioni e ridurre il consumo energetico, ma anche di espandere la capacità massima della linea di unità Toshiba Q300 Pro fino a 1024 GB, ha detto Toshiba a CNews.
Grazie alla memoria TLC a 15 nm (3 bit per cella), le unità Toshiba Q300 sono l'ideale per chi decide di sostituire un disco rigido convenzionale con un SSD veloce, efficiente dal punto di vista energetico e resistente agli urti, secondo l'azienda. I modelli di punta Q300 Pro con tecnologia MLC a 15 nm (2 bit per cella) sono progettati specificamente per workstation ad alte prestazioni per designer, giocatori e utenti professionisti.
Le nuove unità utilizzano l'interfaccia SATA III con compatibilità con le versioni precedenti e una velocità di trasferimento dati massima fino a 6 Gb/s. La tecnologia di memorizzazione nella cache SLC adattiva di Toshiba ottimizza l'elaborazione dei dati e raggiunge velocità di scrittura sequenziale fino a 530 MB/s e velocità di lettura fino a 550 MB/s. Per i modelli Q300 Pro, le velocità massime di lettura e scrittura casuali raggiungono rispettivamente 92K e 63K IOPS, per Q300 - 87K e 83K IOPS.
Il Q300 Pro è disponibile in 1024 GB, 512 GB e 256 GB, mentre il Q300 è disponibile in 960 GB, 480 GB, 240 GB e 120 GB. Tutti i dispositivi supportano l'hardware Command Queuing (NCQ), così come le tecnologie SMART, azzerando TRIM e Patrol Read (quest'ultima - solo in Q300 Pro). Inoltre, i modelli della serie Q300 Pro supportano la tecnologia di correzione degli errori QSBC di Toshiba, che aiuta a proteggere i dati e migliora l'affidabilità dell'unità, afferma Toshiba.
Secondo l'azienda, l'MTBF per tutte le unità Q300 Pro e Q300 è di 1,5 milioni di ore.
Le nuove unità da 15 nm saranno disponibili ad aprile 2016. La serie Q300 Pro viene fornita con una garanzia standard di 5 anni, mentre la Q300 ha una garanzia di 3 anni.
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