Transistor in omaggio delle serie KT6116 e KT6117. Dati di riferimento

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I transistor pnp al silicio KT6116A e KT6116B di media potenza di ampia applicazione sono prodotti utilizzando la tecnologia epitassiale planare. Sono progettati per funzionare in amplificatori di segnale, convertitori di frequenza e altri dispositivi con una maggiore tensione di alimentazione.

I transistor sono confezionati in un contenitore di plastica standard KT-26 (TO-92 secondo la classificazione occidentale) con conduttori stagnati (Fig. 1). Analoghi stranieri - KT6116A - 2N5401: KT6116B - 2N5400.

Sulla fig. 2 mostra la dipendenza della corrente dell'emettitore dalla tensione alla giunzione dell'emettitore dei transistor della serie KT6116.

Su in fig. 3 - la frequenza di taglio dell'amplificazione e il coefficiente di trasferimento della corrente statica della base dalla corrente del collettore.

La tensione di saturazione del collettore-emettitore e base-emettitore in funzione della corrente di collettore è mostrata in fig. 4.

Una tipica dipendenza della capacità di giunzione del collettore dei transistor dalla tensione di base del collettore CC è mostrata in fig. 5 e l'area di funzionamento sicuro - in fig. 6.

Anche i transistor npn al silicio di media potenza di ampia applicazione KT6117A e KT6117B sono prodotti utilizzando la tecnologia epitassiale planare. Sono progettati per funzionare in amplificatori di segnale, convertitori di frequenza e altri dispositivi con una maggiore tensione di alimentazione.

I transistor sono confezionati in una custodia di plastica standard KT-26 (TO-92) con conduttori stagnati (vedere Fig. 1). Analoghi stranieri - KT6117A - 2N5551; KT6117B-2N5550.

I transistor KT6117A, KT6117B e KT6116A, KT6116B possono essere selezionati in coppie complementari.

Una tipica dipendenza della corrente dell'emettitore dalla tensione dell'emettitore base dei transistor della serie KT6117 è mostrata in fig. 7, e caratteristiche tipiche di uscita - in fig. 8.

In fig. 9-11 rispettivamente.

L'area di funzionamento sicuro dei transistor della serie KT6117 è la stessa dei transistor della serie KT6116 (vedi Fig. 6).

In conclusione: alcuni suggerimenti comuni ai transistor di entrambe le serie. Si sconsiglia di far funzionare i transistor a bassa corrente, commisurata alla corrente inversa incontrollata nell'intero intervallo di temperatura. Inoltre, non è consentito utilizzare dispositivi a due valori limite di parametri elettrici.

Quando si accende un transistor in un circuito elettrico sotto tensione, il terminale di base deve essere collegato per primo (e scollegato per ultimo).

La piegatura una tantum dei conduttori del transistor è consentita a una distanza non inferiore a 2 mm dalla custodia; raggio di curvatura - non inferiore a 1.5 mm. Quando ci si piega, è necessario adottare misure per impedire il trasferimento di forza al corpo.

La distanza dal corpo al punto di saldatura (stagnatura) dell'uscita è di almeno 3 mm. Durante l'installazione, sono consentiti solo tre cavi di saldatura. Temperatura di saldatura - non superiore a 265'С, tempo di saldatura - non più di 4 s.

È consentito utilizzare transistor di modifica climatica convenzionale in apparecchiature progettate per funzionare in qualsiasi condizione climatica, ma allo stesso tempo devono essere rivestiti dopo l'installazione con tre o quattro strati di vernice UR-231 (TU6-21-14) o EP -730 (GOST 20824) con successiva asciugatura.

