L'utilizzo della memoria 3D V-NAND ti consentirà di creare un SSD da 10 TB 30.11.2014

La memoria flash 3D V-NAND ha già dimostrato il suo valore: non solo offre una maggiore capacità di archiviazione rispetto ai tradizionali chip MLC, ma è anche altamente affidabile, a differenza del famigerato TLC. Sembra che il 3D V-NAND stia per fare un passo avanti nel campo delle unità a stato solido convenienti con volumi paragonabili all'ultima generazione di HDD tradizionali. Stiamo parlando di capacità di 10 terabyte e oltre.

Questa è esattamente l'iniziativa avanzata da Intel Corporation. In una recente riunione degli investitori Intel, è stato annunciato che nella seconda metà del 2015 la joint venture Intel-Micron Flash Technologies inizierà la produzione in serie di chip multistrato da 256 Gb e 384 Gb.

In quest'ultimo caso verranno utilizzate celle a tre livelli. La struttura tridimensionale dei nuovi chip 3D-NAND avrà 32 strati di chip collegati tramite un array di speciali strutture verticali simili al tradizionale TSV (attraverso il silicio via). L'avvento dei chip di memoria flash con questa capacità aprirà la strada alla creazione di unità a stato solido di enorme volume, che semplicemente non sono disponibili oggi. Rob Crooke, vicepresidente della divisione di memoria non volatile di Intel, ritiene che nei prossimi due anni la capacità degli SSD basati sulla nuova tecnologia potrebbe superare i 10 terabyte. In confronto, SanDisk, che voleva creare un SSD da 4 terabyte basato sulle tradizionali tecnologie planari, ha dovuto utilizzare 64 chip eMLC da 512 gigabit (64 GB) mostruosamente costosi, ognuno dei quali contiene quattro die da 128 gigabit in un unico pacchetto. Questi chip sono prodotti utilizzando un processo di produzione sottile e all'avanguardia che ne aumenta i costi, ma non aumenta in alcun modo l'affidabilità.

Ma i chip Intel-Micron "tridimensionali" con una capacità di 256 e 384 gigabit (rispettivamente 32 e 48 GB) utilizzeranno processi tecnici più grandi e molto più economici e allo stesso tempo più affidabili. Sfortunatamente, Intel tace ancora sul tipo di tecnologia di processo in questione. Ma esistono già prototipi funzionanti di SSD basati su chip "256D" da 128 Gb, e uno di questi è stato dimostrato al suddetto evento. Va notato che Samsung sta anche producendo attivamente memorie flash "tridimensionali": i suoi chip da 24 gigabit hanno 32 o 42 strati e utilizzano standard tecnologici insolitamente grandi per gli standard odierni: 86 nanometri. La "capacità apparente" di questi microcircuiti è di 256 Gbit; Samsung sembra andare sul sicuro, volendo evitare a tutti i costi ipotetici problemi con la nuova tecnologia. In questo contesto, il progetto Intel-Micron, che parte subito con una capacità di XNUMX gigabit, sembra molto più ambizioso, ma il costo del prodotto finale con questo approccio sarà notevolmente inferiore. E, naturalmente, anche gli utenti ordinari ne trarranno vantaggio.

Ma anche se i nuovi chip Intel hanno un migliore rapporto prezzo-capacità, la capacità dell'alleanza Intel-Micron di produrli non ci permette ancora di parlare di un serio impatto sul mercato NAND. Secondo ChinaFlashMarket.com, la fabbrica dell'alleanza IMFT può produrre circa 70 wafer da 300 mm al mese e questo numero include diversi tipi di memoria. L'utilizzo degli stabilimenti IMFS e MTV potrebbe produrre da 80 a 40 wafer da 300 mm al mese, ma non è nulla in confronto alla capacità di Samsung. Solo uno degli stabilimenti del colosso sudcoreano, costruito appositamente per la produzione di nuovi tipi di memorie flash, è in grado di produrre 100 wafer al mese, mentre il resto degli stabilimenti produttivi di Samsung, adatti allo stesso scopo, può fornirne oltre 400 wafer nello stesso periodo di tempo.

In altre parole, i nuovi chip di memoria flash multistrato di Intel potrebbero non rivoluzionare l'intero mercato degli SSD, ma renderanno i modelli ad alta capacità più accessibili agli utenti e consentiranno all'azienda di rafforzare significativamente la propria posizione in questo settore della microelettronica. Si prevede che le divisioni NAND e SSD di Intel avranno un fatturato combinato di circa 2014 miliardi di dollari nel 2 e l'introduzione di nuovi chip multistrato da 256 Gigabit aumenterà questa cifra nei prossimi anni.