Transistori IRF710 - IRF744. Dati di riferimento
Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / materiali di riferimento
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Modello |
L'azienda |
Usi, V |
Ic, A |
Psi, W |
S, mA/V |
Copus |
tipo |
IRF710 |
SAM |
400 |
2.0 |
36 |
1000 |
TO220AB |
Canale N |
IRF710 |
IR |
400 |
2.0 |
36 |
1000 |
TO220AB |
Canale N |
IRF7103 |
IR |
50 |
3.0 |
2.0 |
3800 |
SO8 |
Canale N |
IRF7104 |
IR |
20 |
2.3 |
2.0 |
2500 |
SO8 |
Canale P |
IRF7105 |
IR |
25 |
3.5 |
2.0 |
4300 |
SO8 |
Canale N&P |
IRF720 |
IR |
400 |
3.3 |
50.0 |
1700 |
TO220AB |
Canale N |
IRF7204 |
IR |
20 |
5.3 |
1.6 |
7900 |
8-S0IC |
Canale P |
IRF730 |
IR |
400 |
5.5 |
74 |
2900 |
TO220AB |
Canale N |
IRF730 |
SAM |
400 |
5.5 |
74 |
2900 |
TO220AB |
Canale N |
IRF730 |
ST |
400 |
5.5 |
74 |
2900 |
TO220AB |
Canale N |
IRF730 |
SIL |
400 |
5.5 |
74 |
2900 |
TO220AB |
Canale N |
IRF730 |
HARR |
400 |
5.5 |
74 |
2900 |
TO220AB |
Canale N |
IRF7301 |
IR |
20 |
3.5 |
2.0 |
8300 |
SO8 |
Canale N |
IRF7303 |
IR |
20 |
5.2 |
2.0 |
5200 |
SO8 |
Canale N |
IRF7304 |
IR |
20 |
3.5 |
2.0 |
4000 |
SO8 |
Canale P |
IRF7306 |
IR |
30 |
3.5 |
1.4 |
2500 |
S08 |
Canale P |
IRF7307 |
IR |
20 |
4.3 |
1.4 |
8300 |
SO8 |
Canale N&P |
IRF7309 |
IR |
30 |
4. |
1.4 |
5200 |
SO8 |
Canale N&P |
IRF7311 |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF7314 |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF7316 |
IR |
30 |
4.9 |
2.0 |
7700 |
SO8 |
Canale P |
IRF7319 |
IR |
30 |
4.9 |
2.0 |
|
SO8 |
Canale N/P |
IRF731FI |
ST |
350 |
3.5 |
35.0 |
2900 |
TO220F |
Canale N |
IRF732 |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF7321D2 |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
ST |
400 |
10.0 |
125.0 |
5800 |
TO220AB |
Canale N |
IRF740 |
IR |
400 |
10.0 |
125.0 |
5800 |
TO220AB |
Canale N |
IRF740 |
HARR |
400 |
10.0 |
125.0 |
5800 |
TO220AB |
Canale N |
IRF740 |
A |
400 |
10.0 |
125.0 |
5800 |
TO220AB |
Canale N |
IRF740 |
SAM |
400 |
10.0 |
125.0 |
5800 |
TO220AB |
Canale N |
IRF7401 |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF740LC |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF7413 |
IR |
30 |
13.0 |
2.5 |
10000 |
SO8 |
Canale N |
IRF7416 |
IR |
30 |
10.0 |
2.5 |
5600 |
SO8 |
Canale P |
IRF7421D1 |
IR |
30 |
5.8 |
2.5 |
4600 |
SO8 |
Canale N |
IRF7422D2 |
IR |
20 |
4.1 |
2.0 |
2600 |
SO8 |
Canale P |
IRF744 |
IR |
450 |
8.8 |
125 |
4500 |
TO220AB |
Canale N |
Pubblicazione: cxem.net
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Notizie casuali dall'Archivio Nuovi impianti di produzione MEMS
17.05.2008
La necessità di una produzione in serie di prodotti che utilizzino la tecnologia dei sistemi microelettromeccanici (MEMS) è in aumento con la crescita del mercato dei sensori MEMS.
Con oltre 25 anni di esperienza in questi prodotti, Freescale Semiconductor è uno dei principali fornitori di sensori MEMS, inclusi sensori di accelerazione e pressione. Al fine di espandere le proprie capacità per la produzione di questi prodotti, l'azienda ha messo in funzione un nuovo impianto di produzione progettato per wafer da 200 mm. La linea di produzione si trova nello stabilimento di Freescale in Texas.
In precedenza, la produzione MEMS era concentrata su una linea di lavorazione di wafer da 150 mm situata in Giappone. Ricordiamo che la tecnologia MEMS ha letteralmente rivoluzionato la produzione di sensori. Si basa sull'uso di una combinazione unica di proprietà elettriche e meccaniche dei materiali semiconduttori.
Dopo aver iniziato la loro marcia trionfante con i sistemi di sicurezza, il controllo motorio e la misurazione della pressione sanguigna, i sensori MEMS si trovano ora in telefoni cellulari, console di gioco, dispositivi medici, elettrodomestici e molti altri prodotti. Gli analisti stimano che il mercato dei sensori MEMS, che ha raggiunto i 2006 miliardi di dollari nel 6, continua a crescere rapidamente e raggiungerà i 2010 miliardi di dollari entro il 9,7.
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