Caratteristiche principali a Tacr cf =25°C

• Coefficiente di trasferimento di corrente statico della base con una tensione collettore-emettitore di 5 V e una corrente di collettore di 10 mA per
• KT6P6A......60...240
• KT6116B......40...180
• Corrente inversa collettore, µA, non di più, per KT6116A (con tensione base collettore 120 V)......005
• KT6P6V(100V)......0.1
• Corrente inversa dell'emettitore, μA. non di più, a una tensione di base dell'emettitore di 3 V e corrente di collettore zero ...... 0.05
• Corrente collettore-emettitore inversa. mA, non di più, con la base disabilitata per KT6116A (a una tensione collettore-emettitore di 150 V)...... 1
• KT61165(120 V)......1
• Tensione di saturazione collettore-emettitore. V. non più, alla corrente del collettore
• 50 mA e corrente di base 5 mA......0.5
• Tensione di saturazione base - emettitore, V, non di più, con una corrente di collettore di 50 mA e una corrente di base di 5 mA......1
• Frequenza limite del coefficiente di trasferimento di corrente, MHz. non meno, ad una tensione collettore-emettitore di 10 V e una corrente di collettore di 10 mA......100
• capacità di giunzione del collettore. pF. non più, con una tensione collettore-base di 10 V e corrente di emettitore zero a una frequenza di 10 MHz ...... 6
• Figura di rumore, dB, non di più, con una tensione collettore-emettitore di 3 V, una corrente di collettore di 200 μA e una resistenza nel circuito di base di 3 kOhm. alla frequenza di 1 kHz per KT6116A......8
• KT6116B......10
• Giunzione a resistenza termica - ambiente. °С/W, non più di......200

Valori limite

• Il collettore di tensione più alto - base. B, per KT6116A......160
• KT6116B......130
• La massima tensione collettore-emettitore, V, per KT6P6A......150
• KT6116B......120
• La più alta tensione base-emettitore, V ...... 5
• La più alta corrente di collettore CC, A ...... 0.6
• La massima potenza dissipata costante del collettore, W......0,625
• Valore ammissibile del potenziale statico (IV grado di rigidità secondo OST 11073.062), V ...... 500
• La temperatura di transizione più alta, ° С ...... 150
• Valori limite della temperatura ambiente di esercizio, °С......-45...+100
• Caratteristiche principali a Tacr.av = 25°С
• Coefficiente di trasferimento di corrente di base statico con una tensione collettore-emettitore di 5 V e una corrente di collettore di 10 mA per KT6117A ...... 80 ... 250
• KT6117B......60...250
• Corrente inversa del collettore, μA, non di più, per KT6117A (con una tensione di base del collettore di 120 V)...... 0,05
• KT6117B(100V)......0,1
• Corrente inversa dell'emettitore, μA, non di più, a una tensione di base dell'emettitore di 3 V e corrente di collettore pari a zero ...... 0,05
• Corrente collettore-emettitore inversa. mA, non di più, con la base disabilitata per KT6117A (a una tensione collettore-emettitore di 160 V)...... 1
• KT61175(140 V)......1
• Tensione di saturazione collettore-emettitore, V. non di più, con una corrente di collettore di 50 mA e una corrente di base di 5 mA per KT6117A ...... 0.2
• KT6117B......0.25
• Tensione di saturazione base-emettitore. V. non più, con una corrente di collettore di 50 mA e una corrente di base di 5 mA per KT6117A......1
• KT6117B......1,2
• Frequenza di taglio del rapporto di trasferimento corrente. MHz, non meno, a una tensione collettore-emettitore di 10 V e una corrente di collettore di 10 mA......100
• Capacità di giunzione del collettore, pF, non di più, a una tensione di base del collettore di 10 V e corrente di emettitore zero a una frequenza di 10 MHz ...... 6
• Figura di rumore, dB, non di più, a una tensione collettore-emettitore di 5 V, una corrente di collettore di 200 μA e una resistenza nel circuito di base di 2 kOhm, a una frequenza di 1 kHz per KT6117A...... 8
• KT6117B......10
• Resistenza termica ambiente di transizione, 'С/W, non più......200

Valori limite

• La massima tensione di base del collettore, V, per KT6117A......180
• KT6117B......160
• La massima tensione collettore-emettitore, V, per KT6117A......160
• KT6117B......140
• La più alta tensione base-emettitore, V ...... 6
• La più alta corrente di collettore CC, A ...... 0.6
• La più grande dissipazione di potenza costante del collettore. W ...... 0,625
• Valore ammissibile del potenziale statico (IV grado di rigidità secondo OST 11073.062), V ...... 500
• La temperatura di transizione più alta, ° С ...... 150
• Valori limite della temperatura ambiente di esercizio, °С......-45...+100

Autore: V.Kiselev

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