Nuovi schemi di ricevitori radio superrigenerativi per esperimenti VHF. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica
Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / ricezione radiofonica
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L'articolo N1TEV "New Super-Regenerative Circuit for Amateur VHF and UHF Experimentation" descrive diversi circuiti per ricevitori radio VHF super rigenerativi. L'autore descrive la storia della creazione e il principio di funzionamento di tali ricevitori. Vengono forniti i loro schemi "classici" su lampade e transistor.
Ad esempio, le Figure 1...3 mostrano schemi di super-rigeneratori a 144 MHz, realizzati secondo circuiti tradizionali.
Ris.1
Ris.2
Ris.3
Inoltre, l'autore considera il funzionamento dei superrigeneratori per FM a banda stretta e propone tre progetti sperimentali di ricevitori da lui realizzati. Il circuito di base del super rigeneratore a 144 MHz da lui proposto è mostrato in Fig. 4.
Ris.4
1. Ricevitore super rigenerativo per banda 38-54 MHz.
Il circuito contiene un preamplificatore ad alta frequenza su un transistor ad effetto di campo Q1, un rilevatore super rigenerativo sul transistor Q2 e un amplificatore di audio frequenza su un chip U1 del tipo LM386N. Il transistor Q4 ha un regolatore di tensione per l'alimentazione degli stadi ad alta frequenza (regolando la tensione, imposta anche la modalità di super-rigenerazione).
Ris.5
La figura 6 mostra il progetto della bobina L2. Contiene 7 spire di filo con un diametro di 0.8 mm su un mandrino con un diametro di 6,5 mm. Lunghezza avvolgimento bobina - 25 mm. il ritiro viene effettuato dal centro. La bobina si trova ad una distanza di circa 18 mm dal "terreno". Induttanze L1 e L3 - standard 33 μg.
Ris.6
Il design del ricevitore a 38-54 MHz.
2. Ricevitore super rigenerativo per 118-136 MHz (Air-band)
Questo design è simile al precedente, ma qui viene aggiunto un circuito di riduzione del rumore, realizzato sul chip U2 e sul transistor Q3.
Ris.7
In questo design, la bobina L2 contiene 5 spire ed è simile nel design a quella sopra descritta.
3. Ricevitore super rigenerativo per banda 88-180 MHz.
Lo schema è simile a quello sopra. La gamma è divisa in due sezioni 88-150 MHz e 120-180 MHz e viene commutata dall'interruttore a levetta S1. La larghezza di banda del ricevitore nell'intervallo 15-250 kHz è regolata dai resistori R6 (Rqw) e R5B. Con R6=0 la larghezza di banda è massima.
Ris.8
Il design della bobina L2 è mostrato in Fig. 9. Contiene 3,5 giri di filo con un diametro di 0.8 mm su un mandrino con un diametro di 6,5 mm. Lunghezza avvolgimento bobina - 25 mm. il ritiro viene effettuato dal centro. La bobina si trova ad una distanza di circa 18 mm dal "terreno". Induttanze L1 e L3 - standard 15 μg.
Ris.9
Strutturalmente, i ricevitori sono montati in superficie su una breadboard con una superficie metallizzata su un lato. Le connessioni tra i componenti sono realizzate con ponticelli minimamente corti (probabilmente, il montaggio su "patch" secondo il metodo di Zhutyaev è qui più accettabile).
Il design del ricevitore a 88-180 MHz.
Autore: Charles Kitchin, N1TEV, traduzione e pubblicazione: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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Il materiale grafene, che è una struttura bidimensionale piatta di atomi di carbonio, è promettente per molte applicazioni. Ma per poterlo utilizzare è necessario effettuare il doping, cioè l'introduzione di impurità al fine di modulare le proprietà elettriche del materiale, o altre lavorazioni. La lega può essere un processo costoso e difficile. Ma un gruppo di scienziati del Massachusetts Institute of Technology e dell'Università della California a Berkeley sono riusciti a sviluppare un metodo di elaborazione semplice e relativamente poco costoso che può sbloccare il potenziale del grafene.
Questo nuovo metodo è descritto in un articolo pubblicato nell'ultimo numero della rivista Nature Chemistry. Gli scienziati sono da tempo interessati alle possibili applicazioni del grafene nelle celle solari, nei dispositivi termoelettrici, nei dispositivi di filtrazione dell'acqua e in una miriade di altre applicazioni. Il grafene puro manca di alcune delle proprietà richieste dai dispositivi a semiconduttore. Ma l'aggiunta di atomi di ossigeno aggiunge queste proprietà, dicono i ricercatori.
I metodi esistenti non consentono una distribuzione prevedibile di atomi di ossigeno lungo la superficie del grafene. Inoltre, prevedono l'uso di sostanze chimiche aggressive o un regime di temperatura di 700-900 gradi Celsius. Il nuovo approccio consente di migliorare il grafene utilizzando basse temperature dell'ordine di soli 50-80 gradi Celsius. Non sono necessari additivi chimici. Gli scienziati attribuiscono la scalabilità flessibile ai vantaggi del loro metodo, che è importante per le applicazioni commerciali.
Il processo di ricottura a bassa temperatura modifica la distribuzione degli atomi di ossigeno senza modificare la struttura complessiva del grafene. La resistenza elettrica del materiale in questo caso può essere ridotta di 4-5 volte. È interessante notare che con questo metodo è possibile ottenere nella struttura del materiale regioni separate di grafene puro tra regioni con atomi di ossigeno, che hanno le proprietà dei cosiddetti "punti quantici" (possono essere utilizzati in luce altamente efficiente erogatori). Separatamente, si nota un'elevata capacità di assorbire la luce. Rispetto al tradizionale ossido di grafene non trattato, il nuovo metodo crea un materiale con un miglioramento del 38% nell'efficienza di assorbimento dei fotoni.
Secondo gli scienziati, il loro metodo aprirà molte utili applicazioni per il grafene.
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