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PAROLE ALATE, UNITÀ FRASEOLOGICHE
Elenco / Parole alate, unità fraseologiche / Morva silenziose

Parole alate, unità fraseologiche. Significato, storia d'origine, esempi d'uso

Parole alate, unità fraseologiche

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morva tranquille

Lingua francese
Lingua francese

Fraseologismo: Ghiandole furbe.

Significato: Di nascosto, di nascosto, impercettibilmente.

origine: L'espressione è associata al discorso dei militari. Sapa era uno scavo o fossato, che veniva praticato durante l'offensiva delle truppe in aree aperte per un approccio nascosto e impercettibile alla posizione del nemico. La parola sapa è presa in prestito dal francese, dove sape significa "trincea, tunnel". È venuto in francese dall'italiano: zappa - vanga, zappa.

Fraseologia casuale:

E vivrai sulla terra come vivono i vermi ciechi...

Significato:

Sul trascinare un'esistenza non invidiabile.

origine:

Il finale di una versione rivista della poesia di M. Gorky (che era stata precedentemente inclusa nel racconto "About the Little Fairy and the Young Shepherd", 1895), scritta all'inizio del 1900: "E vivrai sulla terra, // Che cieco i vermi vivono: // Niente favole su Non te lo diranno, / Non canteranno canzoni su di te."

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Sostituzione del silicio per ridurre le dimensioni del transistor 06.12.2020

Il silicio è stato il materiale di microchip dominante per decenni, ma il suo dominio potrebbe finire. I ricercatori del MIT hanno scoperto che una lega di arseniuro di indio e gallio potrebbe essere la base per realizzare transistor più piccoli e più efficienti dal punto di vista energetico.

I transistor sono gli elementi costitutivi dei computer. Agiscono come interruttori, interrompendo la corrente elettrica o consentendole di continuare, garantendo così il funzionamento dei computer. Tuttavia, affinché la crescita della potenza del computer non si fermi, sono necessari transistor più compatti. Oggi la produzione di semiconduttori si basa sul silicio, ma ci sono alternative. Ad esempio, arseniuro di indio gallio (InGaAs).

Questo materiale ha eccellenti proprietà di trasporto degli elettroni. I transistor InGaAs possono elaborare i segnali rapidamente e funzionare a una tensione relativamente bassa, il che significa che possono davvero migliorare le prestazioni dei computer. Ma c'è un problema, scrive MIT News. Su piccola scala, il famoso trasporto di elettroni di questo composto è degradato. Questo problema ha portato alcuni ricercatori a dichiarare InGaAs un materiale inadatto alla produzione di transistor.

Tuttavia, gli scienziati del MIT hanno scoperto che i problemi di prestazioni dell'arseniuro di indio e gallio sono in parte dovuti all'intrappolamento dell'ossido, che rende più difficile il passaggio degli elettroni attraverso i transistor.

Dopo aver studiato la loro dipendenza dalla frequenza - la velocità con cui gli impulsi elettrici viaggiano attraverso un transistor - hanno notato che le prestazioni di InGaAs diminuiscono alle basse frequenze. Ma a una frequenza di 1 GHz o più, la connessione funziona perfettamente, non peggio del silicio.

Gli scienziati sono fiduciosi che questo problema possa essere risolto o ridotto a nulla, e sperano anche che la loro scoperta stimolerà nuove ricerche sull'arseniuro di indio gallio.

I nanotubi di carbonio potrebbero essere un'altra alternativa al silicio nei transistor ad effetto di campo, ma finora sono stati prodotti in piccole quantità nei laboratori. Specialisti degli Stati Uniti hanno proposto una tecnologia per la creazione di CNFET su scala industriale.

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