Accensione elettronica. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica
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Lo schema proposto (Fig. 1) è destinato all'installazione su veicoli con sistema di accensione a contatto.
(clicca per ingrandire)
Presenta i seguenti vantaggi:
- potenza della scintilla aumentata;
- i contatti dell'interruttore non bruciano;
- non è necessaria alcuna resistenza nel circuito della bobina di accensione;
- quando l'accensione è inserita, ma il motore non è in funzione, il circuito si spegne senza intoppi, senza scintilla.
La potenza della scintilla in questo circuito dipende dalla temperatura di VT2, e diminuisce a motore caldo e aumenta a freddo, facilitando così l'avviamento.
Quando si chiudono e si aprono i contatti dell'interruttore SK, l'impulso passa attraverso C1, aprendo brevemente VT1 e VT2. Quando VT2 si chiude, si verifica una scintilla. C2 attenua il picco dell'impulso di tensione. R6 e R5 limitano la tensione massima sul collettore VT2. Quando viene raggiunta la tensione desiderata, VT2 si apre leggermente, limitando l'ulteriore crescita della tensione.
La tensione di apertura VT2 dipende dal valore di Ube che, a sua volta, dipende dalla temperatura. Quando i contatti dell'interruttore sono aperti, VT1 e VT2 sono chiusi. Con contatti a lunga chiusura, la corrente attraverso C1 diminuisce gradualmente, rispettivamente, e VT1 e VT2 si chiudono dolcemente, proteggendo la bobina di accensione dal surriscaldamento.
Dettagli: C1 - tipo KM o K73. R6 fornisce la stabilizzazione della tensione di uscita. Il suo valore è selezionato per una specifica bobina di accensione. Nel diagramma è indicato il valore di R6 per la bobina B115. I suoi parametri principali sono: Ri=1.6 Ohm, I<8A, Ui<330 V. Rapporto di trasformazione K=68. Per bobina B116 (Ri=0,6 ohm, Ii<20 A, Ui<160 V, K=154) R6=11 k. Per questa bobina, è meglio utilizzare transistor KT2A come VT898.
Per migliorare l'affidabilità del circuito, è meglio utilizzare un transistor composito VT2, come mostrato in Fig. 2.
Autore: P. Bryantsev, regione di Tyumen, distretto di Uvatsky, villaggio di Ivanovka; Pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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tedesco (Germanane) - un monostrato di germanio - può essere richiesto nell'elettronica grazie alle sue proprietà uniche e alla facilità di fabbricazione. I ricercatori dell'Ohio State University di Columbus hanno sviluppato un nuovo metodo per depositare germanio in monostrati (cioè strati spessi un atomo), aumentando l'efficienza di un fattore 10 rispetto al silicio e creando un metodo di produzione più semplice rispetto ai materiali di prossima generazione come grafene (un monostrato di atomi di carbonio).
"Siamo stati in grado di fabbricare un analogo al germanio del grafene, cioè monostrati che si legano con l'idrogeno allo stesso modo del grafene, ma che sono molto più facili da produrre", ha affermato il professore della Ohio University Joshua Goldberger. "Nel processo, trasformeremo da un materiale con bandgap indiretto a un materiale con bandgap diretto, che ne consente l'utilizzo anche per scopi ottici.
Goldberger afferma di aver sintetizzato per la prima volta reticoli cristallini puri di dimensioni millimetriche di germanio legato all'idrogeno (GeH) mediante deinterizzazione topochimica di GaGe2. Goldberger descrive questo materiale come una sostanza di van der Waals stratificata simile al grafene legato (CH). Goldberger ha chiamato il suo materiale "germanan" per indicare la somiglianza con una versione monostrato di grafene chiamata grafane.
A parte il fatto che il nuovo materiale è basato sul germanio anziché sul carbonio come il grafene, la differenza più significativa è che il germanano sarà più facile da coltivare utilizzando apparecchiature a semiconduttore standard rispetto al grafene. Goldberger prevede che i nuovi materiali saranno utilizzati nei dispositivi optoelettronici di prossima generazione e nei sensori avanzati, poiché i calcoli mostrano che la mobilità degli elettroni sarà 5 volte migliore del germanio sfuso (10 volte superiore al silicio) con un gap di banda di 1,53 eV, che è leggermente più di quello dell'arseniuro di gallio.
I ricercatori del grafene hanno già dimostrato che le proprietà elettroniche dei monostrati semiconduttori possono essere significativamente migliori di quelle dei materiali sfusi e sono stati compiuti numerosi sforzi per creare monostrati funzionali di strutture cristalline connesse in modo diverso. L'elevata mobilità del vettore va a scapito dell'eccellente qualità della topologia ultrasottile, ma se questi monostrati sono legati per un'applicazione specifica, i materiali ultrasottili possono anche diventare più sensibili alle applicazioni sensoriali rispetto ai materiali sfusi.
Storicamente, è stato il germanio a diventare il primo semiconduttore utilizzato nell'elettronica. È successo nel 1947 presso AT&T Bell Labs. E solo decenni dopo, i ricercatori sono riusciti a superare una serie di problemi per rendere possibile l'uso del silicio nell'elettronica. Sembra che la situazione con i nuovi materiali monostrato per l'elettronica possa ripetere la storia.
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