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matita bottiglia. Messa a fuoco segreta

Trucchi spettacolari e loro indizi

Elenco / Trucchi spettacolari e loro indizi

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Descrizione del focus:

Il mago mostra al pubblico una normale matita e una normale bottiglia vuota. Dopodiché, abbassa la matita nella bottiglia e dice al pubblico:

- Ora tirerò fuori una matita senza toccare la bottiglia con le mani.

Il mago si avvicina al tavolo, inizia a fare passaggi magici sulla bottiglia e alza lentamente le mani. Una matita emerge lentamente dalla bottiglia e sembra sospesa nell'aria. Il mago abbassa le mani e la matita, obbedendo alle azioni del mago, si nasconde di nuovo nella bottiglia.

Segreto di messa a fuoco:

Il segreto della messa a fuoco è nella matita. Per prepararlo, devi prendere una matita e un ago riempito con una sottile lenza. Usando un ago, tira la linea sopra i bordi della matita in modo che il suo centro di gravità sia sotto la linea).

Bottiglia di matita di messa a fuoco

Quando fai passaggi magici sulla bottiglia, pizzichi impercettibilmente le estremità della lenza tra le dita. Questo deve essere fatto, ovviamente, in modo che il pubblico non veda. E puoi usare la bottiglia più ordinaria.

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Nella memoria FeRAM disponibile in commercio, l'elemento di commutazione è solitamente costituito da una piezoceramica, vale a dire titanato di zirconato di piombo (PZT). La proprietà del materiale di mantenere la polarizzazione anche dopo la rimozione di un segnale di controllo esterno - un campo elettromagnetico - conferisce alla memoria FeRAM la sua più importante proprietà di indipendenza energetica. Conserva i dati anche quando l'alimentazione è spenta. Imitare il lavoro del cervello - questo è estremamente importante. Ma nella sua forma attuale, la cella FeRAM è troppo grande e il "cervello" con il suo utilizzo sarà molto, molto grande.

Per la produzione di sinapsi artificiali, sono convenienti strutture a film sottile spesse pochi atomi: questo darà piccole dimensioni, alta densità e basso consumo energetico. Si è scoperto che il materiale ferroelettrico piuttosto promettente per le sinapsi artificiali a film sottile è l'ossido di afnio (HfO2). Questo materiale è perfettamente depositato da un mezzo gassoso utilizzando metodi moderni per creare strutture a film sottile con alta precisione e sotto controllo affidabile. Le temperature dei processi di produzione del film sono compatibili con la tecnologia di processo CMOS e non bruceranno gli elementi del chip durante il processo di fabbricazione del chip.

Un certo problema era che le proprietà ferroelettriche dell'HfO2 sono relativamente instabili, ma l'aggiunta di zirconio (Zr) ha risolto questo problema. Pertanto, il composto afnio-ossido di zirconio (HZO) ha dimostrato di essere uno dei forti candidati per la fabbricazione della memoria utilizzando materiali ferroelettrici e promette di rivoluzionare il memory computing.

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