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ENCICLOPEDIA DELLA RADIOELETTRONICA ED ELETTRICA
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Gruppo diodi KD638AS. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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L'assemblaggio dei diodi al silicio ad alta potenza KD638AS è prodotto utilizzando la tecnologia epitassiale-planare. L'insieme è composto da due diodi aventi un terminale catodo comune. Il dispositivo è destinato all'uso negli alimentatori a commutazione e in altri componenti di apparecchiature ampiamente utilizzate.

Gruppo diodi KD638AS

Gruppo diodi KD638AS, grafico della dipendenza della corrente inversa CC dalla tensione inversa CC

Il gruppo diodi è alloggiato in una custodia di plastica KT-28 con conduttori a piastra rigida (Fig. 1), il peso del dispositivo non è superiore a 2.5 g L'analogo straniero è BYV16-200T.

Principali dati tecnici presso Tav.av.= 25°C (per un diodo)
Corrente costante del diodo inverso con tensione inversa di 200 V, non di più 5 uA
Tensione diretta costante del diodo a corrente continua 8A, non di più in 1.25
Il tempo di recupero inverso del diodo con una corrente diretta di 1 A, una tensione inversa di 30 V, una velocità di diminuzione della corrente diretta di 50 A/μs e una corrente inversa pari a 0.25 del suo valore massimo, non più 35 ns
Resistenza termica, alloggiamento di transizione per l'insieme nel suo insieme, niente di più 1.3 °C/W

Valori limite
La più alta tensione inversa costante del diodo in 200
La corrente diretta media più alta del diodo con funzionamento simultaneo del secondo diodo nella stessa modalità A 8
Massima temperatura di giunzione 150 °C
Limiti del campo di funzionamento della temperatura ambiente -60 ... + 100 °C
Valore consentito del potenziale statico* in 500
*IV grado di rigidità secondo OST 11073.062

Non è consentito far funzionare i diodi ai valori limite di due o più parametri. Quando si monta il gruppo su una tavola, è consentito piegare i cavi non più di due volte ad una distanza di almeno 5 mm dal bordo della custodia con un angolo di 90 gradi. con un raggio di curvatura di almeno 1.5 mm (non è consentito piegare i conduttori nel piano del corpo). In questo caso, è necessario adottare misure per impedire il trasferimento della forza al corpo.

Gruppo diodi KD638AS, caratteristiche di corrente-tensione a diverse temperature dell'involucro Gruppo diodi KD638AS, dipendenza della capacità del diodo da una tensione inversa costante Gruppo diodi KD638AS, dipendenza dalla temperatura della tensione di rottura

La distanza dall'alloggiamento al luogo di stagnatura e saldatura dei cavi non deve essere inferiore a 5 mm. Il numero consentito di risaldature dei terminali di assemblaggio durante le operazioni di installazione e regolazione è tre.

Per ridurre la resistenza termica del corpo del dissipatore di calore, si consiglia di utilizzare pasta termoconduttiva, ad esempio KPT-8 (GOST 19783). Non saldare la piastra del dissipatore di calore del gruppo al dissipatore di calore. Qualora sia necessario isolare l'assieme dal dissipatore, è necessario tenere conto dell'aumento della resistenza termica della giunzione-dissipatore causato dalla guarnizione (o pasta) isolante.

Le dipendenze grafiche dei parametri del gruppo diodi KD638AS sono mostrate in Fig. 2-5. La Figura 2 mostra la dipendenza della corrente inversa costante dalla tensione inversa costante e la Figura 3 mostra le caratteristiche corrente-tensione a vari valori della temperatura dell'alloggiamento. La dipendenza della capacità del diodo dalla tensione inversa costante è mostrata in Fig. 4 e la dipendenza dalla temperatura della tensione di rottura è mostrata in Fig. 5.

Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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