Fototransistor. Dati di riferimento
Enciclopedia della radioelettronica e dell'elettrotecnica / materiali di riferimento
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I fototransistor differiscono dai fotodiodi amplificando ulteriormente la fotocorrente sulla giunzione pn dell'emettitore. I fototransistor possono funzionare come fotodiodi (modalità base flottante) o in modalità transistor con una sorgente di polarizzazione nel circuito di base. Il terminale dell'emettitore di un fototransistor è contrassegnato da un punto colorato sul corpo o da un segno colorato sul cavo. I fototransistor sono prodotti in una custodia di metallo-vetro con una finestra di ingresso della base in due modelli, entrambi con e senza un'uscita elettrica separata della base.
I parametri principali dei fototransistor sono riportati nella tabella; l'aspetto dei fototransistor è mostrato in Fig. 1.
tipo |
Area dell'elemento fotosensibile, mm2 |
Parametri fondamentali ad una temperatura di 20±°C |
Campo delle caratteristiche spettrali delta lambda, µm |
Massima caratteristica spettrale delta lambda, max, mm |
Tensione di esercizio Uр, B |
Corrente oscura Iт, uA |
Sensibilità di corrente integrale S1 interno, µA/Lk, non inferiore a |
Costante di tempo dell'impulso tи, s, non di più |
Peso, non più g |
FT-1K |
2,8 |
0.5 ... 1.12 |
0.8 ... 0.9 |
5 |
3 |
(0.4) |
8e-5 |
0.9 |
FT-2K |
2,8 |
0.5 ... 1.12 |
0.8 ... 0.9 |
5 |
3 |
(0.4) |
8e-5 |
0.9 |
FT-1G |
3 |
0.4 ... 1.8 |
1.5 ... 1.6 |
1 ... 5 |
300 |
0.2 |
2e-4 |
1.5 |
FT-2G |
1 |
0.4 ... 1.8 |
1.5 ... 1.6 |
12 ... 24 |
500 |
2 |
1e-5 |
1.5 |
FT-3G |
3 |
0.4 ... 1.8 |
1.5 ... 1.6 |
10 ... 12 |
1000 |
2 ... 7 |
1e-4 |
1.5 |
FTG-3 |
3 |
0.4 ... 1.8 |
1.5 ... 1.55 |
5 ... 10 |
60 |
1 |
1(2...10)e-5 |
1.8 |
FTG-4 |
3 |
0.4 ... 1.8 |
1.5 ... 1.55 |
5 ... 10 |
40 |
3 |
3(2...10)e-5 |
1.8 |
FTG-5 |
3 |
0.4 ... 1.8 |
1.5 ... 1.55 |
5 ... 10 |
50 |
1 |
(1 ... 2) e-5 |
1.8 |
Riso. 1 Aspetto e piedinatura
TIPO |
Fotocorrente
SE, uA |
corrente oscura
IT, uA |
Tempo di salita dell'impulso
tn, nS |
Tensione inversa UOBR(UStati Uniti) NEL |
Modalità di misurazione |
KTF102A |
200 |
1.0 |
500 |
50 (0.5) |
Lei=60 mW/sr RNAGR=15 kOhm |
KTF102A1 |
800 |
0,5 |
KTF102A2 |
KTF104A |
150 |
1.0 |
800 |
0,5 |
Il suo \u7d XNUMX Lx |
KTF104B |
100 |
5.0 |
KTF104V |
50 |
Fototransistor importati
|
Nome |
descrizione |
1 |
L-610MP4BT/BD |
npn fototransistor in plastica nera |
2 |
L-32P3C |
Fototransistor con lente in cristallo T-1 (3 mm). |
3 |
L-51P3C |
Fototransistor con lente in cristallo T-1 3/4 (5 mm). |
Autore: NV Parol, SA Kaydalov; Pubblicazione: cxem.net
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L'esperimento è stato condotto presso il Johnson Space Center di Houston.
Gli scienziati sapevano che il suolo sulla luna conteneva composti che potevano essere usati per produrre ossigeno attraverso la radiazione solare. Per verificarlo, hanno creato un modello di terreno a grana fine che imita il materiale che ricopre la superficie della Luna.
Usando un potente laser simile a una lente, il team ha fuso un suolo lunare simulato. Nel campione risultante sono stati trovati monossido di carbonio e ossigeno.
Aaron Paz, ingegnere senior della NASA e capo progetto, ha dichiarato: "Questa tecnologia può produrre enormi quantità di ossigeno sulla superficie della luna, che fornirà una presenza umana sostenibile e un'economia mensile".
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Victor
Просто супер!
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