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Sviluppo della memoria non volatile CeRAM

06.02.2014

Un'innovativa tecnologia di memoria non volatile che può scalare meglio e funzionare meglio della memoria flash e della memoria resistiva tradizionale (ReRAM) ha catturato l'interesse delle principali ARM Holdings dell'architettura del processore. La memoria CeRAM (RAM di elettroni correlati, memoria con un elettrone correlato) è attivamente promossa da Symetrix. ARM, a sua volta, sostiene la sua ricerca.

Symetrix, ARM, l'Università del Colorado e l'Università del Texas sono coinvolti nel progetto di ricerca sulla memoria CeRAM. Gli obiettivi specifici, la durata e il budget del progetto non sono stati annunciati, ma il partecipante allo studio, il professor Araujo (Araujo), ha osservato che Symetrix riceverà presto dati importanti sui dispositivi CeRAM utilizzando un microscopio a forza atomica, che consente di guardare i dettagli come piccolo come 5 nm. Questi dati dovranno dimostrare le proprietà di "nuova commutazione" del dispositivo.

L'intensa ricerca su tecnologie come ReRAM e CeRAM si spiega con il fatto che la memoria flash si sta avvicinando alla sua barriera tecnologica e sarà molto problematico sviluppare dispositivi che utilizzino processi di produzione inferiori a 10-20 nm. Pertanto, l'industria ha bisogno di sviluppi fondamentalmente nuovi. Per quanto riguarda ReRAM, i ricercatori devono affrontare molte barriere nello sviluppo di questa tecnologia. Comprendere i processi fisici di formazione e distruzione dei cosiddetti fili conduttivi nello strato isolante tra gli elettrodi superiore e inferiore nella memoria ReRAM si è rivelato difficile e senza di esso è difficile andare avanti.

A differenza di ReRAM, CeRAM è una memoria resistiva che utilizza gli stessi ossidi di metalli di transizione (TMO) come NiO, ma non utilizza filamenti o elettroformatura. Invece, CeRAM mostra gli effetti quantistici della correlazione della posizione degli elettroni, da cui prende il nome. Nella struttura CeRAM si distingue la regione attiva TMO, che separa i due strati TMO conduttivi, mentre in ReRAM, l'ossido di metallo di transizione occupa l'intera regione tra gli strati metallici.

I TMO hanno gusci atomici 3d o 4d incompleti che attraversano una giunzione metallo-isolante. Nel caso di NiO, una tensione di 0,6 V è sufficiente per registrare uno stato isolato e 1,2 V per registrare uno stato conduttivo. Non richiede transizioni di fase termodinamiche, come nella ReRAM tradizionale.

La velocità di commutazione delle celle di memoria CeRAM può raggiungere decine di femtosecondi e la tensione di alimentazione durante la lettura è solo di circa 0,1-0,2 V. Lo stato della memoria rimane stabile anche se riscaldata fino a 400 gradi Celsius.

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Televisione tramite presa 18.02.2013

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MGTS ha offerto agli abbonati nuove apparecchiature: adattatori PLC che consentono di trasmettere un segnale televisivo digitale nell'appartamento a una velocità fino a 200 Mbit / s utilizzando il normale cablaggio domestico. Gli adattatori sono inseriti in prese, fornendo una connessione modem ottico con un decoder TV digitale tramite la rete elettrica. Grazie a ciò, l'abbonato può utilizzare tutti i servizi di televisione digitale in qualsiasi stanza, anche in qualità HD, senza posa di cavi aggiuntivi nell'appartamento.

"Grazie al progetto di trasferimento della rete MGTS alla nuova tecnologia ottica GPON, i moscoviti hanno l'opportunità di collegare la moderna televisione IP di alta qualità in ogni appartamento. La maggior parte degli abbonati desidera utilizzare la TV senza posare cavi aggiuntivi per mantenere le riparazioni nel appartamento ed essere in grado di collegare una TV in qualsiasi stanza. Nuovo, l'attrezzatura fornisce una connessione di alta qualità in un appartamento di qualsiasi dimensione e disposizione, è estremamente facile da usare, non richiede impostazioni speciali ", ha affermato Dmitry Kulakovsky, Marketing e sviluppo aziendale Direttore presso MGTS.

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