Sistema di protezione degli altoparlanti passivo. Schema, descrizione

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Sistema di protezione passiva degli altoparlanti. Enciclopedia dell'elettronica radio e dell'ingegneria elettrica

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Sotto tale titolo in "Radio" n. 7 per il 1997, M. Korzinin ha descritto un dispositivo per proteggere l'UA da pericolose sovratensioni. Richiede fino a due dozzine (o più) diodi raddrizzatori ad alta frequenza per proteggere una testina dell'altoparlante. Nel frattempo, sostituendo i circuiti di un gran numero di diodi con un ponte a diodi e includendo un potente transistor composito nella sua diagonale, è possibile ottenere un dispositivo di protezione più economico (vedi figura).

Sistema di protezione degli altoparlanti passivo

Questo dispositivo, come quello realizzato sui diodi, funziona efficacemente solo con amplificatori a valvole oa transistor privi di retroazione di tensione comune, cioè aventi un'impedenza di uscita paragonabile al carico.

Il transistor VT1 insieme ai diodi zener VD5, VD6 e l'indicatore LED di sovraccarico HL1 formano l'equivalente di un potente limitatore di tensione. La soglia per il suo funzionamento dipende dai parametri e dal numero di diodi zener a bassa potenza nel circuito di base di un potente transistor. Come quest'ultimo, è adatto qualsiasi dispositivo della serie KT827 o KT825 (con un corrispondente cambiamento nella polarità dell'accensione dei diodi a ponte e del circuito del diodo zener). A causa dell'elevato coefficiente di trasferimento di corrente della base del transistor, la corrente attraverso gli elementi nel circuito di base non supererà 10 ... 20 mA.

Il calcolo del limitatore si riduce alla determinazione della tensione sui diodi zener, che dovrebbe essere inferiore alla tensione limite per la somma delle cadute di tensione sui diodi a ponte, sul LED HL1 e sulle giunzioni base-emettitore del transistor (in totale - circa 6 ... 6,5 V).

Per proteggere le testine potenti a bassa frequenza o ad ampio raggio, è necessario anche un limitatore più potente. In questo caso, si consiglia di utilizzare due transistor collegati in parallelo, i cui circuiti di emettitore includono resistori a bassa resistenza (con una resistenza di 0,2 ... 0,3 Ohm). Se il coefficiente di trasferimento di corrente della base dei transistor è superiore a 2000, per ciascuno di essi non è necessario un circuito di soglia separato con diodi zener.

La potenza dissipata dal transistor sarà notevolmente ridotta se una lampada del faro di un'auto è inclusa nel suo circuito collettore. A freddo, la resistenza del suo filo è piccola e, man mano che la lampada si riscalda, aumenta più volte. Di conseguenza, la potenza dissipata nel transistor viene ridotta.

Autore: A.Sokolov, Mosca

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