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La memoria flash Toshiba da 19 nm di seconda generazione

16.11.2013

Toshiba ha annunciato il rilascio di nuovi moduli di memoria flash NAND incorporati in cui i circuiti integrati (CI) NAND sono integrati utilizzando la tecnologia a 19 nm di seconda generazione. Questo modulo è completamente compatibile con il più recente standard eMMC ed è progettato per l'uso in un'ampia gamma di prodotti digitali di consumo, inclusi smartphone, tablet e videocamere digitali. La produzione in serie inizierà da fine novembre.

La domanda continua a crescere per circuiti integrati di memoria flash NAND ad alta densità che supportano video ad alta definizione e storage avanzato. Ciò è particolarmente vero quando è richiesta una memoria incorporata con una funzione di controllo (eMMC), che riduce al minimo i requisiti di sviluppo e facilita l'integrazione della memoria nei prodotti.

Il nuovo modulo di memoria embedded da 32 GB dell'azienda integra quattro circuiti integrati NAND basati su tecnologia Toshiba a 19 nm di seconda generazione da 64 GB (8 GB equivalenti) ciascuno e un controller dedicato. Tutto questo è racchiuso in un pacchetto compatto che misura 11,5 x 13 x 1,0 mm. Il modulo è compatibile con lo standard JEDEC eMMC versione 5.0 pubblicato da JEDEC a settembre di quest'anno e fornisce elevate prestazioni di lettura e scrittura adottando il nuovo standard di interfaccia ad alta velocità HS400.

Toshiba offrirà circuiti integrati NAND in una linea di moduli di memoria flash NAND incorporati a pacchetto singolo che vanno da 4 GB a 128 GB. Tutti saranno integrati con un controller che controlla le funzioni di base dell'utilizzo della NAND. Dopo i moduli da 16 GB e 32 GB, Toshiba rilascerà anche moduli da 4 GB, 8 GB, 64 GB e 128 GB. Per i prodotti fabbricati, sono dichiarate velocità di lettura fino a 270 MB/s e velocità di scrittura di 50-90 MB/s.

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