Non hanno imparato nulla e non hanno dimenticato nulla. Significato, origine, esempi dell'uso delle unità fraseologiche

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Parole alate, unità fraseologiche. Significato, storia d'origine, esempi d'uso

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Non hanno imparato nulla e non hanno dimenticato nulla

Lingua francese

Fraseologismo: Non hanno imparato nulla e non hanno dimenticato nulla.

Significato: A proposito di revanscisti politici.

origine: Dal francese: "Us n" ont rien appris, ni rien oublie" Erroneamente attribuito a Napoleone, Talleyrand e altri. Parole tratte da una lettera (1796) dell'ammiraglio francese de Pan al famoso giornalista della Rivoluzione francese, Malle du Pan. L'ammiraglio significava i realisti (dalla parola francese "reale" - "reale") Questi sostenitori del rovesciato potere reale in Francia, si ravvivarono durante il periodo del Direttorio (1794-1799), sperando in una rapida restaurazione della monarchia. L'espressione conobbe una seconda nascita dopo la restaurazione dei Borboni sul trono di Francia (1814 -1830) e passò alla storia come un ironico commento al comportamento degli ultimi rappresentanti di questa dinastia, che tornarono per qualche tempo al potere. La lettera dell'ammiraglio divenne ampiamente nota (1851), quando fu pubblicata a Parigi la corrispondenza del giornalista Malle du Pan.

Fraseologia casuale:

Dì una parola sul povero ussaro.

Significato:

È usato come richiesta scherzosa per ricordare qualcuno, per non dimenticare.

origine:

La prima riga e il nome del 1982° secolo popolare in Russia. romanza. L'espressione ha guadagnato particolare popolarità dopo l'uscita del film "Say a Word About the Poor Hussar" (XNUMX, diretto da Eldar Ryazanov).

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Celle di memoria ROM multilivello 28.06.2013

Toshiba e TSMC hanno sviluppato una maschera di memoria MROM (sola lettura) che ha un'elevata densità di dati memorizzando pochi bit per cella.

Convenzionalmente, la maschera ROM è formata dall'intersezione di una singola parola e linee di bit e memorizza un singolo bit in una cella, a seconda che il diodo le colleghi o meno. Tuttavia, a causa dell'instabilità del processo di produzione nelle tecnologie avanzate e del restringimento dell'area del canale del transistor della cella, il tempo di accesso nel processo a 40 nm è aumentato rispetto alla generazione precedente di processi.

Al VLSI Circuits Symposium la scorsa settimana a Kyoto, in Giappone, Toshiba ha annunciato di aver sviluppato una cella multi-bit che copre il doppio dell'area di una cella standard a livello singolo.

L'articolo considera una cella programmabile a tre fili (TWPC), che consiste in un singolo transistor con tre linee di bit e memorizza due bit di dati nella cella. Toshiba ha rilasciato memoria in un processo a 40 nm in un chip di prova da 1 Mbit e ha riportato un miglioramento del 38% nel tempo di accesso attraverso l'uso di TWPC. Il consumo di energia in modalità attiva e in modalità standby è mantenuto allo stesso livello di una cella standard. Il circuito triplica inoltre le caratteristiche di funzionamento della cella senza alcuna variazione della capacità di memoria per unità di area. Ciò riduce l'impatto dell'instabilità nel processo di produzione del 42%, ha affermato Toshiba.

Lo scopo principale di una MROM è archiviare dati scaricabili o organizzare ROM che possono poi, all'accensione dell'hardware, caricare altro software dalla memoria non volatile. Tuttavia, la quantità di MROM richiesta per le applicazioni system-on-a-chip è in aumento per dispositivi come smartphone e tablet.

Toshiba ha affermato che la società mira a portare sul mercato SoC per applicazioni digitali nel 2014 che implementano una cella MROM multi-bit. Tuttavia, in un articolo successivo all'annuncio di Toshiba, il fornitore di chip per fonderia TSMC ha affermato di aver creato una cella ROM a due bit utilizzando un processo a 28 nm. L'articolo considera uno schema di decodifica in due fasi adatto per la lettura a filo singolo o differenziale. TSMC ha riferito che il design del processo a bassa potenza a 28 nm migliora il tempo di accesso del 30% ed è alimentato da una tensione inferiore di 190 mV.

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