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Gli scienziati hanno aumentato la velocità dei transistor bipolari

27.09.2006

I ricercatori britannici della School of Electronics and Computer Science dell'Università di Southampton nel Regno Unito hanno proposto una nuova tecnologia che potrebbe teoricamente raddoppiare la velocità dei transistor bipolari rispetto alle soluzioni esistenti.

La tecnica, sviluppata sotto la guida del professor Peter Ashburn, consiste nel modificare il processo di fabbricazione standard dei transistor bipolari aggiungendo un'impurità di fluoro. L'impurità di fluoro viene utilizzata per limitare la diffusione del boro nella base del transistor. Questo, a sua volta, porta ad una diminuzione dello spessore della base, che permette di aumentare la velocità degli elettroni.

Secondo i ricercatori, durante gli esperimenti sono riusciti a raggiungere una frequenza di 110 GHz, che è il doppio del record precedente per i transistor bipolari. Gli scienziati sottolineano che con alcuni miglioramenti tecnologici, la diffusione del boro nella base può essere ridotta di un altro 50 per cento. I transistor bipolari sono ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per telefoni cellulari e apparecchiature di rete wireless.

L'applicazione pratica della tecnica proposta ti consentirà di creare dispositivi significativamente più veloci con un leggero aumento dei costi di produzione, osserva Physorg.

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