Due semplici antenne per 435 MHz e 145 MHz. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica
Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Antenne VHF
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I contrappesi di queste antenne verticali sono supporti sotto forma di coppe metalliche con connettori attaccati ad essi, in cui sono inseriti gli emettitori. L'SWR di entrambe le antenne non è peggiore di 1,2 nella banda del 5% della frequenza di risonanza.
Autore: Helmut Benz, DL4KCJ; Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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Notizie casuali dall'Archivio Driver MOSFET a canale singolo 1EDN7511B e 1EDN8511B Infineon
08.04.2019
Infineon ha presentato i nuovi gate driver EiceDRIVER 1EDN7511B e 1EDN8511B. Questi driver sono ottimi per pilotare MOSFET (famiglie OptiMOS, CoolMOS, MOSFET a supergiunzione, ecc.) e IGBT.
I modelli 1EDN7511B e 1EDN8511B hanno ingressi differenziali compatibili LVTTL con un range di tensione di ingresso di -5...+20V e sono dotati di protezione UVLO 4,2V e 8V.
Le uscite del driver sono in grado di fornire un massimo di 4 A di salita e discesa di 8 A e utilizzano uno stadio rail-to-rail per fornire canali di uscita a bassa impedenza (0,85 ohm e 0,35 ohm). I driver hanno canali di uscita separati per accendere e spegnere il transistor.
I driver hanno una resistenza alla corrente inversa leader del settore (fino a 5 A), eliminando la necessità di diodi Schottky sulle uscite.
I driver sono disponibili in un pacchetto SOT6-23 a 6 pin.
лючевые арактеристики:
uscita salita/discesa corrente 4 A/8 A;
tempo di salita/discesa del segnale: 6 ns/5 ns;
errore di ritardo di propagazione del segnale: +- 5 ns;
protezione da minima tensione UVLO: 4 V e 8 V;
ritardo di propagazione del segnale: 19 ns;
stabilità in ingresso fino a -10 V;
resistenza all'inversione della corrente di uscita fino a 5 A.
Campi di applicazione:
correttori di fattore di potenza (DCM, CCM);
convertitori CC-CC;
alimentatori a commutazione;
rettifica sincrona;
gestione del motore;
Caricatore senza fili.
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