Antenna a otto elementi del tipo Wave channel. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica
Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / Antenne VHF
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Il radioamatore ceco OK1DE ha progettato un'antenna "canale d'onda" a otto elementi, che opera efficacemente nella gamma di 144-146 MHz. Le caratteristiche tecniche dell'antenna sono riportate nella tabella, le curve per modificare l'impedenza di ingresso nell'intervallo sono mostrate in Fig. 1 e il diagramma di radiazione sul piano orizzontale è mostrato in Fig. 2.
Ris.1
Dati tecnici dell'antenna:
- Numero di elementi......8
- Guadagno (rispetto al dipolo convenzionale), dB.......11-12
- Indebolimento del lobo posteriore, dB.......14±16
- Coefficiente d'onda mobile ....... 0,4-0,7
- Lunghezza massima, m......3,81
- Larghezza massima, m.......1,135
Ris.2
Il dispositivo dell'antenna e le sue dimensioni sono mostrati in Fig.3. Le dimensioni sono espresse in mm. Quando si costruisce un'antenna con dimensioni indicate al di fuori delle parentesi, la sua impedenza di ingresso sarà di 300 ohm. Nel caso in cui sia necessario avere un'impedenza di ingresso dell'antenna di 150 ohm, alcune sue dimensioni cambiano e sono riportate tra parentesi. Il materiale per la fabbricazione dell'antenna sono tubi in duralluminio: per tutti gli elementi con un diametro di 10 mm, e per i binari su cui sono fissati gli elementi, con un diametro di 28 mm.
Fig.3 (clicca per ingrandire)
Nell'antenna viene utilizzato un vibratore ad anello attivo. È più facile piegare un tale vibratore in modo freddo come segue. Due rulli con un diametro di 43 mm sono ricavati dal legno massello e fissati su una tavola spessa. La distanza tra i centri dei rulli deve essere di 900 mm. Il tubo destinato al vibratore viene applicato ai rulli, rinforzato in modo che non si muova e piegato attorno alla circonferenza dei rulli.
Gli elementi dell'antenna sono fissati sulla guida con bulloni M3 come mostrato in Fig. 4. Per non deteriorare le prestazioni dell'antenna, devono essere rigorosamente rispettate tutte le dimensioni indicate in Fig. 3, lo spessore dei tubi e le modalità di fissaggio degli elementi e delle rotaie.
Ris.4
Per poter utilizzare i più comuni cavi con impedenza d'onda di 75 ohm (RK-1, RK-3) per l'alimentatore dell'antenna, è necessario collegare il vibratore ad anello dell'antenna con un'impedenza di ingresso di 300 ohm U - ginocchio (Fig. 5, a), che è contemporaneamente alla trasformazione dell'impedenza di ingresso dell'antenna la simmetricarà. La trasformazione dell'impedenza di ingresso dell'antenna da 150 ohm avviene mediante un trasformatore costituito da un cavo.
Ris.5
Tali trasformatori sono descritti nell'articolo di Kharchenko e Isupova "Antenna a zigzag incompleta" ("Radio", 1965, n. 1, pp. 24-27 e pagina 4 della scheda della rivista). La lunghezza ltr del trasformatore per questa antenna è di 342 mm. Per bilanciare l'antenna, l'alimentatore con il trasformatore viene posato lungo il tubo del vibratore ad anello fino al punto di potenziale zero (Fig. 5, b). La guaina isolante esterna non è rimovibile dal cavo. In questo caso, è più conveniente fissare il vibratore ad anello al binario con il lato aperto rivolto verso l'alto (ovvero il lato a cui sono fissate le estremità del trasformatore).
Letteratura
- Radio n. 2 1966, pp. 57-58
Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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I mercati dell'IoT e dei dispositivi indossabili stanno iniziando a decollare e, in questa ondata, TSMC ha ideato una piattaforma tecnologica che può essere utilizzata per lanciare prodotti a bassissima potenza.
La piattaforma include diversi flussi di lavoro che offrono notevoli risparmi energetici, nonché un ecosistema di progettazione che riduce il time-to-market per i nuovi prodotti.
In precedenza, prima di questa piattaforma, TSMC offriva tecnologie di processo 0.18eLL (correnti di dispersione estremamente basse e standard di 0,18 µm), 90uLL (correnti di dispersione ultra basse e 90 nm) e una tecnologia di processo basata su FinFET (18 nm). Ora sono affiancati dai processi di produzione 28ULP, 40ULP e 55ULP (28, 40 e 55 nm, bassissimo consumo energetico). I microcircuiti fabbricati secondo questi processi tecnici sono in grado di funzionare a frequenze di clock fino a 1,2 GHz. Offrendo un'ampia gamma di tecnologie di processo, TSMC consente ai clienti di scegliere la tecnologia di processo più ottimale per ogni specifica applicazione.
La nuova tecnologia di processo, rispetto alla tecnologia di processo della generazione precedente, consente di ridurre la tensione di esercizio dei dispositivi a semiconduttore del 20-30%, riducendo così il consumo di energia, sia in modalità standby che attiva. Di conseguenza, la durata della batteria è estesa. E per i wearable e l'Internet of Things, questo è un momento critico.
TSMC afferma che avvierà la produzione di prova dei primi prodotti 28ULP, 40ULP e 55ULP nel 2015.
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