Potenti transistor ad effetto di campo della serie KP742. Dati di riferimento

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I transistor a effetto di campo a canale n in silicio KP742A e KP742B con gate isolato, arricchimento del canale e un diodo protettivo a connessione inversa integrato sono prodotti utilizzando la tecnologia spitassiale-planare. I dispositivi sono progettati per funzionare in alimentatori secondari con ingresso senza trasformatore, in regolatori, stabilizzatori e convertitori di tensione con controllo continuo e a impulsi, in azionamenti di motori elettrici e altre apparecchiature utilizzate nella vita quotidiana e nell'industria.

I transistor sono alloggiati in un contenitore rettangolare in plastica KT-43 (TO-218) con terminali rigidi stampati stagnati (Fig. 1); peso del dispositivo - non più di 6 g.

L'analogo straniero del transistor KP742A è STH75N06, KP742B è STH75N05 di SGS-THOMSON.

Principali caratteristiche tecniche a Тkorp = 25 °С

• Tensione di soglia, V, a una corrente di drain di 0,25 mA e gate e drain collegati......2...4
• Resistenza a canale aperto, Ohm, non di più, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs e un ciclo di lavoro di almeno 50, con una corrente di drain di 40 A e una tensione gate-source di 10 V per KP742A.... ..0,014
• KP742B ...... 0,012
• Corrente di drain residua, µA, non di più, alla massima tensione drain-source e tensione gate-source zero......250
• Corrente di dispersione gate, nA, non di più, con tensione gate-source ±20 V e tensione drain-source zero......±100
• Pendenza della caratteristica corrente-tensione, almeno A/V, con una durata dell'impulso non superiore a 300 μs e un ciclo di lavoro di almeno 50, con una tensione drain-source di 10 V e una corrente di drain di 40 A ......25
• Massima frequenza di amplificazione, MHz, non meno......1
• Tempo di accensione*, μs, non di più, con tensione drain-source 25 V, corrente drain 40 A, resistenza di uscita della sorgente del segnale 6,2 Ohm, resistenza nel circuito drain 50 Ohm, tensione gate-source 10 V, durata dell'impulso non più di 300 μs e il loro ciclo di lavoro è almeno 50......1,57
• Tempo di disinserzione*, μs, non di più, con tensione drain-source 40 V, corrente drain 75 A, resistenza di uscita della sorgente del segnale 50 Ohm, resistenza nel circuito drain 50 Ohm, tensione gate-source 10 V, durata dell'impulso non più di 300 μs e il loro ciclo di lavoro è almeno 50 per KP742A......0,97
• KP742B ...... 1,08
• Capacità del transistor*, pf, non di più, con una tensione drain-source di 25 V, tensione gate-source zero e frequenza di ingresso di 1 MHz......5200
• fine settimana ...... 2300
• posto di blocco......650
• Resistenza termica cassa in cristallo, С/W, non più di......30
• Tensione diretta costante di un diodo protettivo aperto. V, non di più, con tensione gate-source pari a zero, durata dell'impulso non superiore a 300 μs e ciclo di lavoro non inferiore a 50 per KP742A con una corrente attraverso il terminale di drain di 75 A e KP742B - 80 A...... 1,6
• Tempo di recupero inverso del diodo*, no, con una tensione drain-source di 35 V, una velocità di aumento della corrente del diodo di 100 A/μs, una durata dell'impulso non superiore a 300 μs e un ciclo di lavoro di almeno 50 per KP742A con una corrente attraverso il terminale di scarico di 75 A e KP742B - 80 A......130

* Parametri di riferimento.

Valori limite

• Massima tensione drain-source, V, per KP742A......60
• KP742B ...... 50
• Massima tensione gate-source, V......±20
• La corrente di drenaggio costante più alta*, A, a una temperatura del case non superiore a 25 °C per KP742A......75
• KP742B ...... 80
• Corrente massima di assorbimento degli impulsi*, A, per KP742A......300
• KP742B ...... 320
• Corrente diretta massima del diodo protettivo, A, per KP742A......75
• KP742B ...... 80
• Massima potenza dissipata continua**, W, alla temperatura dell'involucro 25 °С......200
• La temperatura più alta del cristallo, "C ...... 175
• Intervallo di funzionamento della temperatura ambiente, "С......-55...+150

* A condizione che non vengano superate la massima dissipazione di potenza e la temperatura dei cristalli.

** A una temperatura ambiente superiore a 25 °C la potenza massima consentita Pmax deve essere ridotta secondo la formula

dove Tkp max e Tcorp sono i valori della temperatura massima consentita del cristallo e della temperatura attuale del corpo del transistor; Rt cr-case - resistenza termica della cassa in vetro.

Il valore consentito del potenziale statico è 500 V secondo OST 11 073.062. La modalità e le condizioni per l'installazione dei transistor nelle apparecchiature sono conformi a OST 11 336.907.0.

Le dipendenze grafiche tipiche dei parametri dei transistor KP742A e KP742B sono presentate in Fig. 2-7.

Nella fig. 2, aeb mostrano le famiglie delle caratteristiche di uscita dei dispositivi a due valori della temperatura dell'alloggiamento, e in Fig. 3 - dipendenza dalla temperatura della resistenza a canale aperto (normalizzata rispetto al punto in cui la temperatura del cristallo Tcr = 25 °C). Riso. 4 illustra la dipendenza della corrente di drain dalla tensione gate-source.

Le dipendenze della capacità di ingresso, uscita e passante dei dispositivi dalla tensione drain-source sono mostrate in Fig. 5. All'aumentare della temperatura della custodia, la corrente di scarico deve essere ridotta secondo la curva di Fig. 6.

La caduta di tensione su un diodo protettivo aperto in funzione della corrente diretta che lo attraversa è mostrata in Fig. 7 (qui Ic è la corrente che attraversa il terminale di drain del dispositivo).

Autore: V.Kiselev, Minsk, Bielorussia

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