Transistori della serie KT6113. Dati di riferimento

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I transistor n-p-n di media potenza al silicio KT6113A-KT6113E sono progettati per il funzionamento negli stadi di ingresso e intermedi degli amplificatori RF, nei convertitori di frequenza e altri componenti e blocchi di apparecchiature elettroniche ampiamente utilizzate.

I transistor sono prodotti utilizzando la tecnologia epitassiale-planare. Sono alloggiati in una custodia in plastica KT-26 (secondo la classificazione europea TO-92). Il disegno dell'alloggiamento è mostrato in Fig. 1. Peso del dispositivo: non più di 0,3 g.

Transistori della serie KT6113

Gli analoghi stranieri dei transistor KT6113A, KT6113E sono rispettivamente SS9018D, SS9018I.

Caratteristiche elettriche principali a Tacr avg = 25°C

Tensione limite collettore-emettitore, V, non inferiore, con una corrente di collettore di 10 mA, corrente di base zero, durata dell'impulso non superiore a 300 μs e ciclo di lavoro di 100 o più......15
Corrente inversa del collettore, mA, non di più, con una tensione base-collettore di 12 V e corrente dell'emettitore zero......50
Corrente dell'emettitore inverso, µA, non di più, a una tensione base-emettitore di 5 V e corrente di collettore pari a zero......10
Coefficiente di trasferimento della corrente di base statica con una tensione collettore-base di 5 V e una corrente di emettitore di 1 mA per KT6113A......28...45
KT6113B......39...60
KT6113V......54...80
KT6113G......72...108
KT611ZD......97...146
KT6113E......32...198
Tensione di saturazione collettore-emettitore, V, non di più, con una corrente di collettore di 10 mA e una corrente di base di 1 mA......0,5
Frequenza limite del coefficiente di trasferimento di corrente, MHz, non inferiore, con una tensione collettore-emettitore di 5 V e una corrente di collettore di 5 mA......700
Capacità di giunzione del collettore, pF, non di più, a una tensione di base del collettore di 10 V e corrente di emettitore zero a una frequenza di 1 MHz ...... 1,7
Transizione della resistenza termica - ambiente, °С/W, non più......312,5

Valori limite

La più alta tensione di base del collettore, V ...... 30
La più alta tensione collettore-emettitore, ...... 15
La più alta tensione di base dell'emettitore, V ...... 5
La più alta corrente di collettore CC, mA......50
Dissipazione di potenza costante del collettore, mW.....400
Massima temperatura di transizione, °С......150
Limiti della temperatura ambiente di esercizio, °С ..... -45...+85

Non è consentito utilizzare il transistor in una modalità in cui due (o più) parametri hanno i valori massimi consentiti. Allo stesso tempo, non è consigliabile far funzionare i transistor con una corrente operativa paragonabile alla corrente inversa incontrollata nell'intero intervallo di temperature.

Per l'installazione dei dispositivi, è consentita una piegatura una tantum dei conduttori a non meno di 2 mm dal corpo con un raggio di curvatura di almeno 1,5 mm; in questo caso è necessario adottare misure per impedire il trasferimento della forza al corpo. La distanza dal corpo al luogo di saldatura o stagnatura non deve essere inferiore a 3 mm. Se si desidera collegare il dispositivo a un circuito elettrico sotto tensione, il terminale della base deve essere collegato per primo e scollegato per ultimo.

Le dipendenze grafiche dei parametri dei transistor della serie KT6113 sono presentate in Fig. 2b. Le caratteristiche corrente-tensione di uscita del dispositivo collegato secondo un circuito di emettitore comune sono mostrate in Fig. 2.

Transistori della serie KT6113

Le dipendenze tipiche dalla corrente di collettore del coefficiente di trasferimento di corrente statico e dalla frequenza di taglio del coefficiente statico sono mostrate in Fig. 3 e 4, e le tensioni di saturazione collettore-emettitore e base-emettitore sono in Fig. 5. Una tipica dipendenza della capacità della giunzione del collettore dalla tensione CC base del collettore è illustrata in Fig. 6.

Transistori della serie KT6113

Autore: V.Kisilev, Minsk, Bielorussia

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