Transistori ad effetto di campo della serie KP727. Dati di riferimento

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I potenti transistor ad effetto di campo in silicio KP727A e KP727B con gate isolato, canale N arricchito e diodo protettivo integrato con connessione inversa sono prodotti utilizzando la tecnologia epitassiale-planare. Sono progettati per funzionare in alimentatori secondari, in regolatori, stabilizzatori e convertitori di tensione e corrente con controllo continuo e ad impulsi, in unità di azionamento di motori elettrici e altre apparecchiature ampiamente utilizzate.

I transistor sono alloggiati in un alloggiamento di plastica KT-28 (TO-220) con conduttori rigidi stagnati stampati e una flangia metallica dissipatrice di calore con un foro di montaggio (Fig. 1). Il peso del dispositivo non è superiore a 2,5 g Analoghi stranieri di transistor: KP727A - BUZ71, KP727B - IRFZ34.

Transistori ad effetto di campo della serie KP727

Caratteristiche principali a Tacr.av = 25°С

Soglia di tensione gate-source, V, con una corrente di drain di 0,25 mA e gli stessi valori di tensione gate-source e drain-source per KP727A......2,1...4
KP727B......2...4
Corrente di drain dell'impulso, A, non inferiore, con una durata dell'impulso inferiore a 300 μs e un ciclo di lavoro superiore a 50, con una tensione gate-source di 10 V per KP727A (tensione drain-source 2 V). ..14
KP727B(1,8V)......30
Resistenza drain-source di un transistor aperto, Ohm, non di più, con una durata dell'impulso inferiore a 300 μs e un ciclo di lavoro superiore a 50, con una tensione gate-source di 10 V per KP727A (corrente di drain 9 A). ...0,1
KP727B(18A)......0,05
Corrente di drain residua, µA, non di più, alla massima tensione drain-source e tensione gate-source zero......25
Corrente di dispersione gate, µA, non di più, con tensione gate-source +20 V e tensione drain-source zero......±0,1
Pendenza caratteristica, niente meno che A/V, con una durata dell'impulso inferiore a 300 μs e un duty cycle superiore a 50, con una tensione drain-source di 25 V per KP727A (corrente drain 9 A). 4
KP727B(18A)......9,3
Tensione diretta costante sul diodo di protezione aperto, V, non di più, con una durata dell'impulso inferiore a 300 μs e un ciclo di lavoro superiore a 50, con tensione gate-source zero per KP727A (corrente attraverso il diodo 28 A). .....1,8
KP727B(30A)......1,6
Resistenza termica della custodia di giunzione, non più °C/W, per KP727A......3,1
KP727B ...... 1,7
Transizione della resistenza termica - ambiente, °С/W, non più......62
Tempo di accensione*, μs, non di più, con una tensione drain-source di 30 V, una corrente drain di 30 A e una resistenza di uscita della sorgente del segnale di misurazione di 9,1 Ohm.....0,14
Tempo di disinserzione*, μs, non di più, con una tensione drain-source di 30 V, una corrente drain di 30 A e una resistenza di uscita della sorgente del segnale di misurazione di 9,1 Ohm......0,12
Capacità di ingresso*, pF, non superiore, con tensione gate-source zero e tensione drain-source 25 V a una frequenza di 1 MHz......1600
Capacità di uscita*, pF, non di più, con tensione gate-source zero e tensione drain-source 25 V a una frequenza di 1 MHz......800
Capacità passante*, pF, non di più, con tensione gate-source zero e tensione drain-source 25 V a una frequenza di 1 MHz .....195

* Parametri di riferimento.

Limiti operativi

Massima tensione drain-source, V, per KP727A......50
KP727B ...... 60
Massima tensione gate-source, V......±20
La corrente di drenaggio costante più alta, A, a una temperatura del case di 25°C per KP727A......14
KP727B ...... 30
La corrente di drenaggio pulsata più alta, A, ad una temperatura dell'alloggiamento di 25°C per KP727A......56
KP727B ...... 120
Dissipazione di potenza costante massima, W, ad una temperatura del case di 25°C per KP727A......40
KP727B ...... 88
Il valore più alto del potenziale statico, V.....200**
Intervallo di temperatura di esercizio, °С......-55...+150

** III grado di rigidità secondo OST 11073.062.

È vietato far funzionare i transistor con due o più valori dei parametri limitanti. Per aumentare l'affidabilità del funzionamento dello strumento, i valori dei parametri non devono superare il 70% dei valori massimi consentiti.

La piegatura una tantum dei conduttori è consentita a non meno di 5 mm dal corpo con un raggio di curvatura di almeno 1,5 mm e la linea di piegatura deve trovarsi nel piano dei conduttori. Quando ci si piega, è necessario adottare misure per impedire il trasferimento della forza al corpo. Non puoi torcere i cavi.

La distanza dal corpo al luogo di saldatura e stagnatura non deve essere inferiore a 5 mm. Temperatura di saldatura - non superiore a 265°C, tempo di saldatura - non più di 4 s, tempo di stagnatura - 2 s.

Per ridurre la resistenza termica del dissipatore di calore del corpo del transistor, si consiglia di utilizzare paste speciali, ad esempio KPT-8 secondo GOST 19783. Nei casi in cui dovrebbe essere presente una guarnizione isolante sotto il corpo, la sua resistenza termica deve essere preso in considerazione.

Nella fig. 2a e b mostrano le tipiche dipendenze della corrente di drain dei transistor dalla tensione drain-source alla temperatura del case normale, e in Fig. 3, aeb - dalla tensione gate-source a due temperature di transizione.

Transistori ad effetto di campo della serie KP727

Nella fig. La Figura 4 mostra la dipendenza dalla temperatura normalizzata della resistenza drain-source di un transistor aperto (Rsi.t25 è il rapporto tra il valore corrente della resistenza drain-source e il valore di questa resistenza ad una temperatura di transizione di 25°C), e nella fig. 5 - dipendenze tipiche della capacità di ingresso (C11i), uscita (C22i) e passante (C12i) dei transistor dalla tensione dell'impulso drain-source.

Transistori ad effetto di campo della serie KP727

Riso. 6a e b illustrano la dipendenza della tensione ai terminali del canale del transistor dalla corrente che scorre attraverso questi terminali nella direzione diretta per il diodo di protezione. Il componente principale di questa tensione è la caduta di tensione sul diodo protettivo aperto.

Transistori ad effetto di campo della serie KP727

Autore: V.Kiselev

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